據悉，英特爾下一代客戶端 CPU 旗艦產品 Nova Lake-S 已在臺積電位于臺灣的晶圓廠流片。我們之前根據傳聞推測，英特爾將采用自家內部的 18A 工藝，并依靠臺積電的 2nm 量產技術。但根據 SemiAccurate 的報道，英特爾已經在臺積電的 N2 工藝上流片了一個計算模塊，這意味著 Nova Lake-S 的計算模塊很可能會同時使用 18A 和臺積電的 N2 工藝。英特爾做出這一決定的一個可能原因是，如果 18A 工藝無法交付，或者如果預計需求過高而無法滿足內部生產能力，英特爾正在構建可靠
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全球人工智能革命正在推動對先進半導體的空前需求，沒有哪家公司比臺積電更有能力利用這一趨勢。作為全球最大的專營代工廠，臺積電在用于 AI 系統、云基礎設施和自動駕駛技術的尖端芯片生產方面占據主導地位。與 NVIDIA 或 AMD 等直接在軟件和硬件生態(tài)系統中競爭的芯片設計商不同，臺積電作為硅片的中立制造商，使其與競爭動態(tài)隔絕，使其成為 AI 領域所有主要參與者的關鍵供應商。這一戰(zhàn)略優(yōu)勢，加上其行業(yè)領先的制造能力和有吸引力的估值，使臺積電成為一項引人注目的長期投資。代工
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TSMC AI 芯片
臺灣積體電路制造有限公司TSM（也稱為 TSMC）正在積極擴大其全球制造足跡。2025 年 3 月，它宣布在美國進行 1000 億美元的新投資，將其在美國的計劃總支出提高到 1650 億美元。這包括五個晶圓廠，兩個先進的封裝工廠和一個主要的研發(fā)中心。這是芯片歷史上最雄心勃勃的擴張之一。美國第一家晶圓廠的建設已經完成，并且正在加快批量生產，以滿足飆升的 AI 需求。今年晚些時候還有兩家晶圓廠正在籌備中，正在等待許可，其余設施將根據客戶需求采用先進節(jié)點。除了在美國擴張外，臺積電還在日本和德國擴大了其晶圓廠。它
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先進封裝被廣泛認為是擴展和超越摩爾定律的關鍵技術途徑。面對芯片擴展的物理限制和工藝節(jié)點小型化步伐的放緩，先進封裝通過系統級封裝 （SiP）、異構集成和高密度互連實現計算性能和能效的持續(xù)改進。臺積電的技術論壇即將舉行，據外媒報道，預計臺積電將在活動中討論 CoPoS 的技術概念。這將與 2025 Touch Taiwan 技術論壇同時進行，產生協同效應。SemiVision Research 將對 CoPoS 技術進行深入討論，并分析臺灣和全球供應鏈格局。由于這種封裝技術與基于面板的工藝密切相關，臺灣面板制
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TSMC 展示了用于 AI 的集成穩(wěn)壓器 （IVR），其垂直功率密度是分立設計的五倍。最新的 AI 數據中心芯片需要 1000A 的電流，下一代芯片需要 2000A 或千瓦的功率。提供此類電流的一種關鍵方法是使用垂直功率傳輸，并將功率饋送到 AI 芯片的背面。TSMC 開發(fā)的 IVR 使用基于 16nm 工藝技術的電源管理 IC （PMIC），該 ICS 集成了 2.5nH 或 5nH 的“超薄”電感器與硅通孔 （TSV）。該 PMIC 將具有陶瓷層來構建電感器，PMIC 將位于襯底上，與使用 TSMC
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在該公司的北美技術研討會上，臺積電業(yè)務發(fā)展和海外運營辦公室高級副總裁兼聯合首席運營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點”。臺積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng)建一個全面的、可定制的硅資源?！拔覀兊哪繕耸亲尲尚酒阅艹蔀橐粋€平臺，”Zhang 說。 截至目前，可用或計劃中 N3 變體是：N3B：基準 3nm 工藝。N3E：成本優(yōu)化的版本，具有更少的 EUV 層數，并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增強版本，在相
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Avicena 將與臺積電合作，為 Avicena 革命性的基于 LightBundle microLED 的互連優(yōu)化光電探測器 （PD） 陣列。LightBundle 互連支持超過 1 Tbps/mm 的海岸線密度，并以一流的 sub-pJ/bit 能效將超高密度晶粒到晶粒 （D2D） 連接擴展到 10 米以上。這將使 AI 縱向擴展網絡能夠支持跨多個機架的大型 GPU 集群，消除當前銅互連的覆蓋范圍限制，同時大幅降低功耗。日益復雜的 AI 模型推動了對計算和內存性能的需求空前激增，需要具有更高密度、更
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一位消息人士告訴《日經新聞》（Nikkei），決定生產“應該從稍小的方形開始，而不是在早期試驗中從更雄心勃勃的大方形開始。用化學品均勻地涂覆整個基材尤其具有挑戰(zhàn)性。首次生產將于 2017 年在桃園市試行。據報道，日月光科技最初表示正在建造一條使用 600 x 600 毫米基板的 PLP 生產線，但在聽說臺積電的決定后，決定在高雄建造另一條使用 310x310 毫米基板的試點生產線。PLP 技術由 Fraunhofer 于 2016 年推出，當時它與 17 個合作伙伴成立了面板級封裝聯盟 （PLC）。
