淘汰FinFET 升級(jí)革命性GAA晶體管：臺(tái)積電重申2025量產(chǎn)2nm
加入技術(shù)交流群
在今天的說(shuō)法會(huì)上，臺(tái)積電透露了新一代工藝的進(jìn)展，3nm工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，2023年放量，有多家客戶(hù)下單，再下一代的是2nm工藝，臺(tái)積電CEO重申會(huì)在2025年量產(chǎn)。
本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/202301/442627.htm與3nm工藝相比，臺(tái)積電2nm工藝會(huì)有重大技術(shù)改進(jìn)， 放棄FinFET晶體管，改用GAA晶體管， 后者是面向2nm甚至1nm節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵，可以進(jìn)一步縮小尺寸。
相比3nm工藝，在相同功耗下， 2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。
不過(guò)2nm工藝的晶體管密度可能會(huì)擠牙膏了，相比3nm只提升了10%，遠(yuǎn)低于以往至少70%的晶體管密度提升。
評(píng)論