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3d ic設(shè)計(jì) 文章 最新資訊

長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s

  • 這兩年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤,都呈現(xiàn)火力全開(kāi)的姿態(tài),從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景,而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲(chǔ)芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國(guó)廠商只花了6年

  • 近日,有消息稱,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初,會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了??梢?jiàn),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片,在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破,正式打破三星壟斷

  • 中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破,正式打破韓國(guó)三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過(guò)了96層,直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破,長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣,預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

  • 頭一段時(shí)間,有媒體報(bào)道稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)了96層,直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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西門子擴(kuò)展多款 IC 設(shè)計(jì)解決方案對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)工藝的支持

  • 獲得臺(tái)積電技術(shù)認(rèn)證的西門子EDA 產(chǎn)品包括 Calibre?nmPlatform——用于 IC 簽核的領(lǐng)先物理驗(yàn)證解決方案;以及 Analog FastSPICE? 平臺(tái)——專為納米級(jí)模擬、射頻(RF)、混合信號(hào)、存儲(chǔ)器和定制數(shù)字電路提供快速電路驗(yàn)證。這兩個(gè)產(chǎn)品系列目前均已獲得臺(tái)積電 N4P 和 N3E 工藝認(rèn)證。作為臺(tái)積電 N3E 工藝的定制設(shè)計(jì)參考流程 (CDRF) 的一部分,Analog FastSPICE 平臺(tái)還可支持可靠性感知仿真,包括老化、實(shí)時(shí)自熱效應(yīng)和高級(jí)可靠性功能。 Calibr
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

  • 比利時(shí)微電子研究中心(imec)于本周舉行的2022年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)(VLSI Symposium),首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案,利用奈米硅穿孔(nTSV)結(jié)構(gòu),將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌(buried power rail)上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)透過(guò)這些埋入式電源軌(BPR)實(shí)現(xiàn)互連,性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔(nTSV)與埋入式電源軌(BPR)連接至晶圓背面,與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
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英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車用3D圖像傳感器

  • 3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用,有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙,支持新服務(wù)的無(wú)縫接入,并提高被動(dòng)安全。它們對(duì)于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評(píng)級(jí)要求,以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)與專注3D ToF(飛行時(shí)間)系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德(pmd)合作,開(kāi)發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器,該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn),具有更高的分辨率。         
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開(kāi)發(fā)3D深度傳感技術(shù),賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

  • 增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞健nA(yù)計(jì)今年下半年,AR領(lǐng)域的開(kāi)拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì),將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級(jí)AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì),擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力,能夠讓操作人員更高效地開(kāi)展工作,幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程,并支持員工進(jìn)行無(wú)縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢(shì)之一是采用了由英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX:
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十大IC設(shè)計(jì)公司最新銷售額排名:高通位居榜首

  •   近日,TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)了全球十大IC設(shè)計(jì)公司2022年第一季度銷售額排名。高通位居榜首,英偉達(dá)、博通分居二三位,AMD在完成收購(gòu)賽靈思后,超越聯(lián)發(fā)科升至第四,聯(lián)發(fā)科下降至第五位?! ∈驣C設(shè)計(jì)公司2022年第一季營(yíng)收達(dá)394.3億美元,同比增長(zhǎng)44%。高通公司同比增長(zhǎng)52%,營(yíng)收95.5億美元逼近百億美元大關(guān)。排名第二的英偉達(dá)營(yíng)收增長(zhǎng)45.4%,達(dá)到79億美元。此外,聯(lián)發(fā)科一季度營(yíng)收50億美元,同比增32%?! ∏笆校罎M電子躍升最快,從一年前的第九升至第六。集邦咨詢表示,原因是
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎?

