據(jù)今日海滄消息，2月28日上午，士蘭微電子旗下廈門士蘭集宏半導體有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目，經(jīng)過8個月緊張有序地建設后，正式舉行全面封頂。

士蘭集宏項目總投資120億元，分兩期建設，總建筑面積達23.45萬㎡，一期投資70億元，預計2025年四季度初步通線、2026年一季度試生產(chǎn)，達產(chǎn)后年產(chǎn)能42萬片8英寸SiC芯片；二期投產(chǎn)后總產(chǎn)能將提升至72萬片/年，成為全球規(guī)模領先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線。該項目以SiC MOSFET為核心產(chǎn)品，主要服務于新能源汽車主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領域。

據(jù)悉，該項目以“廈門速度”推進，從談判簽約到開工僅用55天，鋼結(jié)構(gòu)首吊于1月21日完成，主廠房核心區(qū)22榀鋼桁架梁半月內(nèi)全部就位。

據(jù)悉，士蘭集宏項目達產(chǎn)后可滿足國內(nèi)40%以上的車規(guī)級SiC芯片需求，并帶動上下游產(chǎn)業(yè)鏈集聚廈門，加速第三代半導體材料、設備國產(chǎn)化進程。

此外，士蘭微已實現(xiàn)第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量產(chǎn)，其主驅(qū)模塊已獲國內(nèi)知名車企批量采購，技術(shù)實力進一步鞏固。

據(jù)士蘭微電子董事會秘書、副總裁陳越介紹，士蘭集宏力爭到2028年底最終形成，年產(chǎn)42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。屆時，項目可以較好地滿足國內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲能、充電樁、Ai服務器電源、大型白電智能功率模塊等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片，同時促進國內(nèi)8英寸碳化硅襯底及相關工藝裝備的協(xié)同發(fā)展。

據(jù)悉，項目全面達產(chǎn)后，預計年產(chǎn)值超120億元，助力廈門打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群，并為中國在全球功率半導體競爭中搶占高地。