據(jù)外媒報道，三星電子即將在國際電子器件會議（IEDM）上報告其在新一代非易失性存儲器件領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。會議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實現(xiàn)了磁性隧道結(jié)堆疊的磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)制造，據(jù)稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。

該團(tuán)隊采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結(jié)擴(kuò)展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國際電子器件會議上就此進(jìn)行報告。

論文中提到，該團(tuán)隊生產(chǎn)了一個獨立的存儲器，其寫入能量要求為每比特25pJ，讀取的有效功率要求為14mW，寫入的有效功率要求為27mW，數(shù)據(jù)速率為每秒54Mbyte。

為了實現(xiàn)這一性能，研究團(tuán)隊將磁性隧道結(jié)縮小到三星的14nm FinFET邏輯平臺，與上一代28nm節(jié)點的MRAM相比，面積增加了33%，讀取時間加快了2.6倍。

該研究的目標(biāo)之一是證明嵌入式MRAM作為高速緩存存儲器適用于依賴大型數(shù)據(jù)集和分析的應(yīng)用，例如邊緣AI。