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先進(jìn)封裝：TSMC在FOPLP和CoPoS方面的戰(zhàn)略推動(dòng)

  • 先進(jìn)封裝被廣泛認(rèn)為是擴(kuò)展和超越摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)途徑。面對(duì)芯片擴(kuò)展的物理限制和工藝節(jié)點(diǎn)小型化步伐的放緩，先進(jìn)封裝通過(guò)系統(tǒng)級(jí)封裝 （SiP）、異構(gòu)集成和高密度互連實(shí)現(xiàn)計(jì)算性能和能效的持續(xù)改進(jìn)。臺(tái)積電的技術(shù)論壇即將舉行，據(jù)外媒報(bào)道，預(yù)計(jì)臺(tái)積電將在活動(dòng)中討論 CoPoS 的技術(shù)概念。這將與 2025 Touch Taiwan 技術(shù)論壇同時(shí)進(jìn)行，產(chǎn)生協(xié)同效應(yīng)。SemiVision Research 將對(duì) CoPoS 技術(shù)進(jìn)行深入討論，并分析臺(tái)灣和全球供應(yīng)鏈格局。由于這種封裝技術(shù)與基于面板的工藝密切相關(guān)，臺(tái)灣面板制
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TSMC展示用于AI的kW集成穩(wěn)壓器

  • TSMC 展示了用于 AI 的集成穩(wěn)壓器 （IVR），其垂直功率密度是分立設(shè)計(jì)的五倍。最新的 AI 數(shù)據(jù)中心芯片需要 1000A 的電流，下一代芯片需要 2000A 或千瓦的功率。提供此類電流的一種關(guān)鍵方法是使用垂直功率傳輸，并將功率饋送到 AI 芯片的背面。TSMC 開(kāi)發(fā)的 IVR 使用基于 16nm 工藝技術(shù)的電源管理 IC （PMIC），該 ICS 集成了 2.5nH 或 5nH 的“超薄”電感器與硅通孔 （TSV）。該 PMIC 將具有陶瓷層來(lái)構(gòu)建電感器，PMIC 將位于襯底上，與使用 TSMC
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“最后也是最好的FINFET節(jié)點(diǎn)”

  • 在該公司的北美技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外運(yùn)營(yíng)辦公室高級(jí)副總裁兼聯(lián)合首席運(yùn)營(yíng)官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點(diǎn)”。臺(tái)積電的策略是開(kāi)發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng)建一個(gè)全面的、可定制的硅資源?！拔覀兊哪繕?biāo)是讓集成芯片性能成為一個(gè)平臺(tái)，”Zhang 說(shuō)。 截至目前，可用或計(jì)劃中 N3 變體是：N3B：基準(zhǔn) 3nm 工藝。N3E：成本優(yōu)化的版本，具有更少的 EUV 層數(shù)，并且沒(méi)有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增強(qiáng)版本，在相
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Avicena與TSMC優(yōu)化I/O互連的光電探測(cè)器陣列

  • Avicena 將與臺(tái)積電合作，為 Avicena 革命性的基于 LightBundle microLED 的互連優(yōu)化光電探測(cè)器 （PD） 陣列。LightBundle 互連支持超過(guò) 1 Tbps/mm 的海岸線密度，并以一流的 sub-pJ/bit 能效將超高密度晶粒到晶粒 （D2D） 連接擴(kuò)展到 10 米以上。這將使 AI 縱向擴(kuò)展網(wǎng)絡(luò)能夠支持跨多個(gè)機(jī)架的大型 GPU 集群，消除當(dāng)前銅互連的覆蓋范圍限制，同時(shí)大幅降低功耗。日益復(fù)雜的 AI 模型推動(dòng)了對(duì)計(jì)算和內(nèi)存性能的需求空前激增，需要具有更高密度、更
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TSMC 選擇更小的襯底進(jìn)行初始 PLP 運(yùn)行

