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芯片的先進封裝會發(fā)展到4D？

  • 電子集成技術分為三個層次，芯片上的集成，封裝內的集成，PCB板級集成，其代表技術分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對于封裝內的集成，情況就要復雜得多。電子集成技術分類的兩個重要依據(jù)：1.物理結構，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
  • 關鍵字： 電子集成  工藝  制程  

工藝沒搞定！蘋果取消iPhone 17 Pro系列屏幕抗刮抗反射涂層

  • 4月29日消息，據(jù)MacRumors報道，蘋果原計劃為iPhone 17 Pro的屏幕配備抗刮抗反射涂層，目前已經取消。消息稱，蘋果在擴大顯示屏涂層工藝方面遇到了問題。此前考慮到Apple生產的數(shù)百萬臺設備，為iPhone顯示屏添加防反射涂層的過程太慢了，因此即使它只計劃用于Pro機型，今年似乎仍然不可行。三星早在Galaxy S24 Ultra上就開始使用Gorilla Glass Armor面板，也是同類型技術，可以將反射減少75%，在強光、燈光下保持屏幕清晰可見。目前市面上流行的一種AR貼膜就使用了
  • 關鍵字： 工藝  蘋果  iPhone 17 Pro  屏幕抗  刮抗  反射涂層  

英特爾18A工藝雄心遇挫？旗艦2納米芯片據(jù)稱將外包給臺積電生產

  • 財聯(lián)社4月23日訊（編輯 馬蘭）據(jù)媒體報道，英特爾正委托臺積電使用其2納米制程生產Nova Lake CPU?？紤]到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過臺積電的2納米技術，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號。英特爾聲稱將為客戶提供最好的產品，而這可能是其將Nova Lake生產外包給臺積電的一個原因。但業(yè)內也懷疑，既然18A工藝已經投入了試生產，英特爾將生產外包可能是由于產能需求的驅動，而不是性能或回報等方面的問題。還有傳言稱，英特爾可能采取雙源戰(zhàn)略：既使用臺積電的2納米技術生產旗艦產品，
  • 關鍵字： 英特爾  18A  工藝  2納米芯片  臺積電  

展望2nm工藝的可持續(xù)性

  • 隨著半導體制造復雜性的不斷增加，相關的排放量正在以驚人的速度增長。TechInsights Manufacturing Carbon Module?數(shù)據(jù)顯示，位于俄勒岡州的下一代 2nm 晶圓廠將生產 ~30 萬 MtCO2e 每年消耗超過 400 GWh 的電力。鑒于對電力和范圍 2 排放的依賴，晶圓廠選址也起著重要作用，位于臺灣的同等晶圓廠每年產生的排放量幾乎是其三倍。有勝利。具有高晶體管密度的精細工藝可以大大減少每個晶體管的輻射。半導體制造的碳中和是可能的，但正如我們將要展示的那樣，這需要
  • 關鍵字： 2nm  工藝  202504  

英特爾突破關鍵制程技術：Intel 18A兩大核心技術解析

  • 半導體芯片制程技術的創(chuàng)新突破，是包括英特爾在內的所有芯片制造商們在未來能否立足AI和高性能計算時代的根本。年內即將亮相的Intel 18A，不僅是為此而生的關鍵制程技術突破，同時還肩負著讓英特爾重回技術創(chuàng)新最前沿的使命。那么Intel 18A為何如此重要？它能否成為助力英特爾重返全球半導體制程技術創(chuàng)新巔峰的“天命人”？RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術與PowerVia背面供電技術兩大關鍵技術突破，會給出世界一個答案。攻克兩大技術突破 實力出色RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術，是破除半
  • 關鍵字： 英特爾  EDA  工藝  

英特爾澄清：Intel 18A制程產品將于今年下半年如期發(fā)布

  • 據(jù)外媒報道，近日，英特爾投資者關系副總裁John Pitzer在公開澄清了關于基于Intel 18A制程的首款產品——Panther Lake推遲發(fā)布的傳聞。他表示，Panther Lake仍按計劃于今年下半年發(fā)布，發(fā)布時間并未改變，且英特爾對于目前的進展非常有信心。報道中稱，John Pitzer表示當前Panther Lake的良率水平甚至比同期Meteor Lake開發(fā)階段的表現(xiàn)還要略勝一籌。幾周前有技術論文指出， Intel 18A制程的SRAM密度表現(xiàn)已與臺積電N2工藝相當?！半m然技術比較存在多
  • 關鍵字： 英特爾  芯片支撐  工藝  

三星 SF4X 工藝獲 IP 生態(tài)支持：Blue Cheetah 流片 D2D 互聯(lián) PHY

  • 1 月 22 日消息，半導體互聯(lián) IP 企業(yè) Blue Cheetah 美國加州當?shù)貢r間昨日表示，其新一代 BlueLynx D2D 裸晶對裸晶互聯(lián) PHY 物理層芯片在三星 Foundry 的 SF4X 先進制程上成功流片（Tape-Out）。Blue Cheetah 在三星 SF4X 上制得的 D2D PHY 支持高級 2.5D 和標準 2D 芯粒封裝，總吞吐量突破 100 Tbps 大關，同時在面積和功耗表現(xiàn)上處于業(yè)界領先水平，將于 2025 年第二季度初在封裝應用中接受硅特性分析。Blue Che
  • 關鍵字： 三星  SF4X 工藝  Blue Cheetah  流片  D2D  互聯(lián)  PHY  

