全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱(chēng)，它已經(jīng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片在更薄的封裝中增加內(nèi)存的密度。

　　三星在聲明中稱(chēng)，三星本月初開(kāi)始大批量生產(chǎn)基于30納米級(jí)技術(shù)的4GB低功率雙數(shù)據(jù)速率2(LPDDR2) DRAM內(nèi)存芯片。

　　三星去年12月開(kāi)發(fā)出移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片。三星稱(chēng)，它是內(nèi)存行業(yè)首家使用30納米級(jí)技術(shù)生產(chǎn)這種內(nèi)存芯片的廠商。這將提高芯片的生產(chǎn)效率和節(jié)省成本。新型芯片比以前的芯片生產(chǎn)效率提高了大約60%。

　　最新的移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片能夠用于智能手機(jī)、平板電腦和其它更薄、更輕和速度更快的移動(dòng)設(shè)備。這種新型DRAM內(nèi)存芯片僅把兩個(gè)芯片疊加在一起都達(dá)到了四個(gè)芯片疊加在一起的同樣密度，從而減小了芯片的尺寸。三星負(fù)責(zé)內(nèi)存銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)的執(zhí)行副總裁Hong Wan-hoon在聲明中稱(chēng)，這種新的移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片能夠讓我們的OEM廠商客戶(hù)更快地把更加差異化的高性能移動(dòng)設(shè)備推向市場(chǎng)。