據(jù)SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國利川M16工廠成功引進了業(yè)界首款量產(chǎn)型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV），并舉行了設(shè)備入廠慶祝儀式。

此次引進的設(shè)備為荷蘭ASML公司開發(fā)的TWINSCAN EXE:5200B，是全球首款量產(chǎn)型High-NA EUV設(shè)備。相比現(xiàn)有EUV設(shè)備（NA 0.33），其光學(xué)性能（NA 0.55）提升了40%，能夠繪制精密度高達1.7倍的電路圖案，同時將芯片集成度提升2.9倍。這一技術(shù)突破將顯著推動半導(dǎo)體制造向更微細化和高集成度方向發(fā)展。

SK海力士自2021年在第四代10納米級（1a）DRAM中首次引入EUV技術(shù)以來，不斷優(yōu)化先進DRAM制造工藝。然而，隨著市場對高性能存儲器需求的增加，僅依賴現(xiàn)有技術(shù)已無法滿足未來需求。

SK海力士表示，通過High-NA EUV設(shè)備的應(yīng)用，公司將簡化現(xiàn)有工藝流程，加快研發(fā)速度，從而在產(chǎn)品性能和成本控制方面保持競爭力。此舉不僅有助于鞏固其在高附加值存儲器市場的地位，還將進一步強化其技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力。

在設(shè)備入廠儀式上，ASML韓國公司總經(jīng)理金丙燦、SK海力士CTO車宣龍副社長等高層領(lǐng)導(dǎo)出席。金丙燦表示，High-NA EUV技術(shù)是推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的關(guān)鍵，ASML將與SK海力士緊密合作，共同推動技術(shù)創(chuàng)新。車宣龍則強調(diào)，該設(shè)備的引入為公司未來技術(shù)發(fā)展奠定了重要基礎(chǔ)，將助力SK海力士在AI和新一代計算市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。