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事關(guān)芯片!我國(guó)成功開(kāi)發(fā)這一新技術(shù)

發(fā)布人:芯股嬸 時(shí)間:2025-03-31 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

近日,由西湖大學(xué)孵化的西湖儀器(杭州)技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱西湖儀器)近日成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底自動(dòng)化激光剝離,解決了12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片難題。

與傳統(tǒng)的硅材料相比,碳化硅具有更寬的禁帶能隙,以及更高的熔點(diǎn)、電子遷移率和熱導(dǎo)率。其能夠在高溫、高電壓條件下穩(wěn)定工作,已成為新能源和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迭代升級(jí)的關(guān)鍵材料,在電動(dòng)汽車、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、無(wú)線通信等領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。

“目前,碳化硅襯底材料成本居高不下,嚴(yán)重阻礙了碳化硅器件的大規(guī)模應(yīng)用?!蔽骱髮W(xué)工學(xué)院講席教授仇旻介紹,碳化硅行業(yè)降本增效的重要途徑之一,是制造更大尺寸的碳化硅襯底材料。與6英寸和8英寸碳化硅襯底相比,12英寸碳化硅襯底材料能夠進(jìn)一步擴(kuò)大單片晶圓上可用于芯片制造的面積,在同等生產(chǎn)條件下,顯著提升芯片產(chǎn)量,同時(shí)降低單位芯片制造成本。

此前,西湖儀器已率先推出8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底激光剝離設(shè)備。為響應(yīng)最新市場(chǎng)需求,西湖儀器迅速推出超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù),將超快激光加工技術(shù)應(yīng)用于碳化硅襯底加工行業(yè),完成了相關(guān)設(shè)備和集成系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)。

“超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)碳化硅晶錠的精準(zhǔn)定位、均勻加工、連續(xù)剝離。”仇旻介紹,一方面,該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了晶錠減薄、激光加工、襯底剝離等過(guò)程的自動(dòng)化;另一方面,與傳統(tǒng)切割技術(shù)相比,該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)激光剝離過(guò)程無(wú)材料損耗,原料損耗大幅下降。

不僅如此,仇旻還提到,超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)可大幅縮短襯底出片時(shí)間,適用于未來(lái)超大尺寸碳化硅襯底的規(guī)?;慨a(chǎn),有助于加速超大尺寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)迭代,進(jìn)一步促進(jìn)行業(yè)降本增效。


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關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體

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