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SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向

IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報(bào)道，SK 海力士負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日在 SK 集團(tuán) 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達(dá)了希望 SK 海力士為其開(kāi)發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋(píng)果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達(dá)、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
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HBM 帶動(dòng)，三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)營(yíng)收前四

IT之家 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時(shí)間本月 7 日?qǐng)?bào)告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業(yè)營(yíng)收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾?！?圖源 IDC報(bào)告表示，數(shù)據(jù)中心對(duì) AI 訓(xùn)練與推理的需求飆升，其中對(duì) HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價(jià)和對(duì)通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動(dòng) DRAM 平均價(jià)格上升，使總體內(nèi)存市場(chǎng)營(yíng)收大幅成長(zhǎng)。此外終端設(shè)備市場(chǎng)回穩(wěn)，AI PC、智能手機(jī)逐步發(fā)售，同樣提升
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小鵬 MONA M03 首批量產(chǎn)車下線全系標(biāo)配高通 8155 芯片和 16GB 內(nèi)存

8 月 9 日消息，小鵬汽車今日官宣，小鵬 MONA M03 首批量產(chǎn)車下線，全系標(biāo)配高通 8155 芯片和 16GB 內(nèi)存。博主@孫少軍09 稱，小鵬 MONA M03的門店展車已經(jīng)提前到店，開(kāi)票價(jià) 15 萬(wàn)多，所以起步價(jià)只會(huì)在 14 萬(wàn)以下。博主還提到，對(duì)于小鵬自己，最麻煩的永遠(yuǎn)不是產(chǎn)品本身，而是前幾次上市交不出來(lái)（車）的“無(wú)語(yǔ)”。所以小鵬這次一定要強(qiáng)調(diào)量產(chǎn)下線，這個(gè)比其他的都重要。據(jù)此前報(bào)道，小鵬 MONA M03 已出現(xiàn)在工信部的新車申報(bào)名單中，車身尺寸 4780 x 1896 x 1445mm，
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M31Ｘ高塔半導(dǎo)體 65納米內(nèi)存方案問(wèn)世

全球領(lǐng)先的硅智財(cái)供貨商M31宣布與高塔半導(dǎo)體（Tower Semiconductor）達(dá)成重要合作里程碑。雙方連手成功開(kāi)發(fā)出65納米制程的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）和ROM（只讀存儲(chǔ)器）IP產(chǎn)品，并已將設(shè)計(jì)模塊交付客戶端完成驗(yàn)證，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)全新的先進(jìn)內(nèi)存解決方案。M31與高塔半導(dǎo)體共同優(yōu)化的設(shè)計(jì)架構(gòu)，巧妙結(jié)合低功耗組件Analog FET（模擬場(chǎng)效晶體管），不僅能夠完美滿足當(dāng)前SoC芯片對(duì)低功耗的嚴(yán)格要求，更為未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、智能型穿戴裝置、車聯(lián)網(wǎng)（V2X）以及人工智能（AI）等新興應(yīng)用領(lǐng)域
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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消息稱 SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》（Hankyung）與 Blocks & Files 報(bào)道，SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 閃存與固態(tài)硬盤(pán)子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購(gòu)英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù)，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購(gòu)第一階段后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
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HBM4持續(xù)加速：AI時(shí)代競(jìng)爭(zhēng)新焦點(diǎn)

HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化版，旨在進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時(shí)保持基本特性，例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個(gè)芯片和/或堆棧容量 —— 這些對(duì)于需要高效處理大數(shù)據(jù)集和復(fù)雜計(jì)算的應(yīng)用至關(guān)重要，包括生成人工智能（AI）、高性能計(jì)算、高端顯卡和服務(wù)器。
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DigiKey宣布與內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一的Kingston Technology建立全球合作伙伴關(guān)系

全面現(xiàn)貨供應(yīng)、提供快速交付的全球電子元器件和自動(dòng)化產(chǎn)品分銷商DigiKey今天宣布與Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲(chǔ)解決方案。作為全球最大的獨(dú)立存儲(chǔ)器產(chǎn)品制造商之一，Kingston面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式OEM客戶，提供包括eMMC、eMCP、ePoP、UFS和DRAM組件在內(nèi)的各種存儲(chǔ)產(chǎn)品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和制造者打造的工業(yè)級(jí) SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤(pán) (SSD)。DigiKey與Kingston Technology合作，提供
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)再度“亮劍”，在美國(guó)起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專利

IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國(guó) 3D NAND 閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國(guó)加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國(guó)銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專利使用費(fèi)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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存儲(chǔ)大廠：CXL內(nèi)存將于下半年爆發(fā)？

