內(nèi)存文章最新資訊

美光預(yù)計愛達(dá)荷州、紐約州新晶圓廠分別于 2027、2028 財年投運(yùn)

IT之家 6 月 28 日消息，美光在業(yè)績演示文稿中表示，其位于美國愛達(dá)荷州博伊西總部和紐約州克萊的新 DRAM 內(nèi)存晶圓廠將分別于 2027、2028 財年正式投運(yùn)：譯文：愛達(dá)荷州晶圓廠要到 2027 財年才會帶來有意義的位元供應(yīng)，而紐約（州）的建設(shè)資本支出預(yù)計要到 2028 財年或更晚才會帶來位元供應(yīng)的增長。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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三星 Q3內(nèi)存喊漲15～20％

據(jù)韓媒報導(dǎo)，隨著AI應(yīng)用熱度不減，三星電子日前告知戴爾、慧與（HPE）等主要客戶，將在第三季提高服務(wù)器用的DRAM和企業(yè)級NAND閃存的價格15～20％。臺系內(nèi)存模塊大廠聞訊分析，三星此舉主要趁著第三季電子產(chǎn)業(yè)旺季來臨前率先喊漲，以期拉抬目前略顯疲軟的現(xiàn)貨價行情，但合約價實際成交價格，仍需視市場供需而定。以位產(chǎn)出市占率來看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分別是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根據(jù)外電報導(dǎo)指出，三星電子第二季已將供應(yīng)給企業(yè)的NAND閃存價格，調(diào)
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內(nèi)存市場將迎來「超級周期」，產(chǎn)業(yè)資本的饕餮盛宴

HBM 商機(jī)稍縱即逝，需要抓緊時間。
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有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D

IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟(jì)日報》報道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報道同時指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進(jìn)封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報道
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中國臺灣AI關(guān)鍵組件的發(fā)展現(xiàn)況與布局

就人工智能（AI）裝置的硬件來看，關(guān)鍵的零組件共有四大塊，分別是邏輯運(yùn)算、內(nèi)存、PCB板、以及散熱組件。他們扮演著建構(gòu)穩(wěn)定運(yùn)算處理的要角，更是使用者體驗?zāi)芊駜?yōu)化的重要輔助。而隨著AI大勢的來臨，中國臺灣業(yè)者也已做好準(zhǔn)備，準(zhǔn)備在這些領(lǐng)域上大展拳腳。邏輯組件扮樞紐中國臺灣IC設(shè)計有商機(jī)對整個AI運(yùn)算來說，最關(guān)鍵就屬于核心處理組件的部分。盡管中國臺灣沒有強(qiáng)大的CPU與GPU技術(shù)供貨商，但在AI ASIC芯片設(shè)計服務(wù)與IP供應(yīng)方面，則是擁有不少的業(yè)者，而且其中不乏領(lǐng)頭羊的先進(jìn)業(yè)者。在AI ASIC芯片設(shè)計方面，
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美光：GDDR7內(nèi)存已正式送樣

6月5日，美光科技宣布出樣業(yè)界容量密度最高的新一代GDDR7顯存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技術(shù)和創(chuàng)新架構(gòu)，速率高達(dá)32Gb/s。性能上，GDDR7的系統(tǒng)帶寬超過1.5TB/s，較GDDR6提升高達(dá)60%，并配備四個獨(dú)立通道以優(yōu)化工作負(fù)載，從而實現(xiàn)更快的響應(yīng)時間、更流暢的游戲體驗和更短的處理時間。與GDDR6相比，美光GDDR7的能效提升超過50%，實現(xiàn)了更優(yōu)的散熱和續(xù)航；全新的睡眠模式可將待機(jī)功耗降低高達(dá)70%。美光GDDR7還具備領(lǐng)先的可靠性、可用性及適用性（RAS），在不影響性
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DDR6內(nèi)存新標(biāo)準(zhǔn)將上線

據(jù)JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會）消息，DDR6（包括LPDDR6）已明確會以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。DDR6內(nèi)存最低頻率8800MHz，可提高至17.6GHz，理論最高可以推進(jìn)至21GHz，遠(yuǎn)超DDR4和DDR5內(nèi)存。CAMM2是一種全新內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，同樣支持DDR6標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，也就是適用于臺式PC等大型PC設(shè)備。JEDEC預(yù)計，將在今年內(nèi)完成DDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的初步草稿，1.0正式版最快也要到明年二季度，具體產(chǎn)品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。從LPDDR6來看，該內(nèi)存產(chǎn)
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NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU：3nm工藝配下代HBM4內(nèi)存

