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首期年產3000萬顆UV LED芯片,山西中科潞安紫外光電項目投產

作者: 時間:2019-06-04 來源:集微網 收藏

近日,山西省產業(yè)聯(lián)盟授牌儀式、技術研究院落成典禮暨深紫外LED項目投產儀式在紫外光電科技有限公司舉行。

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/201906/401219.htm

山西中科潞安紫外光電科技有限公司官微顯示,中科潞安深紫外LED項目分兩期建設,總投資約20億元。其中,一期工程為年產3000萬顆紫外項目,投資5.4億元;二期工程為年產2億顆紫外項目,投資15億元。

中科潞安紫外光電科技有限公司董事長李晉閩表示,該項目于2018年12月完成項目的核心建設,經過5個月的調試運轉和工藝驗證,項目產線設備狀態(tài)和生產能力穩(wěn)健提升和完善,并于2019年5月30日正式投產。

此外,李晉閩還表示,未來隨著設計的年產3000萬顆深紫外LED的產能逐步釋放至滿產,將啟動更大規(guī)模的億顆深紫外的二期建設,逐步規(guī)劃對接資本市場。

會上,由中科潞安紫外光電科技有限公司、中科潞安技術研究院等半導體相關“產學研用”單位組建的山西省半導體產業(yè)聯(lián)盟正式揭牌,中科潞安半導體技術研究院也正式落成。 



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