內(nèi)存文章最新資訊

英偉達被曝研發(fā) SOCAMM 內(nèi)存：694 個 I/O 端口突破 AI 計算瓶頸

2 月 18 日消息，科技媒體 WccFTech 昨日（2 月 17 日）發(fā)布博文，報道稱英偉達正積極研發(fā)名為“SOCAMM”的全新內(nèi)存模塊，主要用于 Project DIGITS 等個人 AI 超級計算機，可在性能方面帶來巨大飛躍。該模塊不僅體積小巧，而且功耗更低，性能更強，有望成為內(nèi)存市場的新增長點。目前正與三星電子、SK 海力士和美光等內(nèi)存廠商進行 SOCAMM 原型機的性能測試，預(yù)計最快將于今年年底實現(xiàn)量產(chǎn)。援引博文介紹，SOCAMM 擁有最多 694 個 I/O 端口，遠(yuǎn)超 PC DRAM 和
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新一代HBM來了！NVIDIA主導(dǎo)開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM：可拆卸升級成人中指大小

2月17日消息，據(jù)BK最新報道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內(nèi)的主要內(nèi)存半導(dǎo)體公司進行秘密談判，合作開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM，并推動其商業(yè)化。16日，業(yè)內(nèi)人士證實了這一消息。此舉標(biāo)志著內(nèi)存半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)變，對B2B服務(wù)器市場和蓬勃發(fā)展的設(shè)備端AI領(lǐng)域都有潛在影響。據(jù)悉，SOCAMM被譽為新一代HBM（高帶寬存儲器），是系統(tǒng)級芯片高級內(nèi)存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內(nèi)存模塊，可極大增強個人AI超級計算機的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現(xiàn)有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
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通過 SDRAM 調(diào)整提升樹莓派的性能

樹莓派工程師調(diào)整了 Pi 的 SDRAM 時序和其他內(nèi)存設(shè)置，在默認(rèn)的 2.4 GHz 時鐘下實現(xiàn)了 10-20%的速度提升。我當(dāng)然要測試超頻，這讓我在 3.2 GHz 時獲得了 32% 的速度提升！這些更改可能很快就會在所有 Pi 5 和 Pi 4 用戶的固件更新中推出。樹莓派的工程師們正在進一步調(diào)整內(nèi)存時序，他們與美光公司進行了溝通，并實施了一系列小的調(diào)整，這些調(diào)整——連同 NUMA 模擬——真正為多核工作負(fù)載帶來了性能提升。甚至對單核也有小小的改進！SDRAM 刷新間隔目前使用默認(rèn)數(shù)據(jù)表設(shè)置。實際上
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?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存，美光成為首要供應(yīng)商

三星Galaxy S25系列可能會選擇美光作為第一內(nèi)存供應(yīng)商，而非自家的產(chǎn)品。這一決定標(biāo)志著三星在旗艦智能手機中首次沒有優(yōu)先使用自家的內(nèi)存解決方案，這也讓外界對三星內(nèi)存技術(shù)的競爭力產(chǎn)生了質(zhì)疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機中的第二內(nèi)存供應(yīng)商，這次卻打敗三星成為了第一供應(yīng)商，似乎折射出內(nèi)部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報道指出因良率問題，三星DS（設(shè)備解決方案）部門未能按時足量向三星MX（移動體驗）部門交付Galaxy S25系列手機開發(fā)所需的LPDDR5X內(nèi)存樣品，導(dǎo)致MX部門的手
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LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)即將敲定：適應(yīng)AI計算新需求

隨著人工智能技術(shù)的廣泛應(yīng)用，移動產(chǎn)品對內(nèi)存性能的需求日益增長，尤其需要相較LPDDR5X更為高效的數(shù)據(jù)處理能力以支撐端側(cè)AI模型的運行。一直懸而未決的LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)也進入最終的敲定期，預(yù)計到2025年下半年我們有望看到采用新一代LPDDR6的產(chǎn)品上市。此前有報道稱，高通第四代驍龍8平臺將支持LPDDR6，以進一步提升定制Oryon內(nèi)核的性能。LPDDR6帶來了哪些變化？目前，LPDDR最新的主流版本是LPDDR5（6.4Gbps），于2019年2月發(fā)布。之后，業(yè)界又陸續(xù)發(fā)布了小幅更新、改進版的LPDDR
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英偉達展望未來 AI 加速器：集成硅光子 I/O，3D 垂直堆疊 DRAM 內(nèi)存