  • 5月25日,有消息傳出,華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限,DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前,DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開(kāi)資料顯示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么,10nm是DRAM工藝的極限嗎?在回答這個(gè)問(wèn)題之前,我
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聯(lián)發(fā)科技3月、Q1營(yíng)收 同創(chuàng)新高

  • 聯(lián)發(fā)科技公告3月合并營(yíng)收達(dá)591.80億元,創(chuàng)下單月歷史新高,推動(dòng)第一季合并營(yíng)收年成長(zhǎng)32.1%至1,427.11億元,同步改寫單季新猷,且超出原先財(cái)測(cè)區(qū)間。聯(lián)發(fā)科11日公告3月合并營(yíng)收達(dá)591.80億元、月成長(zhǎng)47.8%、年增47.1%,創(chuàng)下單月歷史新高,累計(jì)2022年第一季合并營(yíng)收年成長(zhǎng)32.1%至1,427.11億元,與2021年第四季相比增加10.9%,并超越法說(shuō)會(huì)預(yù)期的1,312~1,415億元的財(cái)測(cè)區(qū)間。法人指出,第一季持續(xù)受惠于5G智慧手機(jī)、WiFi及電源管理IC等產(chǎn)品線出貨續(xù)旺,推動(dòng)營(yíng)收持
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NVIDIA透過(guò)人工智能 將2D平面照片轉(zhuǎn)變?yōu)?D立體場(chǎng)景

  • 當(dāng)人們?cè)?5年前使用寶麗來(lái) (Polaroid ) 相機(jī)拍攝出世界上第一張實(shí)時(shí)成像照片時(shí),便是一項(xiàng)以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創(chuàng)舉。時(shí)至今日,人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉(zhuǎn)過(guò)來(lái),亦即在幾秒鐘內(nèi)將一組靜態(tài)影像變成數(shù)字 3D 場(chǎng)景。 NVIDIA Research 透過(guò)人工智能,在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場(chǎng)景這項(xiàng)稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過(guò)程,利用 AI 來(lái)預(yù)估光線在真實(shí)世界中的表現(xiàn),讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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全球前十大IC設(shè)計(jì)廠 營(yíng)收大增48%

  • 市調(diào)集邦科技最新研究顯示,2021年各類終端應(yīng)用需求強(qiáng)勁,導(dǎo)致晶圓缺貨,全球IC產(chǎn)業(yè)嚴(yán)重供不應(yīng)求,連帶使芯片價(jià)格上漲,拉抬2021年全球前十大IC設(shè)計(jì)業(yè)者營(yíng)收攀高至1,274億美元、年增48%。其中,臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科受惠手機(jī)芯片營(yíng)收大增逾九成,更是推動(dòng)2021年?duì)I收年增超過(guò)六成。集邦指出,2021年前十大IC設(shè)計(jì)廠當(dāng)中,高通繼續(xù)穩(wěn)坐全球第一,主要由于手機(jī)系統(tǒng)單芯片、物聯(lián)網(wǎng)芯片銷售分別年增51%與63%所帶動(dòng),加上射頻與汽車芯片業(yè)務(wù)的多元化發(fā)展,是2021年高通營(yíng)收成長(zhǎng)達(dá)51%的關(guān)鍵。排名第二的輝達(dá)實(shí)施軟硬件整合
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適用于 TMAG5170 SPI 總線接口、高精度線性 3D 霍爾效應(yīng)傳感器的評(píng)估模塊

  • TMAG5170UEVM 是一個(gè)易于使用的平臺(tái),用于評(píng)估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評(píng)估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面 (GUI),用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測(cè)量結(jié)果。還包括一個(gè) 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊,用于通過(guò)單個(gè)器件測(cè)試角度測(cè)量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測(cè)量結(jié)果· 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過(guò)常見(jiàn)的 micro-USB 連接器充電
  • 關(guān)鍵字: 精密數(shù)模轉(zhuǎn)換器  霍爾效應(yīng)傳感器  3D  

摩爾定律如何繼續(xù)延續(xù):3D堆疊技術(shù)或許是答案

  • 按照摩爾定律進(jìn)一步縮減晶體管特征尺寸的難度越來(lái)越大,半導(dǎo)體工藝下一步發(fā)展走到了十字路口。在逼近物理極限的情況下,新工藝研發(fā)的難度以及人力和資金的投入,也是呈指數(shù)級(jí)攀升,因此,業(yè)界開(kāi)始向更多方向進(jìn)行探索。
  • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  3D  堆疊技術(shù)  
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3d ic設(shè)計(jì)介紹

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