內(nèi)存文章最新資訊

有選擇的后摩爾堆疊時代

臺積電、英特爾等大廠近年來不斷加大對異構(gòu)集成制造及相關(guān)研發(fā)的投入。隨著 AIGC、8K、AR/MR 等應(yīng)用的不斷發(fā)展，3D IC 堆疊和 chiplet 異構(gòu)集成已成為滿足未來高性能計算需求、延續(xù)摩爾定律的主要解決方案。不久前，華為公布了一項芯片堆疊技術(shù)的新專利，顯示了該公司在芯片技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新實力。這項專利提供了一種簡化芯片堆疊結(jié)構(gòu)制備工藝的方法，有望解決芯片堆疊過程中的各種技術(shù)難題。堆疊技術(shù)可以提高芯片的效率，并更好地利用可用空間，進一步推動芯片技術(shù)的進步。盡管目前該專利與將兩個 14nm 芯片堆疊成
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三星推出其首個LPCAMM內(nèi)存解決方案開啟內(nèi)存模組新未來

三星電子宣布已開發(fā)出其首款 7.5Gbps（千兆字節(jié)每秒）低功耗壓縮附加內(nèi)存模組（LPCAMM）形態(tài)規(guī)格，這有望改變個人計算機和筆記本電腦的 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）市場，甚至改變數(shù)據(jù)中心的DRAM市場。三星的突破性研發(fā)成果已在英特爾平臺上完成了系統(tǒng)驗證。三星LPCAMM內(nèi)存模組結(jié)構(gòu)示意圖截至目前，個人計算機和筆記本電腦都在使用傳統(tǒng)的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的 So-DIMM（小型雙重內(nèi)嵌式內(nèi)存模組）。然而受結(jié)構(gòu)限制，LPDDR需要被直接安裝在設(shè)備的主板上，導(dǎo)致其在維修
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消息稱三星和 SK 海力士改進 HBM 封裝工藝，即將量產(chǎn) 12 層產(chǎn)品

IT之家 9 月 12 日消息，根據(jù)韓國 The Elec 報道，三星電子和 SK 海力士兩家公司加速推進 12 層 HBM 內(nèi)存量產(chǎn)。生成式 AI 的爆火帶動英偉達加速卡的需求之外，也帶動了對高容量存儲器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數(shù)越多，處理數(shù)據(jù)的能力就越強，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產(chǎn)。報道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進名為混合鍵合（Hybrid Bonding
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要漲價？內(nèi)存、閃存同時需求大漲

這兩年，DRAM內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導(dǎo)致價格持續(xù)處于地位，內(nèi)存、SSD硬盤產(chǎn)品也越來越便宜。不過，這種好日子似乎要結(jié)束了。根據(jù)集邦咨詢最新研究報告，預(yù)計在2024年，內(nèi)存、閃存原廠仍然會延續(xù)減產(chǎn)策略，尤其是虧損嚴重的閃存，但與此同時，至少在2024年上半年，消費電子市場需求仍不明朗，服務(wù)器需求相對疲弱。由于內(nèi)存、閃存市場在2023年已經(jīng)處于低谷，價格也來到相對低點，因此預(yù)計在2024年，內(nèi)存、閃存芯片的市場需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個、5.0
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HBM：高帶寬內(nèi)存吸引各大科技巨頭搶購的“魔力”到底是什么？

由于各大企業(yè)對布局AI領(lǐng)域的興趣激增，同時，SK海力士在用于生成式AI領(lǐng)域的高帶寬存儲器（HBM）DRAM方面處于市場領(lǐng)先地位，其二季度用于AI領(lǐng)域的高性能DRAM銷售增長強勁，對高端DRAM的需求增長了一倍多。繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
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Intel傲騰內(nèi)存死而不僵：再活3個月

2022年9月底，Intel宣布徹底終結(jié)Optane傲騰業(yè)務(wù)，包括SSD固態(tài)硬盤、PMem持久內(nèi)存兩大產(chǎn)品線，但是現(xiàn)在，傲騰內(nèi)存還要再掙扎一下。Intel原計劃在今年9月30日之后停止出貨傲騰持久內(nèi)存100系列，但是現(xiàn)在，Intel將截止期限延長到了12月29日，多供貨3個月。同時，Intel建議客戶，按照0.44％的年故障率備足存貨，以備不時之需。不過，Intel并未解釋延長出貨期限的原因，不知道是客戶仍有需求，還是庫存太多清不完？傲騰持久內(nèi)存的地位介于傳統(tǒng)DIMM內(nèi)存、傲騰SSD之間，將數(shù)據(jù)比特保存在
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RAM 是如何工作的？

