據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領域，導致對NAND的投資負擔加重。

三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進轉(zhuǎn)換投資，主要將第6、7代NAND升級至第8、9代。這種轉(zhuǎn)換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現(xiàn)有設備，效率較高。然而，近期三星針對最先進NAND的轉(zhuǎn)換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉(zhuǎn)換投資已傳出延后消息，原計劃最快在2025年第二季度啟動，但目前尚未落實。

西安廠的情況類似，第8代轉(zhuǎn)換的X1產(chǎn)線已接近投資尾聲，而第9代轉(zhuǎn)換的X2產(chǎn)線僅計劃在2025年第三季度進行每月5,000片規(guī)模的投資，這已接近存儲器量產(chǎn)的最低門檻。業(yè)內(nèi)人士透露，三星計劃在2026年第一季度前，繼續(xù)在X2產(chǎn)線量產(chǎn)舊時代的V6 NAND，因此第9代的轉(zhuǎn)換預計要到2026年中期才會正式展開。

此外，三星在次世代NAND及新技術投資方面也保持謹慎態(tài)度。原計劃在西安X2產(chǎn)線率先導入V9 NAND的混合鍵合技術，但近期已決定取消，并計劃從400層以上的第10代NAND（V10）起正式導入。不過，V10的量產(chǎn)投資預計最快也要到2026年中期。

SK海力士同樣將大部分資金集中于最先進的DRAM和高帶寬存儲器（HBM）領域。由于其在V10 NAND的開發(fā)進度落后于三星，短期內(nèi)也難以期待新的投資。SK海力士在2025年第二季度財報會議中表示，NAND投資將依據(jù)下游需求情況，維持審慎步調(diào)，并以提升獲利性為核心目標。