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如果美國(guó)撤銷芯片工具豁免:解析臺(tái)積電、三星和 SK 海力的中國(guó)業(yè)務(wù)

作者: 時(shí)間:2025-06-24 來(lái)源:TrendForce 收藏

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/202506/471602.htm

美國(guó)商務(wù)部正在考慮撤銷此前授予、和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證——這一舉措可能為它們?cè)谥袊?guó)的運(yùn)營(yíng)制造新的障礙,據(jù)路透社報(bào)道。

引自華爾街日?qǐng)?bào),Wccftech 指出,工業(yè)與安全 Under Secretary 詹姆斯·克勒森正推動(dòng)結(jié)束允許美國(guó)芯片設(shè)備制造商向這些公司中國(guó)工廠出售關(guān)鍵工具的豁免。報(bào)道補(bǔ)充說(shuō),這可能導(dǎo)致它們獲取美國(guó)制造設(shè)備的規(guī)定更加嚴(yán)格。

根據(jù) Tom's Hardware,該審查針對(duì)的是在美國(guó)于 2022 年底限制向中國(guó)出口芯片制造工具后授予非中國(guó)芯片制造商的特殊貿(mào)易豁免,稱為 VEU 授權(quán)。報(bào)告指出,這些豁免允許他們?cè)跊]有許可證的情況下為其在中國(guó)的晶圓廠進(jìn)口美國(guó)設(shè)備,只要他們避免向中國(guó)的軍事或情報(bào)部門供應(yīng)。

根據(jù) Tom's Hardware 的說(shuō)法,VEU 還簡(jiǎn)化了美國(guó)芯片制造工具公司(包括但不限于 Applied Materials、KLA 和 Lam Research)向中國(guó)客戶發(fā)貨的流程。

值得注意的是,一位白宮官員告訴路透社,此舉是為了應(yīng)對(duì)當(dāng)前與中國(guó)的貿(mào)易休戰(zhàn)破裂時(shí)最壞情況的預(yù)防措施。盡管如此, 經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)警告說(shuō),這些公司的審批流程可能會(huì)從自動(dòng)審批轉(zhuǎn)變?yōu)槿唛L(zhǎng)的逐案審查,每份申請(qǐng)需要三到六個(gè)月的時(shí)間。

如果該政策生效,它將如何影響、和 SK 海力士等芯片巨頭?以下是 TrendForce 整理的它們?cè)谥袊?guó)基于的生產(chǎn)能力和關(guān)鍵工藝節(jié)點(diǎn)的快照:

南京:成熟節(jié)點(diǎn)導(dǎo)向

根據(jù)臺(tái)積電的說(shuō)法,中國(guó)是其在 2024 年的第二大市場(chǎng),占其總收入的比例為 11%,遠(yuǎn)低于北美的 70%。

在其 2024 年年度報(bào)告中,臺(tái)積電表示其位于南京的 12 英寸晶圓廠在永久有效的驗(yàn)證最終用戶(VEU)授權(quán)下運(yùn)營(yíng),允許其無(wú)需單獨(dú)許可證即可進(jìn)口符合條件的美國(guó)設(shè)備。然而,它也提到,無(wú)法保證臺(tái)積電獲得的 VEU 授權(quán)不會(huì)在未來(lái)被終止。

值得注意的是,臺(tái)積電的南京工廠,生產(chǎn) 16nm 和 28nm 芯片,是其最賺錢的海外工廠,根據(jù)其 2024 年報(bào)告,該工廠每年帶來(lái) 690 億新臺(tái)幣的收入和 260 億新臺(tái)幣的凈利潤(rùn)。同時(shí),其上海 8 英寸工廠運(yùn)行著更舊的 1.3μm 和 1.8μm 工藝節(jié)點(diǎn),根據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,它不太容易受到擬議的許可證吊銷的影響。

西安:關(guān)鍵的 NAND 制造中心

另一方面,中國(guó)對(duì)韓國(guó)內(nèi)存巨頭至關(guān)重要。就三星而言,其西安工廠是主要的 NAND 生產(chǎn)中心。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù),預(yù)計(jì)到 2025 年,三星總 NAND 產(chǎn)量的 30-35%將來(lái)自中國(guó)。

2 月的《韓國(guó)商業(yè)》報(bào)道說(shuō),三星正在加速其中國(guó)的 NAND 技術(shù)升級(jí),推動(dòng)其西安工廠向尖端的 286 層(V9)工藝發(fā)展,以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)放緩和中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手日益激烈的競(jìng)爭(zhēng)。據(jù)報(bào)道,自 2023 年以來(lái),它已從 128 層(V6)NAND 轉(zhuǎn)向西安更先進(jìn)的 236 層(V8)NAND。

因此,據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,撤銷像三星這樣的主要制造商的豁免權(quán),并轉(zhuǎn)向個(gè)案審查,可能會(huì)阻止需要用于關(guān)鍵升級(jí)的設(shè)備進(jìn)口。

SK hynix:DRAM 和 NAND 產(chǎn)出高度依賴中國(guó)

與此同時(shí),根據(jù)商業(yè)韓國(guó)的報(bào)道,SK hynix 在中國(guó)的足跡涵蓋多個(gè)地點(diǎn):無(wú)錫的 DRAM 工廠、重慶的封裝工廠以及在大連的 NAND 閃存設(shè)施,該設(shè)施是從英特爾收購(gòu) Solidigm 品牌后接管過(guò)來(lái)的。

TrendForce 預(yù)測(cè),到 2025 年,SK 海力士的 DRAM 產(chǎn)量中約有 35-40%將來(lái)自中國(guó)。對(duì)于 SK 海力士來(lái)說(shuō),中國(guó)在全球 NAND 生產(chǎn)中扮演著更大的角色,預(yù)計(jì)到 2025 年將占其總 NAND 產(chǎn)量的 40-45%,TrendForce 指出。

據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,美國(guó)取消關(guān)鍵設(shè)備豁免政策可能會(huì)使 SK 海力的中國(guó)晶圓廠更難進(jìn)口 EUV 光刻機(jī),從而可能延遲其升級(jí)計(jì)劃。





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