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集邦咨詢：存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩
- 邁過2023年的經(jīng)濟逆風行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
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CFMS2024：江波龍解碼如何打破存儲模組廠的經(jīng)營魔咒
- 備受矚目的2024中國閃存市場峰會（簡稱“CFMS2024”）將于3月20日在深圳盛大開幕。本屆峰會以“存儲周期 激發(fā)潛能”為主題，旨在探討存儲行業(yè)在新市場形勢下的機遇與挑戰(zhàn)，匯聚全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈及終端應(yīng)用企業(yè)的智慧與力量，共謀行業(yè)發(fā)展。 作為本次大會的重要參展企業(yè)之一，江波龍董事長、總經(jīng)理蔡華波將發(fā)表題為《突破存儲模組經(jīng)營魔咒》的演講，深入探討存儲模組領(lǐng)域的經(jīng)營挑戰(zhàn)與突破之道，分享江波龍的創(chuàng)新與發(fā)展動向。值得一提的是，江波龍在今年1月份公告中披露，2023年預(yù)估營業(yè)收入同比增長約20%~26%，
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存儲大廠10億美元加碼HBM先進封裝
- SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長認為，半導體行業(yè)前50年都在專注芯片本身的設(shè)計和制造，但是，下一個 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開。據(jù)彭博社報道，SK海力士（SK Hynix）今年將在韓國投資超過10億美元，用于擴大和改進其芯片制造的最后步驟，即先進封裝。前三星電子工程師、現(xiàn)任 SK Hynix 封裝開發(fā)主管的李康旭表示，推進封裝工藝創(chuàng)新是提高HBM性能、降低功耗的關(guān)鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場領(lǐng)先地位的必由之路。高度聚焦先進封裝SK海力士HBM不斷擴產(chǎn)SK海力士在最近的財報中表示，
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HBM：屬于大廠的游戲，而非全部存儲廠商的狂歡？
- 近期，存儲廠商南亞科總經(jīng)理李培瑛對外表示，HBM目前產(chǎn)品溢價較高，確實會對存儲器廠商營收有所貢獻，但其占全球DRAM位元數(shù)僅約2%。因此，以當前南亞科在DRAM市場的市占率而言，現(xiàn)階段不適合公司投入大量資源爭奪HBM市場。存儲市場正掀起AI狂歡熱潮，HBM技術(shù)也從幕后走向臺前，并成為推動存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的強勁動能。不過，HBM技術(shù)含量高、在DRAM占比小，因此決定了該技術(shù)是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”，而非全部存儲廠商的“狂歡”。如今，存儲大廠的HBM戰(zhàn)局已然打響，并瞄準了最新的HBM3E技術(shù)
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2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長 24.5%：三星增長 44.8% 居首位
- IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布市場研究報告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元，環(huán)比增長 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲，預(yù)估環(huán)比會繼續(xù)增長兩成。三星第四季營收以三星（Samsung）增長幅度最高，主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%，平均銷售價格環(huán)比增加 12%，帶動營收上升至 42 億美元，環(huán)比增加 44.8%。SK 集團SK 集團（SK Group）受惠于價
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戴爾2024財年營收884億美元，AI服務(wù)器訂單激增40%
- 戴爾公布了2024財年第四財季及全年業(yè)績報告，第四財季營收為223億美元，全年營收為884億美元。并且透露在AI服務(wù)器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了顯著增長，計劃在5月的戴爾科技世界大會上推出一系列新的AI產(chǎn)品和解決方案。在AI服務(wù)器領(lǐng)域，戴爾表示經(jīng)過AI優(yōu)化的產(chǎn)品訂單環(huán)比增長了40%，實現(xiàn)8億美元的銷售額，積壓訂單翻倍至29億美元。盡管供應(yīng)仍面臨挑戰(zhàn)，但H100交付周期有所改善，客戶對H200和MI300X產(chǎn)品表現(xiàn)出濃厚興趣。傳統(tǒng)服務(wù)器業(yè)務(wù)方面，報告稱Q4業(yè)務(wù)同比增長，連續(xù)三個季度實現(xiàn)環(huán)比增長，結(jié)束了歷史上最長的消化期。戴
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又一存儲大廠DRAM考慮采用MUF技術(shù)
