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sas 存儲 文章 最新資訊

據(jù)報道，三星在 2025 年上半年 DRAM 市場份額降至 33%，押注 HBM 和 DDR5 復(fù)蘇

  • 三星電子因與英偉達(dá)的 HBM3E 驗證問題而面臨困境，據(jù)韓國媒體 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 報道，該公司在其 8 月 14 日發(fā)布的半年度報告中稱，其 DRAM 市場份額按價值計算在 2025 年上半年降至 32.7%，較去年的 41.5%下降了 8.8 個百分點。值得注意的是，《韓民族日報》報道，三星的 DRAM 市場份額首次跌破 40%，自 2014 年以來，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾達(dá)到 48%
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美光發(fā)布 G9 NAND SSD 用于人工智能，發(fā)送全球首款 PCIe Gen6 NVMe 樣品

  • 美光基于其 G9 NAND 平臺推出了三款突破性數(shù)據(jù)中心 SSD，鞏固了其在存儲領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。根據(jù)其新聞稿 ，該新系列提供了全球首款 PCIe Gen6 NVMe SSD，行業(yè)領(lǐng)先的 E3.S 容量，以及專為人工智能數(shù)據(jù)中心設(shè)計的低延遲主流 Gen5 SSD。Micron 9650 SSD：全球首款 PCIe Gen6 數(shù)據(jù)中心 SSD根據(jù)美光的說法，9650 SSD 無與倫比的 28 GB/s 性能極大地加速了 AI 訓(xùn)練和推理工作負(fù)載。與 Gen5 SSD 相比，9650 在每瓦性能方面表
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HBM 混合鍵合需求據(jù)報道在 2025 年下半年上升，BESI 和 ASMPT 展望增長

  • 根據(jù) ZDNet 在 25 日的報道，引用行業(yè)消息人士稱，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體后端設(shè)備制造商預(yù)計將在 2025 年下半年擴(kuò)大其 HBM 混合鍵合業(yè)務(wù)。BESI 預(yù)計 2025 年下半年混合鍵合訂單將增長7 月 24 日，荷蘭設(shè)備制造商 BESI 在其 2025 年第二季度財報中表示，預(yù)計第三季度將表現(xiàn)強(qiáng)勁，先進(jìn)封裝設(shè)備訂單（包括混合鍵合系統(tǒng)）將增加。該公司指出，混合鍵合工具的需求預(yù)計在 2025 年下半年將顯著增長——與上半年相比，也與 2024 年同期相比——因為客戶
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內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DDR4 價格下滑放緩，韓國內(nèi)存制造商引發(fā)大幅漲價

  • 根據(jù) TrendForce 最新內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于 DDR4，由于兩家主要韓國供應(yīng)商對消費級 DRAM 芯片實施了顯著的月度價格上調(diào)，之前的價格下跌趨勢有所緩解。至于 NAND 閃存，高容量產(chǎn)品受到買方和賣方預(yù)期價格差異的限制，實際交易中變得稀缺。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的現(xiàn)貨價格，由于兩家主要韓國供應(yīng)商對消費級 DRAM 芯片實施了大幅度的月度漲價，之前的價格下跌趨勢有所緩和。目前，DDR4 市場顯示現(xiàn)貨價格已停止下跌，交易量有明顯增加。轉(zhuǎn)向 DDR5 產(chǎn)品，隨著合約價
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DDR6 預(yù)計將于 2027 年大規(guī)模應(yīng)用，據(jù)報道內(nèi)存巨頭已最終完成原型設(shè)計

  • 隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)存巨頭正競相滿足來自移動和 AI 設(shè)備的激增需求。值得注意的是，據(jù)行業(yè)消息人士援引 商業(yè)時報 的報道，DDR6 預(yù)計將于 2027 年進(jìn)入大規(guī)模應(yīng)用。領(lǐng)先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已經(jīng)啟動了 DDR6 開發(fā)，重點關(guān)注芯片設(shè)計、控制器驗證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時報所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設(shè)計，現(xiàn)在正與內(nèi)存控制器和平臺參與者如英特爾和 AMD 合作進(jìn)行接口測試。在
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SOCAMM 在 HBM 之后點燃新的內(nèi)存戰(zhàn)——三星和 SK 海力士加入競爭

  • 據(jù)稱，英偉達(dá)今年計劃采購高達(dá) 80 萬個 SOCAMM 單位，三大內(nèi)存巨頭之間一個新的戰(zhàn)場正在形成。美國美光似乎正在領(lǐng)先，據(jù)報道，美光已開始為英偉達(dá)生產(chǎn) SOCAMM 模塊。與此同時，三星和 SK 海力士正積極加入競爭。以下是他們最新的進(jìn)展。什么是 SOCAMM？如 Hansbiz 所述，SOCAMM（小型輪廓壓縮附加內(nèi)存模塊）是一種新型服務(wù)器內(nèi)存模塊，使用低功耗 DRAM（LPDDR），并針對現(xiàn)有 HBM 無法完全支持的負(fù)載。韓國 Herald 解釋說，SOCAMM 垂直堆
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SK 海力士據(jù)報道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強(qiáng)勁

  • 隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4，預(yù)計出貨將在 2026 年初結(jié)束，合同價格持續(xù)上漲。據(jù)中國的 華爾街見聞 報道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價格上調(diào)約 20%，標(biāo)志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng)，該機(jī)構(gòu)指出，三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品，并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預(yù)測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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主要內(nèi)存制造商的 DDR4 退出時間表逐漸明朗：三星、SK 海力士和美光計劃