高通驍龍 8 至尊版 2 芯片曝料：單核破 4000 分，多核提升超 20%

  • 11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平臺發(fā)布推文，曝料稱高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績突破 4000 分，多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代驍龍 8 至尊版芯片（高通驍龍 8Gen 5）將混合使用三星的 SF2 代工和臺積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯(lián)發(fā)科天璣 9500 芯片均支持可擴展矩陣擴展（Scalable Matrix Extensio
  • 關鍵字： 高通  驍龍  單核  多核  三星  SF2 代工  臺積電的  N3P 工藝  

半導體行業(yè)最高性能！Eliyan 推出芯?；ミB PHY：3nm 工藝、64Gbps / bump

  • IT之家 10 月 12 日消息，Eliyan 公司于 10 月 9 日發(fā)布博文，宣布在美國加州成功交付首批 NuLink?-2.0 芯粒互連 PHY，該芯片采用 3nm 工藝制造。這項技術不僅實現(xiàn)了 64Gbps / bump 的行業(yè)最高性能，還在多芯粒架構中提供了卓越的帶寬和低功耗解決方案，標志著半導體互連領域的一次重大突破。IT之家注：芯粒互連 PHY 是一種用于連接多個芯片小塊（chiplet）的物理層接口，旨在實現(xiàn)高帶寬、低延遲和低功耗的數(shù)據(jù)傳輸。Eliyan 的芯片互連 P
  • 關鍵字： 芯片  芯片設計  工藝  

不再執(zhí)著制造工藝 華為：以系統(tǒng)設計工程建設消除芯片代差

  • 多年來持續(xù)試跨越芯片制造工藝代差的華為公司29日表示，通過系統(tǒng)的設計和工程建設能解決算力與分析能力的問題，從而消除在芯片上的代差。未來芯片創(chuàng)新不應只在單點的芯片工藝上，而是應該在系統(tǒng)架構上，要用空間、帶寬、能源來換取芯片工藝上的缺陷。據(jù)《快科技》報導，在今天的數(shù)據(jù)大會上，華為常務董事張平安就芯片技術發(fā)展發(fā)言指出，「通過系統(tǒng)的設計和工程建設可以解決我們整體數(shù)字中心的能力、算力和分析能力問題，可以消除我們在芯片上的代差。」張平安說，「在華為看來，AI數(shù)據(jù)中心耗能非常大，人工智能耗能更多，需要數(shù)能結合?！乖谶@之
  • 關鍵字： 工藝  華為  系統(tǒng)設計  芯片代差  

臺積電高管張曉強：不在乎摩爾定律是死是活

  • 近日，臺積電業(yè)務發(fā)展高級副總裁張曉強博士在接受采訪時被問到，如何看待“摩爾定律已死”的說法，而他的回答非常直接：“很簡單，不在乎。只要我們能繼續(xù)推動工藝進步，我就不在乎摩爾定律是活著，還是死了。”在張曉強看來，臺積電的優(yōu)勢在于，每年都能投產一種新的制程工藝，為客戶改進性能、功耗和面積 （PPA）指標進。比如說最近十年來，蘋果一直是臺積電的頭號客戶，而蘋果A/M系列處理器的演進，正好反映了臺積電工藝的變化。此外，AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
  • 關鍵字： 臺積電  摩爾定律  工藝  

Intel 3 “3nm 級”工藝技術正在大批量生產

  • 英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術已在兩個工廠進入大批量生產，并提供了有關新生產節(jié)點的一些額外細節(jié)。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節(jié)點針對的是英特爾自己的產品以及代工客戶。它還將在未來幾年內發(fā)展。英特爾代工技術開發(fā)副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進行大批量生產，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
  • 關鍵字： Intel 3  3nm   工藝  

谷歌已經與臺積電達成合作：首款芯片為Tensor G5，選擇3nm工藝制造

  • 此前有報道稱，明年谷歌可能會改變策略，在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線。為了更好地進行過渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區(qū)的研發(fā)中心。隨后泄露的數(shù)據(jù)庫信息表明，谷歌已經開始與臺積電展開合作，將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗證。據(jù)Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協(xié)議，后者將為Pixel系列產品線生產完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
  • 關鍵字： 谷歌  臺積電  Tensor G5  3nm  工藝  

全新芯片技術亮相：不增加功耗 / 熱量提高 CPU 性能最高 100 倍

  • IT之家 6 月 19 日消息，名為 Flow Computing 的芬蘭公司宣布新的研究成果，成功研發(fā)出全新的芯片，可以讓 CPU 性能翻倍，而且可以通過軟件優(yōu)化性能提高最多 100 倍。Flow Computing 演示了全新的并行處理單元（PPU），該公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Timo Valtonen 認為這項技術有著廣泛的應用前景：“CPU 是計算中最薄弱的環(huán)節(jié)。它無法勝任自己的任務，這一點需要改變?！痹撔酒夹g涉及一個配套芯片，不產生額外功耗或者更多熱量的情況下，能實時優(yōu)化處理任務
  • 關鍵字： CPU  工藝  荷蘭  

新型存儲技術迎制程突破

  • 近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計劃逐步推進制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術，屬于面向嵌入式領域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時寫入速度是NAND的1000倍數(shù)?；谏鲜鎏匦?，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產商之一，致力于推動eMRAM在汽車領域的應用。三
  • 關鍵字： 存儲  工藝  三星  
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