SEMI在敦促美國(guó)政府修訂半導(dǎo)體設(shè)備出口管制清單上取得突破性進(jìn)展。據(jù)悉，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局(BIS)即日將正式發(fā)文宣布，認(rèn)可國(guó)外(中國(guó))存在各向異性等離子干法刻蝕設(shè)備，這類設(shè)備在ECCN編號(hào)為3B001.c。BIS將表明，中國(guó)有和美國(guó)ECCN3B001.c性能相當(dāng)?shù)目涛g設(shè)備技術(shù)能力，因此，基于這項(xiàng)編碼的美國(guó)國(guó)家安全出口管制將失效。

　　這一禁令已經(jīng)持續(xù)20多年，取消這條禁令十分必要，這可以充分證明中國(guó)本土公司已經(jīng)可以制造出與美國(guó)公司性能相當(dāng)?shù)?a class="contentlabel" href="http://www.bjwjmy.cn/news/listbylabel/label/半導(dǎo)體">半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備。同時(shí)，也為瓦森納協(xié)議(Wassenaar Arrangement)在全球貿(mào)易中解除相關(guān)管制條例做好了準(zhǔn)備。

　　SEMI長(zhǎng)期以來(lái)一直敦促美國(guó)政府修訂出口管制清單，支持自由貿(mào)易和開(kāi)放市場(chǎng)，促進(jìn)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。而這次突破性進(jìn)展除了對(duì)中國(guó)企業(yè)的認(rèn)可外，對(duì)于美國(guó)和日本的主要設(shè)備供應(yīng)商也是一個(gè)大的利好。

　　背景

　　2014年7月16日，半導(dǎo)體設(shè)備和材料協(xié)會(huì)(SEMI)向BIS申請(qǐng)，表示中國(guó)存在有各向異性等離子干蝕刻設(shè)備，這類型的設(shè)備在美國(guó)ECCN出口管制制度中編號(hào)為3B001.c。它用在雙重用途的半導(dǎo)體設(shè)備制造過(guò)程，例如閃存、微波單片集成電路、晶體管以及模擬 - 數(shù)字轉(zhuǎn)換器。這些設(shè)備用于民用和軍事應(yīng)用，例如雷達(dá)、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電通信、微處理器、蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施和衛(wèi)星通信。SEMI認(rèn)為，中國(guó)同等質(zhì)量的各向異性等離子干法刻蝕設(shè)備足以使美國(guó)ECCN 3B001.c類別的出口管制失效。

　　SEMI提交該提案之后， BIS于2014年9月8日正式啟動(dòng)評(píng)估。BIS收集的數(shù)據(jù)分析結(jié)果通過(guò)了評(píng)估，表明中國(guó)有和美國(guó)ECCN3B001.c質(zhì)量一致的刻蝕設(shè)備，這樣，基于這項(xiàng)編碼的美國(guó)國(guó)家安全出口管制將失效。