  • 隨著主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 DDR5 和 HBM，他們的 DDR4 淘汰時間表逐漸清晰。根據(jù)商業(yè)時報的報道，三星、SK 海力士和美光計劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調(diào)查也顯示，三大 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端產(chǎn)品，并已開始宣布 PC 和服務(wù)器級 DDR4 以及移動 LPDDR4X 的停產(chǎn)計劃。因此，預(yù)計 2025 年第三季度的傳統(tǒng) DRAM 合同價格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內(nèi)，整體 DRAM 價格預(yù)計將上漲 15%至 2
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美光是AI存儲領(lǐng)域下一個大贏家嗎？分析師認(rèn)為是的，但風(fēng)險仍然存在

  • 人工智能 （AI） 基礎(chǔ)設(shè)施的主導(dǎo)地位將 Micron Technology （MU） 推到了聚光燈下。該公司 2025 年第三季度的銷售額達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 93 億美元，同比增長 37%，凸顯了其在為 AI 系統(tǒng)供應(yīng)高帶寬內(nèi)存 （HBM） 芯片方面的關(guān)鍵作用。分析師認(rèn)為，美光在 AI 內(nèi)存熱潮中的戰(zhàn)略地位，加上被低估的倍數(shù)，使其成為一個引人注目的游戲。但與所有半導(dǎo)體股一樣，周期性風(fēng)險和估值障礙也迫在眉睫。以下是投資者應(yīng)該注意的原因，以及為什么謹(jǐn)慎仍然很重要。AI Memory 淘金熱美光
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新型單分子磁體技術(shù)或可解鎖容量提升 100 倍的硬盤

  • （圖片來源：Getty / Comezora）科學(xué)家們工程化的一種突破性新型分子，可能為存儲技術(shù)開啟100倍于當(dāng)前容量的新大門，這得益于一種能在所需低溫下用常見冷卻劑保持的單分子磁體，這是單分子磁體技術(shù)上的重大突破。曼徹斯特大學(xué)和澳大利亞國立大學(xué)（ANU）的化學(xué)家在《 自然 》上發(fā)表了研究結(jié)果。正如 Phys 所解釋的那樣，現(xiàn)代硬盤通過磁化由許多原子共同組成的小區(qū)域來存儲數(shù)據(jù)，而單分子磁體可以單獨存儲數(shù)據(jù)，無需鄰近分子的幫助，為超高密度數(shù)據(jù)存儲鋪平了道路。技術(shù)挑戰(zhàn)在
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內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DDR4 模塊價格超過 DDR5；關(guān)稅擔(dān)憂可能引發(fā)恐慌性購買

  • 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于 DRAM，DDR4 模塊的價格已經(jīng)超過了 DDR5 模塊的價格。展望未來，短期內(nèi)一個關(guān)鍵的關(guān)注點是新的美國關(guān)稅是否會被實施——這可能會引發(fā)又一波恐慌性購買。至于 NAND 閃存，由于國家補貼驅(qū)動的早期需求拉動，618 購物節(jié)對 NAND 閃存現(xiàn)貨價格和交易的影響弱于預(yù)期。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：現(xiàn)貨市場價格顯著上漲。此外，DDR4 模塊價格已超過 DDR5 模塊價格，從而本周需求略有放緩。然而，DDR4 產(chǎn)品的供應(yīng)緊張程度遠(yuǎn)比 DDR5
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歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價格飆升，據(jù)報道使 DDR5 翻倍，推動南亞科技的庫存暴利

  • 上周，臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據(jù)報道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報價，因為價格飆升?，F(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利，根據(jù)經(jīng)濟(jì)日報的最新數(shù)據(jù)，引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產(chǎn)，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應(yīng)商。據(jù)報告稱，南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀(jì)錄的 37.59 億新
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據(jù)報道三星 1c DRAM 良率高達(dá) 70%，為年底推出 HBM4 鋪平道路

  • 隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進(jìn)展上，據(jù)報道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報道，該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM（1c DRAM）晶圓測試中實現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高，該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模，根據(jù)
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臺灣地區(qū)的 DRAM 供應(yīng)商南亞科技據(jù)報道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價格報價，庫存緊張

  • 隨著三星和美光等主要內(nèi)存制造商減少 DDR4 生產(chǎn)并價格上漲，據(jù)報道，臺灣地區(qū)的主要供應(yīng)商南亞科技已暫停報價，這表明供應(yīng)緊張和需求增長，據(jù)經(jīng)濟(jì)日報報道。行業(yè)消息人士進(jìn)一步解釋說，報價暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場，而在合同市場，供應(yīng)商正在囤積庫存并穩(wěn)步推高價格。TrendForce 的最新調(diào)查發(fā)現(xiàn)，由于兩大主要 DRAM 供應(yīng)商減少 DDR4 生產(chǎn)以及買家在美國關(guān)稅變化前加速采購，服務(wù)器和 PC 的 DDR4 合同價格預(yù)計將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務(wù)器 DDR4 合同價格預(yù)計環(huán)比將上漲
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Solidigm：大容量、高性能存儲，AI時代數(shù)據(jù)中心加速器

  • 當(dāng)AI的浪潮席卷而來，存力與算力密切“配合”，為充分釋放AI潛能提供強(qiáng)大支撐。在今日開幕的2025中國智算中心全棧技術(shù)大會上，Solidigm（思得）亞太區(qū)應(yīng)用工程部總監(jiān)翁昀以《加速存儲創(chuàng)新，擁抱AI時代》為主題的演講，向與會者介紹了以Solidigm大容量、高性能SSD為核心的存儲系統(tǒng)，如何在AI時代不斷提升效率、降低能耗，成為支撐人工智能發(fā)展支柱的實踐經(jīng)驗。隨著AI對存力需求的不斷提升，傳統(tǒng)存儲往往會制約數(shù)據(jù)處理速度的提升，其高能耗也給數(shù)據(jù)中心的資源帶來壓力。Solidigm大容量SSD能夠在更小的空
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