12 月 10 日消息，2024 IEEE IEDM 國際電子設(shè)備會議目前正在美國加州舊金山舉行。據(jù)分析師 Ian Cutress 的 X 平臺動態(tài)，英偉達在本次學(xué)術(shù)會議上分享了有關(guān)未來 AI 加速器的構(gòu)想。英偉達認(rèn)為未來整個 AI 加速器復(fù)合體將位于大面積先進封裝基板之上，采用垂直供電，集成硅光子 I/O 器件，GPU 采用多模塊設(shè)計，3D 垂直堆疊 DRAM 內(nèi)存，并在模塊內(nèi)直接整合冷板。IT之家注：Ian Cutress 還提到了硅光子中介層，但相關(guān)內(nèi)容不在其分享的圖片中。在英偉達給出的模型中，每個
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SK 海力士新設(shè) AI 芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施（CMO）、未來技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門。據(jù)介紹，新設(shè)的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
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消息稱三星和 SK 海力士達成合作，聯(lián)手推動 LPDDR6-PIM 內(nèi)存

12 月 3 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 昨日報道，三星電子和 SK 海力士正在合作標(biāo)準(zhǔn)化 LPDDR6-PIM 內(nèi)存產(chǎn)品。該合作伙伴關(guān)系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標(biāo)準(zhǔn)化。報道提到，兩家公司已經(jīng)確定，有必要建立聯(lián)盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進行向聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會（JEDEC）注冊標(biāo)準(zhǔn)化的初步工作。目前正在討論每一個需要標(biāo)準(zhǔn)化項目的適當(dāng)規(guī)格?！?圖源三星PIM 內(nèi)存技術(shù)是一種將存儲和計
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老對頭三星、SK海力士結(jié)盟！聯(lián)手推動LPDDR6-PIM內(nèi)存

12月2日消息，據(jù)韓國媒體報道，在全球內(nèi)存市場上長期競爭的三星電子和SK海力士，近日出人意料地結(jié)成聯(lián)盟，共同推動LPDDR6-PIM內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)化。這也意味著兩家公司在面對AI內(nèi)存技術(shù)商業(yè)化的共同挑戰(zhàn)時，愿意擱置競爭，共同推動行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優(yōu)化的低功耗內(nèi)存技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化進程，以適應(yīng)設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的發(fā)展。隨著設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的興起，PIM內(nèi)存技術(shù)越來越受到重視。PIM技術(shù)通過將存儲和計算結(jié)合，直接在存儲單元進行計算，有效解決了傳統(tǒng)芯片在運行AI算法時的“存儲墻”和“功耗墻
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SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存，明年初出樣

11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預(yù)計明年初出樣。雖然一般認(rèn)為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會正式商用，但參考內(nèi)存領(lǐng)域 IP 企業(yè) Rambus 的文章，HBM3E 也有擴展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學(xué)術(shù)會議準(zhǔn)備的論文中也提到了可實現(xiàn) 1280G
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芝奇與華碩突破 DDR5-12112 內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄

10 月 30 日消息，芝奇國際今日宣布再度刷新內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績，通過液態(tài)氮極限超頻技術(shù)，創(chuàng)下 DDR5-12112 的超頻紀(jì)錄。該紀(jì)錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內(nèi)存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤產(chǎn)品

10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦高利潤產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資，同時月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競爭對手。同時，SK 海力
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TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩，AI SSD 推動營收環(huán)比增長 14%

IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報告指出，由于服務(wù)器終端庫存調(diào)整接近尾聲，加上 AI 推動了大容量存儲產(chǎn)品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高，導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷售單價上漲了 15%，總營收達 167.96 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實現(xiàn)環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下：三星：第二季時積極回應(yīng)客戶對
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消息稱三星 1b nm 移動內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機開發(fā)

IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進 1b nm LPDDR 移動內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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TrendForce：內(nèi)存下半年價格恐摔

根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費型電子需求未如預(yù)期回溫，中國大陸地區(qū)的智能型手機，出現(xiàn)整機庫存過高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導(dǎo)致以消費型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價走弱，第二季價格較第一季下跌超過30％。盡管現(xiàn)貨價至8月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性內(nèi)存市場正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡介】　　在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細(xì) ]