計算機關(guān)閉時，RAM 中存儲的信息會丟失，而長期存儲設(shè)備（SSD 或 HDD）中的數(shù)據(jù)會保留。
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2023 年全球半導(dǎo)體收入將下降 11%

經(jīng)濟逆風(fēng)持續(xù)。
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西部數(shù)據(jù)宣布進一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%

IT之家 2 月 7 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報道，在內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進一步縮減設(shè)備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績電話會議上表示，2023 財年設(shè)備投資總額將達到 23 億美元（當前約 156.17 億元人民幣）。據(jù)IT之家了解，這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
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瀾起科技：計劃年內(nèi)完成 CKD 芯片量產(chǎn)版本研發(fā)并實現(xiàn)出貨

IT之家 2 月 6 日消息，據(jù)瀾起科技披露的投資者關(guān)系活動記錄，瀾起科技近日在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，公司 2022 年 9 月宣布在業(yè)界率先推出 DDR5 第一子代時鐘驅(qū)動器（簡稱 CKD 芯片）工程樣片，并已送樣給業(yè)界主流內(nèi)存廠商，該產(chǎn)品將用于新一代臺式機和筆記本電腦內(nèi)存。據(jù)介紹，在 DDR5 初期，桌面端臺式機和筆記本電腦的 UDIMM、SODIMM 模組需要搭配一顆 PMIC 和一顆 SPD，暫不需要 CKD 芯片。當 DDR5 數(shù)據(jù)速率達到 6400MT / s 及以上時，PC 端內(nèi)存如
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SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存：超越DDR5-4800 80％！

SK海力士宣布，已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存，起步速率就可以達到8Gbps，相比于標準的DDR5-4800快了多達80％，也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù)，通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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瀾起科技：DDR5 世代內(nèi)存模組配套芯片需求將大幅增加

IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)瀾起科技今日披露的投資者關(guān)系活動記錄，瀾起科技在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，隨著 DDR5 相關(guān)產(chǎn)品滲透率的穩(wěn)步提升，2022 年第三季度公司的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片收入均有所增長，從而推動互連類芯片產(chǎn)品線業(yè)務(wù)的增長。據(jù)介紹，內(nèi)存接口及模組配套芯片的需求量和服務(wù)器內(nèi)存模組的數(shù)量呈正相關(guān)。行業(yè)對內(nèi)存容量的需求是持續(xù)增加的，為滿足內(nèi)存容量的增長需求，主要通過兩種方式來實現(xiàn)，一是提升內(nèi)存顆粒密度，二是增加內(nèi)存模組數(shù)量。如果在一定時期內(nèi)存顆粒密度提升放緩，則內(nèi)存容量增
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等等黨又贏了內(nèi)存價格還要再跌半年：2023年下半年有望反彈

早買早享受，晚買享折扣，這是電子產(chǎn)品的通用規(guī)律，2022年最值得買的電子就是存儲產(chǎn)品了，不論內(nèi)存還是SSD硬盤都在跌價，廠商的日子很難過，但是消費者確實撿到便宜了，只不過這個日子不會一直持續(xù)下去。內(nèi)存價格從去年底到現(xiàn)在跌了快一年了，什么時候止跌反彈？這是行業(yè)內(nèi)廠商都在期盼的大事，Q3季度中內(nèi)存價格跌了30%，導(dǎo)致美光、SK海力士等公司大砍資本支出，削減產(chǎn)能， 2023年內(nèi)存位元容量可能不會增加，甚至?xí)形⒎禄２贿^此前的舉動并沒有推動內(nèi)存價格止跌，由于需求下滑得實在厲害，10月到現(xiàn)在價格還是在
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1TB降到100元可期！SSD還要降價原廠顆粒賣不動：內(nèi)存閃存市場價繼續(xù)走跌

很顯然內(nèi)存市場的需求依然很淡，不少消費者依然沒有出手，當然還是覺得廠商能繼續(xù)降價。調(diào)研機構(gòu)TrendForce現(xiàn)發(fā)布了最新的研究報告，表明目前DRAM現(xiàn)貨報價仍在保持下跌的趨勢，主要買家對未來皆抱持跌價心態(tài)，整體市況仍因大環(huán)境因素影響價格難以止跌。具體來說：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE報價下調(diào)至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進 1β 工藝，15% 能效提升

IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進 1β 工藝，正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領(lǐng)先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個 die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡介】　　在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細 ]