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英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM
- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標是在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
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英偉達降級版H20或用GDDR取代HBM
- 在英偉達H20受到最新出口限制之后，其正在開發(fā)該芯片的降級版本，以尋求在有限政策空間內(nèi)繼續(xù)開拓中國市場，最早可能在7月發(fā)布。降級版H20性能預(yù)計會有較為明顯的下調(diào)，尤其是在內(nèi)存容量方面，據(jù)TrendForce報道英偉達可能會用GDDR取代HBM。英偉達HBM3的供應(yīng)商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供應(yīng)商，如果降級版H20選擇換用GDDR，那么可能會對現(xiàn)有的供應(yīng)鏈產(chǎn)生一定的干擾。同樣，三星和SK海力士也都有與英偉達在GDDR7上合作的經(jīng)驗，值得注意的是，現(xiàn)階段GDDR7的供應(yīng)主要由三星提供支持，S
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長江存儲主導(dǎo)混合鍵合專利，韓存儲巨頭三星和SK海力士壓力山大
- 隨著存儲器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產(chǎn)品，混合鍵合技術(shù)越來越受到關(guān)注。根據(jù) ZDNet 的一份報告，韓國三星電子和SK海力士在關(guān)鍵專利方面仍然落后。該報告強調(diào)，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關(guān)專利相對較少，大幅低于競爭對手長江存儲。 據(jù)報道，三星電子已與長江存儲簽署了一項許可協(xié)議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術(shù)。此舉反映了三星希望規(guī)避長江存儲的專利的挑戰(zhàn)，這些專利被認為難以避免。報告指出，長江存儲在其“Xtacking”品牌下大規(guī)模生產(chǎn)基于混合鍵合的NAND已有大約四年
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撐不住, SK海力士DRAM漲12%
- 全球存儲器市場近期出現(xiàn)顯著價格上漲，消費級存儲器產(chǎn)品價格持續(xù)攀升。 根據(jù)最新市場動態(tài)，SK海力士消費級DRAM顆粒價格已上漲約12%，落實先前市場的漲價傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價格上調(diào)通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶的產(chǎn)品實施價格調(diào)整，漲幅將超過10%。市場分析人士指出，存儲器價格近期上漲主要受到全球供應(yīng)鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，持續(xù)推動了對高性能內(nèi)存的強勁需求，存儲器國際大廠集中資源，生
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DDR4加速退場，DDR5成為主流
- 三星已向其供應(yīng)鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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SK海力士Q1利潤飆升158% 或取代三星成AI內(nèi)存芯片新王
- 4月24日消息，韓國內(nèi)存巨頭SK海力士公布2025年Q1財報，Q1營業(yè)利潤同比增長158%，為7.44萬億韓元（約合52億美元），超過預(yù)期的6.6萬億韓元。營收同比增長42%，達到17.63萬億韓元。數(shù)據(jù)顯示，這是SK海力士第二好的季度業(yè)績，此前該公司上一季度營收和營業(yè)利潤均創(chuàng)歷史新高。作為英偉達HBM(高帶寬存儲器)的重要供應(yīng)商，SK海力士受益于HBM等AI關(guān)鍵組件的強勁需求增長。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場的份額超過三星。報告期內(nèi)，SK海力士占據(jù)了DRAM市場36%的份額，而三星是34%。
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三大內(nèi)存廠持續(xù)減產(chǎn)DDR4
- 三大原廠紛紛縮減舊制程產(chǎn)能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產(chǎn)，美光亦通知客戶停產(chǎn)服務(wù)器用舊制程DDR4模組，SK海力士據(jù)傳也將DDR4產(chǎn)出比重降至20%。法人認為，市場景氣低迷，上游存儲器廠加速產(chǎn)品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時將資源轉(zhuǎn)向高帶寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產(chǎn)品。短期內(nèi)內(nèi)存價格受到關(guān)稅備貨與供給控制支撐，但整體環(huán)境不確定性高，未來基本面仍存隱憂。三星已通知供應(yīng)鏈，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內(nèi)存將于2025年4月停止生產(chǎn)（EOL）
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SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客戶驗證， 引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲技術(shù)創(chuàng)新
