據(jù) TechNews 報(bào)道，引用了 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 的信息，新型存儲(chǔ)技術(shù)“UltraRAM”，結(jié)合了 DRAM 和 NAND 的優(yōu)勢(shì)，在商業(yè)化方面取得了顯著進(jìn)展。英國(guó)半導(dǎo)體初創(chuàng)公司 Quinas Technology，UltraRAM 的開(kāi)發(fā)者，與 IQE 合作，將其制造推進(jìn)到工業(yè)規(guī)模。

UltraRAM 被認(rèn)為是一種融合了 DRAM 和 NAND 優(yōu)勢(shì)的新型存儲(chǔ)器。據(jù) Tom’s Hardware 報(bào)道，它提供類似 DRAM 的高速性能，比 NAND 耐用 4,000 倍，超低能耗，以及長(zhǎng)達(dá) 1,000 年的數(shù)據(jù)保持能力。據(jù)報(bào)道，商業(yè)化下一步將看到 Quinas 和 IQE 與多家晶圓代工廠和行業(yè)合作伙伴探索試點(diǎn)生產(chǎn)。

外延技術(shù)在 UltraRAM 中的重要作用

據(jù) Tom’s Hardware 報(bào)道，該設(shè)計(jì)利用了一種新開(kāi)發(fā)的高級(jí)外延工藝，使用砷化鎵和砷化鋁——據(jù)稱是世界首創(chuàng)——這將鋪平 UltraRAM 大規(guī)模生產(chǎn)的道路。

報(bào)告進(jìn)一步表明，UltraRAM 是基于外延技術(shù)作為其關(guān)鍵第一步構(gòu)建的，在晶體襯底上生長(zhǎng)化合物半導(dǎo)體層，然后是標(biāo)準(zhǔn)方法，如光刻和蝕刻。

UltraRAM 商業(yè)化的挑戰(zhàn)

Quinas 的 UltraRAM 被視為一項(xiàng)變革性技術(shù)，有潛力取代 DRAM 和 NAND。然而，正如 Blocks & Files 所指出的，它首先必須集成到現(xiàn)有的內(nèi)存供應(yīng)鏈中。

報(bào)告指出，Micron、Nanya、SK hynix 和 Samsung 等 DRAM 制造商，以及 Kioxia、Micron、SK hynix/Solidigm、Samsung 和 SanDisk 等 NAND 生產(chǎn)商，向設(shè)備制造商供應(yīng)內(nèi)存和 SSD。為了使 UltraRAM 得到采用，Quinas 需要進(jìn)入這個(gè)供應(yīng)鏈，以便終端設(shè)備供應(yīng)商可以使用它的內(nèi)存而不是 DRAM 和 NAND——報(bào)告強(qiáng)調(diào)，這一轉(zhuǎn)變需要在硬件、操作系統(tǒng)和系統(tǒng)軟件層面進(jìn)行改變。

Blocks & Files 進(jìn)一步指出，如果 Quinas 能夠展示出具有可行產(chǎn)率的工業(yè)規(guī)模制造，并交付比 DRAM 和 NAND 更高系統(tǒng)級(jí)性能且能耗更低的 UltraRAM，那么 UltraRAM 就有可能真正獲得發(fā)展。然而，它強(qiáng)調(diào)，最關(guān)鍵的因素是證明一條清晰的、能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模盈利生產(chǎn)的路徑。