隨著下一代 HBM 的競爭加劇，內(nèi)存巨頭正在為 NVIDIA 的 Rubin 的需求激增做準備。根據(jù) ZDNet 的報道，NVIDIA 計劃在 2026 年第一季度完成 HBM4 最終資格測試。然而，EE Times 指出，隨著美國芯片制造商在 GPU 開發(fā)方面迅速前進，標準難以跟上步伐，定制 HBM 解決方案對于與 GPU 和加速器推出保持一致至關重要。

EE Times 援引 Advantest 高級總監(jiān)、內(nèi)存產(chǎn)品營銷經(jīng)理 Jin Yokoyama 的話指出，與過去需要四到五年才能完成的內(nèi)存轉型不同，HBM 的代際更迭現(xiàn)在每兩年到兩年半就能完成。

該報告還援引 Marvell 高級總監(jiān)、產(chǎn)品營銷主管 Khurram Malik 的話稱，由于機器人、傳感器和其他物聯(lián)網(wǎng)（IoT）邊緣設備的指數(shù)級數(shù)據(jù)增長，HBM 的傳統(tǒng)線性發(fā)展模式已被打破，HBM4E 在 JEDEC 發(fā)布 HBM3 規(guī)范后的三年內(nèi)就已上市。

這種情況與 TrendForce 的預測相符，該預測顯示，到 2025 年，HBM3e 在總 HBM 產(chǎn)量中的份額預計將大幅增至 96%，而 2024 年的份額僅為 45%。值得注意的是，2023 年 HBM3e 的產(chǎn)量比例為零。

英偉達在 GPU 加速期間推動更快 HBM 迭代

因此，正如 EE Times 所指出的那樣，傳統(tǒng)上受 JEDEC 標準約束的 HBM 現(xiàn)在正面臨定制需求，隨著 SoC 供應商和超大規(guī)模計算公司為 AI ASIC 和定制 SoC 優(yōu)化功能。報告建議，更多邏輯和控制功能正遷移到由臺積電等晶圓廠使用 3nm 和 5nm 工藝生產(chǎn)的 HBM 基礎芯片上。

EE Times 援引 Marvell 報道稱，英偉達正加速其 GPU 發(fā)布周期，計劃每代 doubles 記憶帶寬和容量。由于 JEDEC 標準落后，這家美國芯片巨頭因此轉向定制 HBM 解決方案。

與此趨勢一致，韓國媒體《韓民族日報》報道稱，英偉達正通過在 2027 年下半年開始設計 HBM 基礎芯片，來加強其在 HBM 價值鏈中的地位。