日前，特朗普接受專訪時(shí)再度提到臺(tái)積電赴美投資重大里程碑，談及投資規(guī)模時(shí)，表示最大的芯片制造商將投資2000億美元，并稱臺(tái)積電董事長魏哲家是“商界最受敬重的人之一”。

臺(tái)積電的“赴美”之路

· 2020年，臺(tái)積電宣布在亞利桑那州設(shè)立首個(gè)芯片生產(chǎn)基地，初期預(yù)計(jì)投資約120億美元；

· 2023年，臺(tái)積電計(jì)劃進(jìn)一步增加在美國的投資力度，決定在亞利桑那州增設(shè)第二個(gè)晶圓制造廠，這使臺(tái)積電在美國的總投資額提升至400億美元；

· 2024年，為了更多利用《芯片和科學(xué)法案》所提供的補(bǔ)貼支持，臺(tái)積電再次擴(kuò)大了其在美國的布局計(jì)劃，宣布將在亞利桑那州建設(shè)第三座晶圓制造廠，至此，臺(tái)積電在亞利桑那州三座芯片工廠的總投資金額達(dá)650億美元。

而特朗普卻對(duì)《芯片和科學(xué)法案》進(jìn)行了抨擊，聲稱這是一個(gè)極其不利的政策，并提出了替代方案 —— 主張通過大幅提高關(guān)稅來促進(jìn)產(chǎn)業(yè)“回流”美國，而不是依賴巨額的財(cái)政補(bǔ)貼吸引企業(yè)在美國設(shè)廠。

本月初，臺(tái)積電董事長魏哲家與美國總統(tǒng)特朗普在白宮共同宣布，未來四年臺(tái)積電將在美增加投資1000億美元，這也是美國史上規(guī)模最大的單項(xiàng)海外直接投資案，而總投資金額達(dá)到了1650億美元。不但規(guī)劃新建三座新晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝設(shè)施，還會(huì)在美國設(shè)立一個(gè)大型研發(fā)中心。

值得注意的是，這不是特朗普第一次說臺(tái)積電要在美投資2000億美元。3月9日，特朗普談到臺(tái)積電赴美投資時(shí)，即提及2000億美元投資規(guī)模的數(shù)字。美系設(shè)備業(yè)者透露，2000億美元規(guī)模才是特朗普最希冀達(dá)到的目標(biāo)，隨英特爾新任CEO陳立武18日就職，第二輪談判即將展開。

美方將臺(tái)積電此舉視為降低對(duì)亞洲芯片依賴的關(guān)鍵舉措，美國商務(wù)部長霍華德·盧特尼克表示，這一投資是“特朗普強(qiáng)硬關(guān)稅政策的直接成果”，暗示臺(tái)積電是為了規(guī)避即將生效的25%海外產(chǎn)品關(guān)稅而加快向美國轉(zhuǎn)移產(chǎn)能。

臺(tái)積電加快在美建廠速度

日經(jīng)報(bào)道稱，臺(tái)積電在經(jīng)歷首座美國工廠五年建設(shè)周期后，已基本掌握在美建廠經(jīng)驗(yàn)，計(jì)劃將后續(xù)晶圓廠建設(shè)周期縮短至兩年。目前，臺(tái)積電正在完成鳳凰城Fab 21一期工廠的設(shè)備安裝工作，并計(jì)劃在Fab 21二期建設(shè)完成后將（設(shè)備安裝）工具移至該區(qū)域。

· 一期：2020年動(dòng)工，預(yù)計(jì)今年上半年開始生產(chǎn)4nm芯片，目前已進(jìn)入最后的質(zhì)量驗(yàn)證階段；

· 二期：目前該工廠已經(jīng)完成主體廠房建設(shè)，計(jì)劃2026年試產(chǎn)、2028年開始量產(chǎn)3nm和2nm芯片；

· 三期：將于今年年中開始動(dòng)工，2029年之后生產(chǎn)2nm和更先進(jìn)（A16節(jié)點(diǎn)）制程芯片。

盡管建設(shè)速度提升，但光刻機(jī)交付周期難以壓縮，設(shè)備供應(yīng)成了新的制約因素，這可能導(dǎo)致美國工廠的實(shí)際技術(shù)導(dǎo)入滯后中國臺(tái)灣1-2個(gè)制程節(jié)點(diǎn)。除此之外，根據(jù)供應(yīng)鏈信息，美國工廠生產(chǎn)的芯片不會(huì)用于蘋果的最新機(jī)型，因?yàn)樽钕冗M(jìn)的制造工藝仍將保留在中國臺(tái)灣工廠。