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mobile dram 文章 最新資訊

2025年第二季度DRAM營收增長，SK海力士蟬聯(lián)第一

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度，全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收達到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價的上漲以及出貨量的顯著提升，同時HBM出貨規(guī)模的擴大也起到了推動作用。集邦咨詢分析稱，PC OEM、智能手機以及CSP廠商的采購需求逐步回升，推動DRAM原廠加速去庫存化，多數(shù)產(chǎn)品的合約價已止跌回升。在廠商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續(xù)穩(wěn)居前三。三星在第二季度的表現(xiàn)相對平穩(wěn)，其售價和位元出貨量均
  • 關鍵字： DRAM  SK海力士  

內存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應鏈的依賴

  • 根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK
  • 關鍵字： 內存  NAND  DRAM  

實現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世

  • 高密度 3D DRAM 可能即將到來。
  • 關鍵字： 3D DRAM  

2025年第二季度全球DRAM市場分析

  • 在AI需求爆發(fā)與高價值產(chǎn)品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現(xiàn)量價齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢，二季度DRAM銷售收入達122.71億美元，環(huán)比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續(xù)第二個季度穩(wěn)居全球第一，并進一步拉開與三星的差距。· 三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
  • 關鍵字： DRAM  SK海力士  三星  美光  HBM  

SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未來DRAM技術路線圖

  • SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術官（CTO）車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動DRAM技術創(chuàng)新：邁向可持續(xù)未來”的全體會議。首席技術官 Cha 在演講中解釋說，通過當前的技術平臺擴展來提高性能和容量變得越來越困難。“為了克服這些限制，SK海力士將在結構、材料和組件方面進行創(chuàng)新，將4F2 VG（垂直門）平臺和3D DRAM技術應用于10納米級或以下的技術。4F2 VG平臺是下一代
  • 關鍵字： SK海力士  IEEE  VLSI 2025  DRAM  

中國研究團隊在半導體領域取得新突破，基于 DRAM 原理

  • 目前，在自動駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設備生成的實時環(huán)境數(shù)據(jù)，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經(jīng)元行為的神經(jīng)形態(tài)硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發(fā)展?，F(xiàn)有研究已探索具有突觸可塑性（即通過自適應變化來增強或減弱突觸連接）的硬件，但要完全模擬學習和記憶過程，多種可塑性機制——包括內在可塑性——必須協(xié)同工作。為解決這一問題，由復旦大學微電子學院包文忠教授、集成電路與微納電子創(chuàng)新學院周鵬教授以及香港理工大學蔡陽教授領銜的聯(lián)合研究團隊提出了一種
  • 關鍵字： DRAM  閃存  半導體  

據(jù)報道，三星在 2025 年上半年 DRAM 市場份額降至 33%，押注 HBM 和 DDR5 復蘇

  • 三星電子因與英偉達的 HBM3E 驗證問題而面臨困境，據(jù)韓國媒體 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 報道，該公司在其 8 月 14 日發(fā)布的半年度報告中稱，其 DRAM 市場份額按價值計算在 2025 年上半年降至 32.7%，較去年的 41.5%下降了 8.8 個百分點。值得注意的是，《韓民族日報》報道，三星的 DRAM 市場份額首次跌破 40%，自 2014 年以來，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾達到 48%
  • 關鍵字： 三星  DRAM  存儲  

內存現(xiàn)貨價格更新：DDR4 價格下滑放緩，韓國內存制造商引發(fā)大幅漲價

  • 根據(jù) TrendForce 最新內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DDR4，由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了顯著的月度價格上調，之前的價格下跌趨勢有所緩解。至于 NAND 閃存，高容量產(chǎn)品受到買方和賣方預期價格差異的限制，實際交易中變得稀缺。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：關于 DDR4 產(chǎn)品的現(xiàn)貨價格，由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了大幅度的月度漲價，之前的價格下跌趨勢有所緩和。目前，DDR4 市場顯示現(xiàn)貨價格已停止下跌，交易量有明顯增加。轉向 DDR5 產(chǎn)品，隨著合約價
  • 關鍵字： 存儲  DRAM  DDR4  

DDR6 預計將于 2027 年大規(guī)模應用，據(jù)報道內存巨頭已最終完成原型設計

  • 隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標準，內存巨頭正競相滿足來自移動和 AI 設備的激增需求。值得注意的是，據(jù)行業(yè)消息人士援引 商業(yè)時報 的報道，DDR6 預計將于 2027 年進入大規(guī)模應用。領先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已經(jīng)啟動了 DDR6 開發(fā)，重點關注芯片設計、控制器驗證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時報所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設計，現(xiàn)在正與內存控制器和平臺參與者如英特爾和 AMD 合作進行接口測試。在
  • 關鍵字： DDR6  DRAM  存儲  

中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產(chǎn)

  • 中國存儲半導體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國內市場需求和政府補貼的推動下，中國內存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
  • 關鍵字： CXMT  YMTC  DRAM  NAND  

SK 海力士據(jù)報道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價格上調 20%，因 Q3 需求保持強勁

  • 隨著內存制造商逐步淘汰 DDR4，預計出貨將在 2026 年初結束，合同價格持續(xù)上漲。據(jù)中國的 華爾街見聞 報道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內存的合同價格上調約 20%，標志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應，該機構指出，三大主要 DRAM 供應商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品，并逐步淘汰 PC、服務器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
  • 關鍵字： DDR4  DRAM  存儲  

內存現(xiàn)貨價格更新：16Gb DDR4 消費者內存價格上升，而 PC 內存失去動力

  • 根據(jù) TrendForce 最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現(xiàn)輕微回調。至于 NAND 閃存，供應商逐步釋放產(chǎn)能資源，加上中國國家補貼的減弱效應，導致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
  • 關鍵字： 內存  DDR4  DRAM  

歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價格飆升，據(jù)報道使 DDR5 翻倍，推動南亞科技的庫存暴利

  • 上周，臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據(jù)報道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報價，因為價格飆升。現(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利，根據(jù)經(jīng)濟日報的最新數(shù)據(jù)，引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產(chǎn)，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應商。據(jù)報告稱，南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀錄的 37.59 億新
  • 關鍵字： DDR4  DRAM  存儲  

適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成

  • 東京科學研究所在 IEEE電子元件和技術會議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進展?！斑@些新技術可以幫助滿足高性能計算應用的需求，這些應用需要高內存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBCube 結合使用晶圓上晶圓 （WOW） 和晶圓上芯片 （COW） 技術，將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱，而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開發(fā)的，而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓，實現(xiàn)了 10μm 的
  • 關鍵字： DRAM  處理器  3D堆棧集成  

臺灣地區(qū)的 DRAM 供應商南亞科技據(jù)報道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價格報價，庫存緊張

  • 隨著三星和美光等主要內存制造商減少 DDR4 生產(chǎn)并價格上漲，據(jù)報道，臺灣地區(qū)的主要供應商南亞科技已暫停報價，這表明供應緊張和需求增長，據(jù)經(jīng)濟日報報道。行業(yè)消息人士進一步解釋說，報價暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場，而在合同市場，供應商正在囤積庫存并穩(wěn)步推高價格。TrendForce 的最新調查發(fā)現(xiàn)，由于兩大主要 DRAM 供應商減少 DDR4 生產(chǎn)以及買家在美國關稅變化前加速采購，服務器和 PC 的 DDR4 合同價格預計將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務器 DDR4 合同價格預計環(huán)比將上漲
  • 關鍵字： DRAM  存儲  市場分析  
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