- 韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導體上打上數(shù)千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個半導體牢固地固定并連接起來。而經(jīng)過測試后獲得的結(jié)論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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美光開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案，加速人工智能發(fā)展
- 全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進展持續(xù)保持行業(yè)領(lǐng)先地位，并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能（AI）解決方案賦能。HBM3E：推動人工智能革命隨著人工智能需求的持續(xù)激增，內(nèi)存解決方案對于滿足工作負載需求
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春日有禮，西部數(shù)據(jù)和“她”一起開啟存儲煥新計劃
- 每一個女孩都是獨特而美麗的存在，享受生活的同時不忘記錄那些難忘的瞬間。3.8春季大促，西部數(shù)據(jù)帶來了令人怦然心動的存儲購物清單，助力每一位“她”記錄生活亮點，高效應(yīng)對職場與學習。還不快拿上小本本，選擇適合自己的存儲好物！廣闊世界“她”記錄自媒體盛行的時代下，女性憑借在內(nèi)容創(chuàng)作領(lǐng)域獨特的天賦與細膩，盡情展現(xiàn)著自由且多元的力量。西部數(shù)據(jù)的WD Blue? SN580 NVMe? SSD順序讀取速度高達4,150 MB/s[i] （1TB和2TB型號[ii]），提供高達2TBii容量規(guī)格，同時搭載的nCache
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美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品
- 2月28日，存儲大廠美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品，采用232層3D NAND技術(shù)，可提供256GB、512GB和1TB三種容量。自去年6月推出11mm x 13mm封裝規(guī)格的UFS4.0解決方案后，美光進一步縮小UFS4.0的外形規(guī)格以實現(xiàn)更緊湊的9mm x 13mm托管型NAND封裝。性能上，美光UFS4.0的順序讀取速度和順序?qū)懭胨俣确謩e高達4300MBps和4000MBps，較前代產(chǎn)品相比性能提升一倍，據(jù)悉，生成式AI應(yīng)用中的大語言模型加載速度可提高40%。此次增強版UFS4.0基于
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美光高性能內(nèi)存和存儲助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機提升邊緣 AI 體驗
- 2024 年 3 月 1 日，中國上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機榮耀 Magic6 Pro 提供端側(cè)人工智能體驗。該手機支持 70 億參數(shù)的大語言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），開創(chuàng)了端側(cè)生成式人工智能新時代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心，在美光內(nèi)存和存儲的加持下，實現(xiàn)了升級版預(yù)測性和
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兩家存儲大廠：今年HBM售罄
- 近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準HBM擴產(chǎn)。其中，三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產(chǎn)。到下半年，其占比預(yù)計將
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江波龍車規(guī)級存儲解決方案
- 江波龍電子在設(shè)計、資源、測試、驗證全方位布局以保證汽車存儲產(chǎn)品在高低溫變化、復雜電磁環(huán)境、物理沖擊、振動等嚴苛環(huán)境下始終可靠穩(wěn)定運行。SPI NAND Flash該存儲采用WSON8封裝，可節(jié)約PCB空間，除此之外，其優(yōu)勢還有支持通用SPI接口，包括雙I/O或四I/O，帶有內(nèi)部ECC，使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時，保證數(shù)據(jù)可靠性，并支持OTP，為客戶提供更多存儲安全信息的區(qū)域。該產(chǎn)品閃存介質(zhì)為SLC NAND，容量從512MB到4GB，工作溫度最大范圍為-40~85℃。該產(chǎn)品的應(yīng)用范圍較廣，可在Wifi
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局
- 從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
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