  • 一位消息人士告訴《日經(jīng)新聞》（Nikkei），決定生產(chǎn)“應(yīng)該從稍小的方形開(kāi)始，而不是在早期試驗(yàn)中從更雄心勃勃的大方形開(kāi)始。用化學(xué)品均勻地涂覆整個(gè)基材尤其具有挑戰(zhàn)性。首次生產(chǎn)將于 2017 年在桃園市試行。據(jù)報(bào)道，日月光科技最初表示正在建造一條使用 600 x 600 毫米基板的 PLP 生產(chǎn)線，但在聽(tīng)說(shuō)臺(tái)積電的決定后，決定在高雄建造另一條使用 310x310 毫米基板的試點(diǎn)生產(chǎn)線。PLP 技術(shù)由 Fraunhofer 于 2016 年推出，當(dāng)時(shí)它與 17 個(gè)合作伙伴成立了面板級(jí)封裝聯(lián)盟 （PLC）。
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小米新款SoC或采用臺(tái)積電N4P工藝，圖形性能優(yōu)于第二代驍龍8

  • 去年末有報(bào)道稱，小米即將迎來(lái)了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產(chǎn)自己設(shè)計(jì)的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對(duì)SoC并不陌生。據(jù)Wccftech報(bào)道，雖然中國(guó)大陸的芯片設(shè)計(jì)公司或許不能采用臺(tái)積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關(guān)的管制措施暫時(shí)沒(méi)有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時(shí)候推出。不過(guò)與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來(lái)說(shuō)是N4P。小米的SoC在C
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臺(tái)積電將于4月1日起開(kāi)始接受2nm訂單，首批芯片預(yù)計(jì)2026年到來(lái)

  • 臺(tái)積電（TSMC）在去年12月已經(jīng)對(duì)2nm工藝進(jìn)行了試產(chǎn)，良品率超過(guò)了60%，大大超過(guò)了預(yù)期。目前臺(tái)積電有兩家位于中國(guó)臺(tái)灣的晶圓廠專注在2nm工藝，分別是北部的寶山工廠，還有南部的高雄工廠，已經(jīng)進(jìn)入小規(guī)模評(píng)估階段，初期產(chǎn)能同樣是月產(chǎn)量5000片晶圓。據(jù)Wccftech報(bào)道，最新消息稱，臺(tái)積電將從2025年4月1日起開(kāi)始接受2nm訂單，蘋(píng)果大概率會(huì)是首個(gè)客戶。傳聞蘋(píng)果計(jì)劃采用2nm工藝制造A20，用于2026年下半年發(fā)布的iPhone 18系列智能手機(jī)上。除了蘋(píng)果以為，AMD、英特爾、博通和AWS等都準(zhǔn)備排
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轉(zhuǎn)向納米晶體管是SRAM的福音

  • 上周在 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 （ISSCC） 上，先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域最大的兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 Intel 和 TSMC 詳細(xì)介紹了使用其最新技術(shù) Intel 18a 和 TSMC N2 構(gòu)建的關(guān)鍵內(nèi)存電路 SRAM 的功能.多年來(lái)，芯片制造商不斷縮小電路規(guī)模的能力有所放緩，但縮小 SRAM 尤其困難，因?yàn)?nbsp;SRAM 由大型存儲(chǔ)單元陣列和支持電路組成。兩家公司最密集封裝的 SRAM 模塊使用 0.02
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蘋(píng)果A系列芯片將集成自研5G基帶：替代高通

  • 2月25日消息，蘋(píng)果記者M(jìn)ark Gurman透露，蘋(píng)果計(jì)劃在未來(lái)將5G調(diào)制解調(diào)器集成到設(shè)備的主芯片組中，這意味著未來(lái)不會(huì)再有A18芯片組與獨(dú)立的C1調(diào)制解調(diào)器，而是兩者合二為一，不過(guò)這一成果需要幾年時(shí)間才能實(shí)現(xiàn)。據(jù)悉，蘋(píng)果自研5G基帶芯片由iPhone 16e首發(fā)搭載，該機(jī)同時(shí)還搭載了A18芯片，支持Apple智能。報(bào)道顯示，蘋(píng)果自研的5G基帶芯片C1由臺(tái)積電（TSMC）代工，其基帶調(diào)制解調(diào)器采用4nm工藝，而接收器則采用了7nm工藝，這種組合是兼顧性能與功耗的解決方案。按照計(jì)劃，蘋(píng)果明年將會(huì)擴(kuò)大自研基
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TSMC 揭開(kāi)納米片晶體管的帷幕 英特爾展示了這些設(shè)備可以走多遠(yuǎn)

