據韓國媒體ZDNet Korea報道，三星電子在2025年2月左右已提前開始量產12層堆疊的HBM3E高帶寬內存，但尚未通過GPU巨頭英偉達的認證，因此目前無法向其供貨。這一決定讓三星面臨積累大量庫存的風險。
市場消息人士透露，三星對其12層堆疊HBM3E的性能和穩(wěn)定性充滿信心，認為能夠順利通過英偉達的認證流程。提前量產的策略旨在通過認證后快速供貨，助力實現2025年HBM出貨量達到2024年兩倍的目標。
目前，英偉達最新的AI芯片主要采用SK海力士供應的12層堆疊HBM3E。SK海力士憑借其在HBM市場的主導地位，今年一季度超越三星，成為全球第一大DRAM芯片供應商。數據顯示，SK海力士一季度營收達17.6萬億韓元，同比增長41.9%，營業(yè)利潤達7.4萬億韓元，同比增長157.8%。
相比之下，三星半導體業(yè)務的利潤持續(xù)下滑。2024年第二季度，三星半導體事業(yè)部的營業(yè)利潤為6.5萬億韓元，但到2025年第一季度已降至1.1萬億韓元。顯然，三星要想扭轉業(yè)績頹勢，必須在HBM市場取得突破。
業(yè)內人士指出，HBM3內存從DRAM制造到封裝完成通常需要5至6個月時間。即使三星能在2025年6至7月通過英偉達的認證，最終供貨時間也可能推遲至年底。而屆時，英偉達的新一代產品可能已轉向HBM4，對HBM3E的需求將減少。因此，三星的提前量產策略既是機遇，也是挑戰(zhàn)。
據悉，英偉達計劃在2025年6月對三星HBM3E進行最終質量驗收。若通過驗證，三星將有機會獲得英偉達AI芯片所需的HBM大單。為了贏得這一訂單，三星正全力以赴，力求在技術與產能上滿足英偉達的高標準要求。