韓國媒體MeyyToday報導(dǎo)，存儲器大廠三星將第六代10納米級1cDRAM制程開發(fā)延后六個月到6月才完成。 三星之前宣稱第六代10納米級1cDRAM制程2024年底開發(fā)完并量產(chǎn)，但良率沒有提升，導(dǎo)致時程再延后半年，這會使預(yù)定下半年量產(chǎn)的第六代高頻寬存儲器（HBM4）一并延后。

報導(dǎo)引用市場人士說法，三星第六代10納米級1c DRAM制程遇到困難。 盡管市場在2024年底左右，獲得了三星送交的第一個測試芯片，但因為無法達到預(yù)期的良率，因此將預(yù)定開發(fā)完成的時間延后六個月。 而在這六個月中，三星預(yù)計將良率提升到約70%。 根據(jù)過往業(yè)界的經(jīng)驗，每一代制程的開發(fā)周期通常落在18個月左右。 但是，三星于2022年12月開發(fā)出第五代10納米級1bDRAM制程，并于2023年5月宣布量產(chǎn)之后，就一直沒有1cDRAM狀況的消息。

如果第六代10納米級1cDRAM制程從開發(fā)完成到量產(chǎn)的時間約為正常的6個月時間，則三星實際量產(chǎn)的時間預(yù)計將在2025年底。 而這樣的時程，幾乎也影響了三星當(dāng)前正面臨生死關(guān)頭的HBM產(chǎn)品的發(fā)展。 以1cDRAM制程為例，其核心產(chǎn)品是以DDR5內(nèi)存為主，而HBM則是其衍生產(chǎn)品，開發(fā)時間會落后核心產(chǎn)品的時間。 這代表著一旦核心產(chǎn)品延后到2025年底量產(chǎn)，HBM量產(chǎn)可能會在2025年之后進行。 這相較于三星先前宣布將于2025年下半年將1cDRAM制程用于HBM4、并量產(chǎn)的情況有所改變，也影響三星HBM市場競爭力。

三星計劃上半年全力投入六代10納米級1cDRAM制程，以盡快提高良率。