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臺積電:先進制程的挑戰(zhàn)在曝光與平坦化技術

作者: 時間:2010-09-08 來源:精實新聞 收藏

  走向極小化、多任務、高效能且低價的態(tài)勢已不可改變。在后摩爾定律時代,走向20nm,甚至14nm和10nm制程技術,將是驅(qū)動半導體業(yè)成長的關鍵,而其他如制程、設備、和材料也將扮演著相當關鍵角色。(2330)資深處長林本堅表示,將成為先進制程未來發(fā)展的挑戰(zhàn),如何能透過技術提升,縮減20奈米的曝光成本,將成為當前重要課題,供應鏈合作創(chuàng)新也將成共識。

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/112454.htm

  此外,平坦化技術(CMP)則是32nm以下制程的關鍵,新的晶體管結(jié)構和像是TSV等新的封裝技術都必須倚賴先進的平坦化技術才能達成,Entegris新事業(yè)發(fā)展副總裁 ChristopherWargo表示,越先進制程所需的平坦化技術更高,因此CMP不容忽視。ChristopherWargo認為,不只有拋光墊片、研磨液重要,其他在制程中需要的所有的耗材,都對于平坦化技術有很大的影響。



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