今日三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，三星、高通宣布擴大晶圓代工業(yè)務合作，包含高通下一代5G移動芯片，將采用三星7納米LPP(Low-Power Plus)極紫外光(EUV)制程。

　　新聞稿指出，通過7納米LPP EUV工藝，驍龍(Snapdragon)5G芯片組可減少占位空間，讓OEM廠有更多使用空間增加電池容量或做薄型化設計。除此之外，結合更先進芯片設計，將可明顯增進電池續(xù)航力。

　　該合作計劃將長達十年，三星將授權“EUV光刻工藝技術”給高通使用，其中包括使用三星7納米LPP EUV工藝技術制造未來的Snapdragon 5G移動芯片組。

　　去年五月，三星推出了首款使用EUV光刻解決方案的半導體工藝技術7LPP EUV，預期可借此突破摩爾定律的擴展障礙，為單納米半導體技術的發(fā)展鋪平道路。對照10納米FinFET制程，三星的7納米LPP EUV工序較少、良率較高，而且面積效率提高40%，性能提高10%，功耗降低35%。

　　另外，三星位于華城市(Hwaseong)的7納米廠本周五將動土，預計最快明年量產(chǎn)，但預料趕不上當年度Galaxy S10與Note 10的上市時程。

　　韓國媒體20日報道稱，三星計劃投入6兆韓圜(相當于56億美元)升級晶圓產(chǎn)能。位于華城市的晶圓新廠將安裝超過10臺EUV光刻設備，由于每臺EUV設備要價皆多達1,500億韓圜，因此僅采購機臺費用就達到3～4兆韓圜。此外三星6nm晶圓廠的建設計劃，也將在近期公布。

　　相較之下，臺積電今年已開始試產(chǎn)7nm芯片，預定第2季為聯(lián)發(fā)科推出芯片原型，并于明年初開始全力量產(chǎn)。

　　臺積電采用5nm先進制程的12寸晶圓廠今年1月26日正式動土，預計第一期廠房明年第一季即可完工裝機、2020年年初進入量產(chǎn)。臺積電公告指出，待2022年第一、二、三期廠房皆進入量產(chǎn)時，年產(chǎn)能預估可超過100萬片十二寸晶圓。