3d ic設(shè)計 文章 最新資訊
Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

- 中國上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國(上海)機器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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IC設(shè)計庫存第二季有望恢復健康水位

- 近期,媒體報道IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)自去年下半年起開始去化庫存,歷經(jīng)近一年的去化,今年第二季可望恢復至健康水位。報道指出,因為下游應用市場比上游芯片行業(yè)要早進入修正,整體供應鏈庫存水位也低,在下半年節(jié)慶較多的預期下,客戶也開始回補庫存,有助IC設(shè)計業(yè)下半年營收穩(wěn)步回溫。其中,面板是這波修正潮最早開始的產(chǎn)業(yè),驅(qū)動IC業(yè)者今年上半年營收已有回溫跡象,筆電相關(guān)IC也感受需求回暖。此前,全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,今年一季度供應鏈庫存消化不如預期,且適逢傳統(tǒng)淡季,整體需求清淡。不過,由于部分新品拉
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3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備,雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側(cè)向
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聯(lián)發(fā)科Q2保守 臺廠皮繃緊

- 聯(lián)發(fā)科第二季展望保守,中國臺灣的IC設(shè)計廠警戒,中國臺灣IC設(shè)計廠指出,聯(lián)發(fā)科是手機主芯片(AP)商,扮演景氣風向球,業(yè)界對市況不好已有共識,「但是沒想到這么不好」,加上聯(lián)發(fā)科對手高通今年來在中國大陸市場降價清庫存,聯(lián)發(fā)科釋出保守展望,恐將引導其余IC設(shè)計廠重新評估投片數(shù)量、庫存策略。大陸手機產(chǎn)業(yè)到底有多血腥?IC設(shè)計業(yè)者表示,主要的手機品牌廠包括OPPO、ViVO、小米今年以來每個月下修訂單,僅一家主攻非洲市場的「傳音」逆勢調(diào)高出貨目標,今年到目前為止也不過五個月,等于大陸手機品牌廠已經(jīng)五度下修出貨,智
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集邦:IC設(shè)計Q1營收跌幅收斂

- 集邦科技(TrendForce)表示,除了消費性終端整體消費力道弱,中國封控、企業(yè)IT支出及云端服務供貨商需求放緩等不利因素,均沖擊2022年第四季前十大IC設(shè)計業(yè)者總營收表現(xiàn),季跌幅擴大至9.2%至339.6億美元,其中高通、聯(lián)發(fā)科、瑞昱季減幅度都超過兩成。集邦預估,今年第一季前十大IC設(shè)計營收仍將續(xù)跌,但季跌幅會略為收斂。消費市場清冷及客戶庫存修正是影響第四季大部分IC設(shè)計業(yè)者營收下降的原因,總營收排行仍位居第一的高通,在智能型手機與物聯(lián)網(wǎng)(IoT)兩大產(chǎn)品業(yè)務營收各別季減22.6%及16.2%,導致
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2022第四季全球前十IC設(shè)計商營收跌幅擴大至10%

- 隨著全球總體經(jīng)濟高通脹風險升高,以及2022下半年下游庫存進入修正,IC設(shè)計業(yè)者對市況反轉(zhuǎn)的反應也較晶圓代工業(yè)者更敏感與實時。TrendForce集邦咨詢表示,除了消費性終端整體消費力道弱,還有疫情、企業(yè)IT支出及云端服務供應商需求放緩等不利因素,均沖擊2022年第四季前十大IC設(shè)計業(yè)者總營收表現(xiàn),環(huán)比跌幅擴大至9.2%,約339.6億美元。TrendForce集邦咨詢表示,由于整體供應鏈庫存持續(xù)修正,加上傳統(tǒng)消費性淡季影響,除部分因新品上市帶動買氣,及供應鏈庫存回補以外,市場需求仍弱,故TrendFor
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Arm傳自制芯片 IC設(shè)計廠看衰
- 市場傳出硅智財(IP)架構(gòu)大廠安謀(Arm)將打造自有芯片,展示技術(shù)實力,甚至未來可能威脅到高通(Qualcomm)或聯(lián)發(fā)科(2454)等市占率。不過,IC設(shè)計業(yè)者認為,不論從PC/服務器、智能手機、車用等市場來看,既有廠商都已經(jīng)卡位超過十年,難以取代現(xiàn)有地位,因此Arm就算自制芯片,出海口恐怕將相當狹窄。外媒報導指出,Arm已經(jīng)成立芯片設(shè)計團隊,并委托臺積電、三星等晶圓代工廠試產(chǎn)芯片,并推測未來可能與高通、聯(lián)發(fā)科等全球IC設(shè)計廠匹敵。不過對此業(yè)界則指出,Arm其實除了開發(fā)硅智財之外,本就需要與晶圓代工廠
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IC設(shè)計市場回溫?終端需求尚未明顯復蘇
- 在經(jīng)濟逆風、高通貨膨脹沖等因素沖擊下,消費電子需求持續(xù)萎靡,半導體產(chǎn)業(yè)整體邁入調(diào)整周期,IC設(shè)計環(huán)節(jié)也不例外。不過,近期IC設(shè)計行業(yè)迎來了利好消息。媒體報道稱,IC設(shè)計訂單需求出現(xiàn)回溫,以急單、短單為主,部分廠商重啟投片。部分廠商表示,雖然客戶對于后續(xù)訂單需求不明朗,但是由于部分庫存已經(jīng)消化完畢,也開始重新投片,但投片量不敢太多。與此同時,供應鏈人士透露,當前芯片價格跌幅變小,包括聯(lián)發(fā)科、聯(lián)詠和瑞昱半導體在內(nèi)的IC設(shè)計廠商收入出現(xiàn)復蘇跡象,上述公司庫存調(diào)整或?qū)⒔Y(jié)束。IC設(shè)計行業(yè)正在慢慢好轉(zhuǎn),不過業(yè)界仍舊謹
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平面→立體,3D DRAM重定存儲器游戲規(guī)則?
- 近日,外媒《BusinessKorea》報道稱,三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法,據(jù)稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么?它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)?壹摩爾定律放緩,DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天,跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM),而在不久的將來,這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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外媒:存儲大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據(jù)外媒《BusinessKorea》報道,三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來增長動力??紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況,業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然,而不是一種方向。與現(xiàn)有
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芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設(shè)計工具供應商獎”

- 國內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設(shè)計分析方面的杰出表現(xiàn),近日在半導體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計工具供應商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計,這一事件引起了我們極大的關(guān)注?!?D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
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芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設(shè)計工具供應商獎”

- 國內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設(shè)計分析方面的杰出表現(xiàn),近日在半導體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計工具供應商獎”稱號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計,這一事件引起了我們極大的關(guān)注?!?D?InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
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支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng)新

- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝(用于移動應用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能)的性能,就需要對架構(gòu)、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構(gòu)、不同的材料,包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺,包括一個或多
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3d ic設(shè)計介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d ic設(shè)計!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d ic設(shè)計的理解,并與今后在此搜索3d ic設(shè)計的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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