6月2日消息，臺北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構(gòu)，以及全新CPU+GPU二合一超級芯片，一直規(guī)劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅持?jǐn)?shù)據(jù)中心規(guī)模、一年節(jié)奏、技術(shù)限制、一個架構(gòu)的路線，也就是使用統(tǒng)一架構(gòu)覆蓋整個數(shù)據(jù)中心GPU產(chǎn)品線，并最新最強(qiáng)的制造工藝，每年更新迭代一次。NVIDIA現(xiàn)有的高性能GPU架構(gòu)代號"Blackwell"，已經(jīng)投產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品今年陸續(xù)上市，包括用于HPC/AI領(lǐng)域的B200/GB200、用于游
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南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)

IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經(jīng)濟(jì)日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進(jìn)入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進(jìn)行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進(jìn)一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點(diǎn)規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
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整合計算和高速緩存功能，SK 海力士探索 HBM4E 新封裝方案

IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計劃在 HBM4E 內(nèi)存中集成更多功能，從而將 HBM 產(chǎn)業(yè)推向一個新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內(nèi)存，嘗試推出可以整合計算、高速緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲器等多種功能的 HBM 類型，進(jìn)一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報道，該方案目前依然停留在概念階段，不過 SK 海力士已經(jīng)著手設(shè)計相關(guān) IP 朝著這個目標(biāo)邁進(jìn)。SK 海力士計劃在 HBM 上集成內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器置于其 HBM 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)芯片上，賦予第
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存儲龍頭計劃興建新工廠！

近期，日媒報道美光科技計劃在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片，美光計劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動工，并安裝EUV設(shè)備，最快2027年投入運(yùn)營。據(jù)悉，美光曾計劃該工廠能在2024年投入使用，然而由于當(dāng)前市場環(huán)境的挑戰(zhàn)和不確定性，美光調(diào)整了原定的時間表。近年日本積極出臺補(bǔ)貼政策吸引半導(dǎo)體大廠赴日建廠，美光同樣可以獲得補(bǔ)貼。2023年10月，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正式宣布，將為美光科技在廣島工廠的存儲芯片項目提供高達(dá)1920億日元的補(bǔ)貼，以支持在日研發(fā)下一代芯片。
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三星否認(rèn)HBM3E品質(zhì)問題，聲明巧妙回避

有報導(dǎo)稱，三星的高頻寬存儲器（HBM）產(chǎn)品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質(zhì)測試，三星對此否認(rèn)。韓媒BusinessKorea報導(dǎo)稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應(yīng)測試，強(qiáng)調(diào)將繼續(xù)合作，確保品質(zhì)和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應(yīng)，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴(yán)格測試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能，以便為客戶提供最佳解決方案?！比墙陂_始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設(shè)備。外媒Tom′s Har
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業(yè)界預(yù)測：LPDDR6的帶寬將增加一倍以上？

當(dāng)前低功耗問題仍是業(yè)界關(guān)心重點(diǎn)。根據(jù)國際能源署(IEA)最近報告顯示，考慮到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次請求消耗2.9Wh，每天進(jìn)行90億次搜索，每年需要額外消耗10太瓦時(TWh)的電力。從預(yù)計銷售的AI服務(wù)器需求來看，到2026年，AI行業(yè)可能會呈指數(shù)級增長，消耗的電力需求至少是去年的十倍。德州儀器首席技術(shù)官Ahmad Bahai此前表示，最近，除了云端之外，AI服務(wù)還轉(zhuǎn)向移動和PC設(shè)備，這導(dǎo)致功耗激增，因此這是一個關(guān)鍵的討論話題。因應(yīng)市場需求，目前業(yè)界正積極致力于
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SK 海力士出席戴爾科技全球峰會，展示 PVC10 固態(tài)硬盤等存儲新品

IT之家 5 月 22 日消息，在北京時間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會上，SK 海力士帶來了多款存儲領(lǐng)域新品，涵蓋內(nèi)存、固態(tài)硬盤品類。在消費(fèi)級固態(tài)硬盤領(lǐng)域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態(tài)硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規(guī)格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規(guī)格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無法確認(rèn) PVC10 的具體讀寫性能，預(yù)計將強(qiáng)于此前推出的 BC901。而在企業(yè)級固態(tài)硬盤方面，SK 海力
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美光：已基本完成 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判，相關(guān)訂單價值數(shù)十億美元

IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會議活動上表示，美光 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判基本完成。美光高管代表宣稱，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規(guī)模和價格。美光預(yù)計 HBM 內(nèi)存將在其截至 2024 年 9 月的本財年中創(chuàng)造數(shù)億美元量級的營收，而在 25 財年相關(guān)業(yè)務(wù)的銷售額將增加到數(shù)十億美元。美光預(yù)測，未來數(shù)年其 HBM 內(nèi)存位元產(chǎn)能的復(fù)合年增長率將達(dá)到 50%。為了應(yīng)對 HBM 領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求，美光調(diào)升了本財年資本支出的預(yù)計規(guī)模，從 75~80 億美
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡介】　　在計算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機(jī)來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細(xì) ]