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上個月臺積電（TSMC）宣布，有意增加1000億美元投資于美國先進半導體制造，擴大投資計劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進封裝設施、以及一間主要的研發(fā)團隊中心。臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab
21，前后花了大概五年時間才完成第一間晶圓廠。不過隨著項目的推進，臺積電在當地的設施建造速度變得更快。據TrendForce報道，臺積電打算將FOPLP封裝技術帶入美國，以滿足當地客戶日益增長的需求。臺積電正在確定FOPLP封裝的最終規(guī)格，以加快大規(guī)模生產的時間表。初代產品預計采用300mm
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去年末有報道稱，小米即將迎來了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產自己設計的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對SoC并不陌生。據Wccftech報道，雖然中國大陸的芯片設計公司或許不能采用臺積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關的管制措施暫時沒有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時候推出。不過與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來說是N4P。小米的SoC在C
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臺積電（TSMC）在去年12月已經對2nm工藝進行了試產，良品率超過了60%，大大超過了預期。目前臺積電有兩家位于中國臺灣的晶圓廠專注在2nm工藝，分別是北部的寶山工廠，還有南部的高雄工廠，已經進入小規(guī)模評估階段，初期產能同樣是月產量5000片晶圓。據Wccftech報道，最新消息稱，臺積電將從2025年4月1日起開始接受2nm訂單，蘋果大概率會是首個客戶。傳聞蘋果計劃采用2nm工藝制造A20，用于2026年下半年發(fā)布的iPhone 18系列智能手機上。除了蘋果以為，AMD、英特爾、博通和AWS等都準備排
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上周在 IEEE 國際固態(tài)電路會議 （ISSCC） 上，先進芯片制造領域最大的兩個競爭對手 Intel 和 TSMC 詳細介紹了使用其最新技術 Intel 18a 和 TSMC N2 構建的關鍵內存電路 SRAM 的功能.多年來，芯片制造商不斷縮小電路規(guī)模的能力有所放緩，但縮小 SRAM 尤其困難，因為 SRAM 由大型存儲單元陣列和支持電路組成。兩家公司最密集封裝的 SRAM 模塊使用 0.02
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2月25日消息，蘋果記者Mark Gurman透露，蘋果計劃在未來將5G調制解調器集成到設備的主芯片組中，這意味著未來不會再有A18芯片組與獨立的C1調制解調器，而是兩者合二為一，不過這一成果需要幾年時間才能實現。據悉，蘋果自研5G基帶芯片由iPhone 16e首發(fā)搭載，該機同時還搭載了A18芯片，支持Apple智能。報道顯示，蘋果自研的5G基帶芯片C1由臺積電（TSMC）代工，其基帶調制解調器采用4nm工藝，而接收器則采用了7nm工藝，這種組合是兼顧性能與功耗的解決方案。按照計劃，蘋果明年將會擴大自研基
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臺積電本周在舊金山舉行的 IEEE 國際電子設備會議 （IEDM） 上介紹了其下一代晶體管技術。N2 或 2 納米技術是這家半導體代工巨頭首次涉足一種新的晶體管架構，稱為納米片(Nanosheet)或全環(huán)繞柵極。三星有制造類似設備的工藝，英特爾和臺積電都預計在 2025 年生產它們。與臺積電目前最先進的工藝 N3（3 納米）相比，這項新技術可將能效提高 15% 或提高 30%，同時將密度提高 15%。N2是“四年多的勞動成果”，臺積電研發(fā)和先進技術副總裁Geoffrey Ye
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前一段時間，臺積電（TSMC）董事長兼首席執(zhí)行官魏哲家表示，客戶對于2nm的詢問多于3nm，看起來更受客戶的歡迎，未來五年內臺積電有望實現連續(xù)、健康的增長。目前看來，2nm不但能復制3nm的成功，甚至有超越的勢頭，為此臺積電加快了2nm產線的建設，并進一步擴大了產能規(guī)劃。由于臺積電在海外還有新修晶圓廠的計劃，據相關媒體報道，中國臺灣當地的主管部門表示，雖然臺積電在美國、歐洲和日本都在建造先進工藝的晶圓廠，但是最先進的半導體生產技術不能轉移到海外的生產設施，這受到當地法律的保護，核心技術不能外移，現階段無法
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