據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)正在為其 2027 年的生產(chǎn)開發(fā)自己的 HBM 基板，內(nèi)存巨頭的基板制造從 DRAM 轉(zhuǎn)移到晶圓廠工藝的焦點(diǎn)。據(jù)韓國的 Digital Daily 報(bào)道，美光可能采取了最謹(jǐn)慎的做法，由于成本問題，將推遲到 HBM4e 才轉(zhuǎn)移到晶圓廠。

報(bào)道解釋說，直到 HBM3e，基板都是使用 DRAM 工藝制造的，因?yàn)?DRAM 制造商自己設(shè)計(jì)了邏輯，并在自己的 DRAM 線上生產(chǎn)。然而，平面 DRAM 工藝在速度、信號(hào)完整性和能效方面落后于晶圓廠的 FinFET 技術(shù)，促使內(nèi)存制造商進(jìn)行轉(zhuǎn)換，正如 Digital Daily 所述。

因此，Digital Daily 注意到三星和 SK 海力士正將基板晶圓生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到代工廠工藝，從 HBM4 開始，以應(yīng)對(duì)高性能計(jì)算中的散熱、信號(hào)延遲和電源效率問題。相比之下，美光計(jì)劃繼續(xù)通過 DRAM 工藝生產(chǎn)基板晶圓至 HBM4，僅在 HBM4e 時(shí)才轉(zhuǎn)向臺(tái)積電代工廠，報(bào)道補(bǔ)充道。

雖然這一轉(zhuǎn)變可能反映了美光的短期效率關(guān)注和成本節(jié)約，但 Digital Daily 警告說，隨著轉(zhuǎn)向代工廠工藝成為必然，該公司面臨落后的風(fēng)險(xiǎn)。

報(bào)道中引用的分析師指出，三星和 SK 海力士正在積極采用代工廠工藝，因?yàn)閬碜?NVIDIA 和 AMD 等關(guān)鍵 GPU 客戶的需求已經(jīng)超出了傳統(tǒng) DRAM 工藝的性能。美光的立場最終可能會(huì)削弱其在競爭性能驅(qū)動(dòng)型客戶（如 NVIDIA）時(shí)的地位，報(bào)道指出。

代工廠轉(zhuǎn)變給基板晶圓生產(chǎn)成本帶來壓力

另一方面，《商業(yè)郵報(bào)》關(guān)注到 SK 海力士和美光將不得不依賴臺(tái)積電的高端晶圓代工服務(wù)來生產(chǎn)基板。先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的成本高昂可能會(huì)將他們的 HBM 價(jià)格推高到三星之上，而三星則有望從其內(nèi)部生產(chǎn)能力中獲益潛在的成本優(yōu)勢。

根據(jù)《商業(yè)郵報(bào)》援引行業(yè)消息人士稱，臺(tái)積電生產(chǎn)的邏輯芯片可能占 SK 海力士總 HBM4 生產(chǎn)成本的 20%。