混合鍵合文章進(jìn)入混合鍵合技術(shù)社區(qū)

三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合

三星計(jì)劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術(shù)，以減少熱量并實(shí)現(xiàn)超寬內(nèi)存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導(dǎo)體論壇上透露。相比之下，該公司的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士可能會(huì)推遲采用混合鍵合技術(shù)，EBN 報(bào)道。高帶寬內(nèi)存（HBM）將多個(gè)存儲(chǔ)器件堆疊在基礎(chǔ)芯片上。目前，HBM 堆棧中的內(nèi)存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數(shù)據(jù)、電源和控制信號(hào)）連接在一起，并使用模塑底部填充質(zhì)量回流（MR-MUF）或使用非導(dǎo)電膜（TC-NCF）的熱壓縮等技術(shù)進(jìn)行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個(gè)晶粒內(nèi)的硅通孔
關(guān)鍵字：三星 HBM4 內(nèi)存混合鍵合

隨著存儲(chǔ)器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產(chǎn)品，混合鍵合技術(shù)越來越受到關(guān)注。根據(jù) ZDNet 的一份報(bào)告，韓國三星電子和SK海力士在關(guān)鍵專利方面仍然落后。該報(bào)告強(qiáng)調(diào)，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關(guān)專利相對(duì)較少，大幅低于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手長(zhǎng)江存儲(chǔ)。據(jù)報(bào)道，三星電子已與長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署了一項(xiàng)許可協(xié)議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術(shù)。此舉反映了三星希望規(guī)避長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利的挑戰(zhàn)，這些專利被認(rèn)為難以避免。報(bào)告指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在其“Xtacking”品牌下大規(guī)模生產(chǎn)基于混合鍵合的NAND已有大約四年
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 混合鍵合三星 SK海力士

近日，三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨(dú)立的硅片上制造，因此需要長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
關(guān)鍵字：三星長(zhǎng)江存儲(chǔ) NAND 混合鍵合晶棧 Xtacking 閃存

上周，IEEE電子元件與技術(shù)會(huì)議（ECTC）的研究人員推動(dòng)了一項(xiàng)對(duì)尖端處理器和存儲(chǔ)器至關(guān)重要的技術(shù)。該技術(shù)被稱為混合鍵合，將兩個(gè)或多個(gè)芯片堆疊在同一封裝中，使芯片制造商能夠增加其處理器和存儲(chǔ)器中的晶體管數(shù)量，盡管曾經(jīng)定義摩爾定律的傳統(tǒng)晶體管收縮速度普遍放緩。來自主要芯片制造商和大學(xué)的研究小組展示了各種艱苦奮斗的改進(jìn)，包括應(yīng)用材料公司、Imec、英特爾和索尼在內(nèi)的一些研究小組顯示的結(jié)果可能導(dǎo)致3D堆疊芯片之間的連接密度達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的密度，即在一平方毫米的硅中約有700萬個(gè)鏈接。Imec設(shè)法在每2微米放置一次的
關(guān)鍵字：混合鍵合 3D芯片

共4條 1/1 1

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條混合鍵合!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)混合鍵合的理解，并與今后在此搜索混合鍵合的朋友們分享。創(chuàng)建詞條