  • 臺(tái)積電本周在舊金山舉行的 IEEE 國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議 （IEDM） 上介紹了其下一代晶體管技術(shù)。N2 或 2 納米技術(shù)是這家半導(dǎo)體代工巨頭首次涉足一種新的晶體管架構(gòu)，稱為納米片(Nanosheet)或全環(huán)繞柵極。三星有制造類似設(shè)備的工藝，英特爾和臺(tái)積電都預(yù)計(jì)在 2025 年生產(chǎn)它們。與臺(tái)積電目前最先進(jìn)的工藝 N3（3 納米）相比，這項(xiàng)新技術(shù)可將能效提高 15% 或提高 30%，同時(shí)將密度提高 15%。N2是“四年多的勞動(dòng)成果”，臺(tái)積電研發(fā)和先進(jìn)技術(shù)副總裁Geoffrey Ye
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2024年，TSMC的股價(jià)預(yù)計(jì)將繼續(xù)上漲

  • 臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）是全球最大的半導(dǎo)體代工企業(yè)，以其先進(jìn)的制造技術(shù)而聞名。2024年，TSMC的股價(jià)預(yù)計(jì)將繼續(xù)上漲，這主要得益于其在人工智能和高性能計(jì)算領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。隨著人工智能技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)高端AI GPU的需求不斷增加，這些GPU幾乎全部由TSMC的先進(jìn)芯片技術(shù)提供支持。這使得TSMC在半導(dǎo)體代工服務(wù)市場(chǎng)的占有率超過(guò)50%，并為其長(zhǎng)期增長(zhǎng)前景提供了強(qiáng)有力的支撐。此外，TSMC在2024年的收入預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)超過(guò)20%，這進(jìn)一步增強(qiáng)了投資者對(duì)其股票的信心。這一增長(zhǎng)主要得益于其在7納米和5納米
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Cadence發(fā)布面向TSMC 3nm工藝的112G-ELR SerDes IP展示

  • 3nm 時(shí)代來(lái)臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長(zhǎng)距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。在后摩爾時(shí)代的趨勢(shì)下，F(xiàn)inFET 晶體管的體積在 TSMC 3nm 工藝下進(jìn)一步縮小，進(jìn)一步采用系統(tǒng)級(jí)封裝設(shè)計(jì)（SiP）。通過(guò)結(jié)合工藝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與 Cadence 業(yè)界領(lǐng)先的數(shù)字信號(hào)處理（DSP）SerDes 架構(gòu)，全新的 112G-ELR
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晶圓代工迎來(lái)一場(chǎng)“硬戰(zhàn)”？

  • 近日，在韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）的演講中，三星電子芯片業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun表示，三星將在五年內(nèi)超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電，在芯片代工領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。除了三星，重回代工領(lǐng)域的英特爾也放言，在2030年之前成為該市場(chǎng)的第二大玩家。代工市場(chǎng)硝煙起，市場(chǎng)地貌又將如何重塑？01三星放言：5年內(nèi)超越臺(tái)積電Kyung Kye-hyun表示，當(dāng)下臺(tái)積電在芯片制造方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先于三星。他認(rèn)為三星需要五年時(shí)間才能趕上并超過(guò)臺(tái)積電，盡管兩家公司目前都在生產(chǎn)3nm半導(dǎo)體，這些技術(shù)的營(yíng)銷名稱可能相似，但它們?cè)?/li>
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tsmc介紹

TSMC 　　簡(jiǎn)介 　　TSMC成立于1987年，是全球最大的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為專業(yè)集成電路制造服務(wù)業(yè)的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，TSMC在提供先進(jìn)晶圓制程技術(shù)與最佳的制造效率上已建立聲譽(yù)。自創(chuàng)立開(kāi)始，TSMC即持續(xù)提供客戶最先進(jìn)的技術(shù)；2006年的總產(chǎn)能超過(guò)七百萬(wàn)片約當(dāng)八吋晶圓，全年?duì)I收約占專業(yè)集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域的百分之五十。 　　2002年，TSMC成為第一家進(jìn)入全球營(yíng)收前 [ 查看詳細(xì) ]

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