- 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶驗證，是基于CXL* 2.0標準的DRAM解決方案產(chǎn)品。SK海力士表示：“將此產(chǎn)品應(yīng)用于服務(wù)器系統(tǒng)，相較于現(xiàn)有的DDR5模組，其容量增長了50%，寬帶擴展了30%，可處理每秒最多36GB的數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品有望顯著降低客戶在構(gòu)建并運營數(shù)據(jù)中心時所需的總體擁有成本*?！崩^96GB產(chǎn)品驗證，公司正在與其他客戶開展128GB產(chǎn)品的驗證流程。該產(chǎn)品搭載第五代10納米級（1b）32Gb
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SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營收第一：HBM市占率高達70%
- 4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領(lǐng)導(dǎo)者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計占據(jù)剩余的5%。SK海力士預(yù)期，營收與市占率的增長至少會持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關(guān)鍵的HBM市場占有率高達70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
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美光、SK海力士跟隨中！三星對內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價3-5%：客戶已開始談判新合同
- 4月7日消息，據(jù)國外媒體報道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價格上漲，預(yù)計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動化，對半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場研究機構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示，
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SK海力士完成對英特爾NAND業(yè)務(wù)的收購
- 據(jù)韓媒報道，根據(jù)SK海力士向韓國金融監(jiān)管機構(gòu)FSS披露的文件，該企業(yè)已完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第二階段，交易正式完成。據(jù)了解，第一階段完成于2021年12月30日，SK海力士當時支付了78422億韓元，從英特爾接管SSD業(yè)務(wù)及其位于中國大連NAND閃存制造廠的資產(chǎn)。而在第二階段中，SK海力士以32783億韓元（約合人民幣163億元）的對價取得了包括NAND閃存晶圓的生產(chǎn)及設(shè)計相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)、研發(fā)人員以及大連工廠的員工在內(nèi)的其余相關(guān)有形/無形資產(chǎn)。
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SK海力士首次向客戶提供12層HBM4樣品，預(yù)計下半年量產(chǎn)
- 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。據(jù)悉，此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率，其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。該產(chǎn)品首次實現(xiàn)了最高每秒可以處理2TB（太字節(jié)）以上數(shù)據(jù)的帶寬，相當于在1秒內(nèi)可處理400部以上全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級電影（5GB=5千兆字節(jié)）的數(shù)據(jù)，運行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同時，公司通過在該產(chǎn)品上采用已在前一代產(chǎn)
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SK海力士宣布全球首次向客戶提供“12層HBM4”樣品
- 2025年3月19日，SK海力士宣布，推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。SK海力士強調(diào)：“以引領(lǐng)HBM市場的技術(shù)競爭力和生產(chǎn)經(jīng)驗為基礎(chǔ)，能夠比原計劃提早實現(xiàn)12層HBM4的樣品出貨，并已開始與客戶的驗證流程。公司將在下半年完成量產(chǎn)準備，由此鞏固在面向AI的新一代存儲器市場領(lǐng)導(dǎo)地位。”此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率。其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。此產(chǎn)品首次實現(xiàn)了最高每秒可以處理2TB（太字節(jié)）以上數(shù)據(jù)的帶
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SK海力士完成90億美元收購 英特爾閃存業(yè)務(wù)塵埃落定
- 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局加速重構(gòu)的背景下，韓國存儲巨頭SK海力士即將為英特爾NAND業(yè)務(wù)畫上句號。根據(jù)最新進展，SK海力士將在未來幾周內(nèi)支付最后一筆22.4億美元款項，標志著歷時五年的90億美元收購案正式收官。這一交易不僅宣告了英特爾徹底退出閃存市場，更讓SK海力士在與三星的競爭中握有新籌碼。此次收購涵蓋英特爾大連工廠的NAND制造業(yè)務(wù)及相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)，其固態(tài)硬盤部門則獨立為Solidigm子公司。值得關(guān)注的是，隨著最后階段資金到位，SK海力士將獲得大連工廠的完整技術(shù)控制權(quán)。集邦咨詢分析指出，此次整合有望推動S
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