隨著存儲器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產(chǎn)品，混合鍵合技術(shù)越來越受到關(guān)注。根據(jù) ZDNet 的一份報(bào)告，韓國三星電子和SK海力士在關(guān)鍵專利方面仍然落后。該報(bào)告強(qiáng)調(diào)，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關(guān)專利相對較少，大幅低于競爭對手長江存儲。

據(jù)報(bào)道，三星電子已與長江存儲簽署了一項(xiàng)許可協(xié)議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術(shù)。此舉反映了三星希望規(guī)避長江存儲的專利的挑戰(zhàn)，這些專利被認(rèn)為難以避免。

報(bào)告指出，長江存儲在其“Xtacking”品牌下大規(guī)模生產(chǎn)基于混合鍵合的NAND已有大約四年的時間。該公司采用晶圓到晶圓 （W2W） 方法，在單獨(dú)的晶圓上制造存儲單元和外圍電路，并將它們粘合到單個芯片中。根據(jù)ZDNet從法國專利分析公司 KnowMade 獲得的數(shù)據(jù)，長江存儲從2017年開始累計(jì)披露了119項(xiàng)混合鍵合相關(guān)專利。相比之下，三星電子盡管在2015年早些時候開始申請，但到2023年底只有83項(xiàng)專利。SK海力士于2020 年開始提交申請，僅披露了11例。目前大部分混合鍵合專利由 Xperi、長江村和臺積電持有。

像TC鍵合這樣的傳統(tǒng)方法面臨著在16-high以上工藝HBM產(chǎn)品的良率挑戰(zhàn)。相比之下，混合鍵合可實(shí)現(xiàn)更薄的堆棧、更多的層數(shù)、更少的信號損失和更好的良率。這些優(yōu)勢對于目前HBM的領(lǐng)導(dǎo)者 SK 海力士來說尤為重要。Sedaily 表示，三星的目標(biāo)是在今年年底前生產(chǎn) 12 層HBM4，并正在積極研究混合鍵合。據(jù)說該公司還與其設(shè)備子公司SEMES合作，以支持該技術(shù)的發(fā)展。

據(jù) TrendForce 集邦咨詢稱，DRAM行業(yè)對HBM產(chǎn)品的關(guān)注正越來越多地將注意力轉(zhuǎn)向混合鍵合等先進(jìn)封裝技術(shù)。主要的 HBM 制造商正在考慮是否為 HBM4 16hi 堆棧產(chǎn)品采用混合鍵合，但已確認(rèn)計(jì)劃在HBM5 20hi堆棧中實(shí)施該技術(shù)。