據(jù)《ZDNet Korea》報(bào)道，三星電子存儲(chǔ)部門新業(yè)務(wù)規(guī)劃團(tuán)隊(duì)董事總經(jīng)理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內(nèi)存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協(xié)議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術(shù)生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存顆粒。除了CMM-D模塊，三星還在開(kāi)發(fā)一系列CXL存儲(chǔ)產(chǎn)品。其中包括集成多個(gè)CMM-D模塊的CMM-B內(nèi)存盒模塊，以及將DRAM內(nèi)存與NAND閃存顆粒相結(jié)合的CMM-H混合存儲(chǔ)模塊。Choi Jang-seok強(qiáng)調(diào)，隨著CXL3.1技術(shù)的采用，CXL內(nèi)存資源可以在多
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英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟：HBM4 內(nèi)存2026年量產(chǎn)

7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報(bào)道，英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”，為迎接 AI 時(shí)代共同推進(jìn) HBM4 等下一代技術(shù)。SEMI 計(jì)劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動(dòng)（其影響力可以認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的 CES 大展），包括臺(tái)積電在內(nèi)的 1000 多家公司將展示最新的半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù)，促進(jìn)了合作與創(chuàng)新。預(yù)計(jì)這次會(huì)議的主要焦點(diǎn)是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內(nèi)存，它將開(kāi)啟市場(chǎng)的新紀(jì)元。IT之家援引該媒體報(bào)道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
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高速運(yùn)算平臺(tái)內(nèi)存爭(zhēng)霸 AI應(yīng)用推升內(nèi)存需求

在不同AI運(yùn)算領(lǐng)域中，依照市場(chǎng)等級(jí)的需要，大致上可以分成三種，一種是作為高性能運(yùn)算中心的人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)與圖形處理的超高速運(yùn)算與傳輸需求；一種是一般企業(yè)的AI服務(wù)器、一般計(jì)算機(jī)與筆電的演算應(yīng)用；另一種是一般消費(fèi)電子如手機(jī)、特殊應(yīng)用裝置或其它邊緣運(yùn)算的應(yīng)用。現(xiàn)階段三種等級(jí)的應(yīng)用，所搭配的內(nèi)存也會(huì)有所不同，等級(jí)越高內(nèi)存的性能要求越高，業(yè)者要進(jìn)入的門坎也越高。不過(guò)因?yàn)楦黝怉I應(yīng)用的市場(chǎng)需求龐大，各種內(nèi)存的競(jìng)爭(zhēng)也異常的激烈，不斷地開(kāi)發(fā)更新產(chǎn)品，降低成本，企圖向上向下擴(kuò)大應(yīng)用，所以只有隨時(shí)保持容量、速度與可靠度的
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從應(yīng)用端看各類內(nèi)存的機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn) 跨領(lǐng)域新市場(chǎng)逐漸興起

內(nèi)存是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組件，隨著科技的進(jìn)步，內(nèi)存的容量、速度、功耗等特性也不斷提升，為各種應(yīng)用帶來(lái)了新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。本文將從應(yīng)用端出發(fā)，探討各類內(nèi)存的機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn)。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）DRAM是當(dāng)前計(jì)算器系統(tǒng)中最常見(jiàn)的主存儲(chǔ)器技術(shù)，具備高速讀寫(xiě)和相對(duì)較低的成本。它廣泛應(yīng)用于PC、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備和游戲機(jī)中。隨著人工智能和大數(shù)據(jù)應(yīng)用的興起，DRAM的需求持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是在需要高速數(shù)據(jù)處理和低延遲的應(yīng)用場(chǎng)景。DRAM的主要挑戰(zhàn)在于其揮發(fā)性和功耗問(wèn)題。DRAM需要持續(xù)供電以維持?jǐn)?shù)據(jù)，這限制了其在移動(dòng)
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三星Q2營(yíng)利暴增15倍遠(yuǎn)超外界預(yù)期

韓國(guó)三星電子表示，因人工智能AI需求暢旺，內(nèi)存芯片的售價(jià)因此也水漲船高，上季營(yíng)業(yè)利益可望飆升約15倍，比路透社4日?qǐng)?bào)導(dǎo)的預(yù)估值13倍還要多。這家全球最大內(nèi)存芯片制造商預(yù)估，集團(tuán)整體第2季營(yíng)利為10.4兆韓元，約75億美元，年增1,452.2%。同時(shí)，營(yíng)收也大增23.3%，達(dá)74兆韓元。不過(guò)，三星這次并沒(méi)有揭露凈利數(shù)字。 4到6月這1季，是三星自2022年第3季曾創(chuàng)下?tīng)I(yíng)業(yè)利益高達(dá)10.8兆韓元以后，全集團(tuán)營(yíng)利再次沖高到10兆韓元以上。另外，三星第2季的營(yíng)利，也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
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什么是GDDR7內(nèi)存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)

什么是 GDDR7 內(nèi)存？它是用于 GPU 的下一代圖形內(nèi)存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來(lái)幾年內(nèi)用于各種產(chǎn)品，為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級(jí)，從而提高游戲和其他類型的工作負(fù)載的性能。但這個(gè)名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內(nèi)存（用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”）推出以來(lái)，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問(wèn)世了，每隔幾年就會(huì)有新的迭代到來(lái)，擁有更高的速度和帶寬。當(dāng)前一代
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡(jiǎn)介】　　在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱內(nèi)存，港臺(tái)稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細(xì) ]