近日，株洲中車董事長李東林在“先進軌道交通行業(yè)專場”說明會上透露了公司在碳化硅（SiC）產業(yè)的最新進展。

株洲中車正加快8英寸碳化硅產線建設，其中三期8英寸SiC晶圓項目已于2024年11月啟動，計劃2025年5月完成主體廠房封頂，年底前實現(xiàn)整線貫通。公司現(xiàn)有的6英寸SiC芯片生產線年產2.5萬片，已具備成熟產能。

在MOSFET技術上，株洲中車已完成第三代精細平面柵SiC MOSFET的定型開發(fā)，技術水平已達到行業(yè)主流。第四代溝槽柵產品已完成設計定型，并達到行業(yè)先進水平，性能指標基本對標國際龍頭企業(yè)。此外，公司已前瞻性布局第五代技術研發(fā)，并透露在超精細溝槽柵7.5代技術方面已達到國際領先水平，展現(xiàn)出強大的持續(xù)創(chuàng)新能力。

公司重點產品涵蓋650V至6500V電壓等級的SiC MOSFET，以及1200V SBD（肖特基二極管）。其中，1200V SBD已在光伏領域實現(xiàn)批量出貨。

在封裝層面，SiC TO封裝器件已在充電樁、車載充電機（OBC）、電源管理等領域實現(xiàn)規(guī)模供貨。面向新能源汽車主驅控制器，公司于2022年底正式發(fā)布了其C-Power 220s平臺，這是國內首款基于自主碳化硅研制的大功率電驅產品，系統(tǒng)效率最高可達94%，目前已進入整車廠驗證階段，預計2025年有望實現(xiàn)主驅批量出貨。

株洲中車正在構建從襯底、芯片到應用平臺的完整SiC產業(yè)生態(tài)，加速向高壓、高能效電力電子市場滲透。隨著產線升級、技術迭代和產品矩陣的完善，株洲中車有望在碳化硅領域實現(xiàn)更大突破，推動相關產業(yè)的升級與發(fā)展。