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低電壓CMOS運(yùn)算放大器輸入級(jí)的研究

近年來，電子產(chǎn)品不斷向小型化和便攜式方向發(fā)展，需要低電壓、低功耗的集成電路，以延長(zhǎng)電池的使用壽命。CMOS技術(shù)可以將包括數(shù)字電路和模擬電路的整個(gè)系統(tǒng)同時(shí)封裝和制造在一個(gè)芯片上。因此，低電壓、低功耗的要求，不僅是對(duì)數(shù)字集成電路，也同樣針對(duì)于模擬集成電路。由于數(shù)字集成電路工作在開關(guān)狀態(tài)，通過合理減小電路尺寸，不難滿足其要求。但是，對(duì)于模擬集成電路，由于場(chǎng)效應(yīng)管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降，如果采用低電壓供電，將使輸出范圍大大減小，輸出電流的信噪比(S/N)減小，共模抑制比(CMRR)降
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iSuppli:08年3月前全球DRAM銷售恐減緩

　　5月29日消息，美國(guó)研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示，到2008年3月以前，全球DRAM銷售將減緩，出貨增長(zhǎng)將壓低價(jià)格。　　iSuppli今天在韓國(guó)首爾的科技會(huì)議上發(fā)表聲明指出，全球DRAM到明年3月以前將持續(xù)減緩。　　iSuppli指出，2010年全球DRAM銷售將由去年的339億美元增至457億美元。
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DRAM廠減產(chǎn)　DRAM售價(jià)瀕臨變動(dòng)成本

近來對(duì)于所有DRAM廠來說都面臨慘不忍睹的情況，原因在于DRAM售價(jià)重挫，幾乎已到了寧可關(guān)廠不做生意的階段。DRAM廠已展開一波自救計(jì)劃，部分DRAM廠已正式啟動(dòng)產(chǎn)能調(diào)配計(jì)劃，希望通過這樣動(dòng)作來減少虧損，也因?yàn)镈RAM廠已開始減產(chǎn)，DRAM廠認(rèn)為第三季度應(yīng)該可以見到減產(chǎn)后對(duì)于整體DRAM供需平穩(wěn)成效。過去幾個(gè)月以來全球DRAM售價(jià)不斷出現(xiàn)暴跌，雖說目前價(jià)格略微回穩(wěn)，不過整體來說DRAM廠還是面臨到嚴(yán)重虧損壓力，DRAM廠坦承這樣的售價(jià)幾乎已是跌到DRAM廠采用12英寸廠90納米工藝技術(shù)時(shí)所需的變動(dòng)成本，
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三大DRAM廠商瘋狂擴(kuò)產(chǎn) 致內(nèi)存價(jià)崩潰

　　據(jù)業(yè)界消息稱，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(dá)(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導(dǎo)體（Hynix Semiconductor Inc.)等三家內(nèi)存廠商提高了DRAM的產(chǎn)量，因此DRAM內(nèi)存價(jià)格近期出現(xiàn)大幅下跌。　　據(jù)悉，這三家廠商紛紛調(diào)整調(diào)整產(chǎn)能，將之前生產(chǎn)其它類型產(chǎn)品的生產(chǎn)線全部轉(zhuǎn)而生產(chǎn)DRAM內(nèi)存。據(jù)預(yù)測(cè)，07年第二季度受上述三家廠商產(chǎn)能調(diào)節(jié)影響，全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)量將增長(zhǎng)20-30%。　　美光科技由于預(yù)測(cè)07年受手機(jī)市場(chǎng)帶動(dòng)，CIS（C
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海力士半導(dǎo)體預(yù)期DRAM產(chǎn)業(yè)將在今年7-8月起好轉(zhuǎn)

　　5月16日，據(jù)香港媒體報(bào)道，海力士半導(dǎo)體高層主管今日表示，公司正處于電腦芯片不景氣的低潮期，但是有望在7月或者8月開始得到好轉(zhuǎn)。　　海力士策略規(guī)劃資深副總裁O.C. Kwon對(duì)媒體表示，目前，移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備的價(jià)格尚沒有止跌，但是希望下半年通過供需的改善，需求應(yīng)該會(huì)快速成長(zhǎng)。　　2006年，由于電腦存儲(chǔ)芯片需求超過預(yù)期，導(dǎo)致制造商將更多的產(chǎn)能投入其中，最后導(dǎo)致供過于求。除了供需失衡影響外，微軟的Vista系統(tǒng)的相關(guān)新需求也令這些廠商們失望。
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一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路

在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩(wěn)定尤為重要，因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對(duì)于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統(tǒng)在正常工作時(shí)，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過HSPICE仿真。此電
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CMOS在大范圍醫(yī)療及其他新型圖形傳感器應(yīng)用中贏得市場(chǎng)

目前，傳統(tǒng)的電荷耦合設(shè)備（CCD）圖像傳感器技術(shù)已不能滿足工業(yè)及專業(yè)圖像抓?。╥mage capture）應(yīng)用的需要?；跇?biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)的新型圖像傳感器技術(shù)以其高度靈活性、出色的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性以及在各種系統(tǒng)環(huán)境下表現(xiàn)出的易集成性在醫(yī)用電子產(chǎn)品行業(yè)中開創(chuàng)出了一個(gè)全新領(lǐng)域，為用戶提供了更多選擇。從CCD到CMOS：大勢(shì)所趨在過去三十年左右的時(shí)間里，CCD技術(shù)一直被用于圖像轉(zhuǎn)換。CCD是一種成熟的技術(shù)，能夠在低噪聲的前提下提供優(yōu)質(zhì)圖像，作為電荷耦合器件在像素間完成圖像數(shù)據(jù)的串行傳輸。為
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嵌入式CMOS成像器速度全息數(shù)據(jù)檢索

過去，由于缺乏低成本系統(tǒng)部件，或因全息多路技術(shù)過于復(fù)雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品的開發(fā)受到限制。現(xiàn)在，已經(jīng)進(jìn)入消費(fèi)類屏幕市場(chǎng)的數(shù)字微鏡設(shè)備以及用于高速機(jī)器視覺應(yīng)用、基于CMOS的有源像素探測(cè)器陣列將使這種狀況得以改觀。舉例來說，由于微鏡設(shè)備可被有效地用作空間光調(diào)制器（spatial light modulator），因此高速CMOS成像器可用來讀取全息媒體中包含的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。在傳統(tǒng)光學(xué)存儲(chǔ)設(shè)備中，數(shù)
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用于通用X射線應(yīng)用的晶圓級(jí)有源像素CMOS圖像傳感器

摘要: 本文以使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)和有源像素架構(gòu)的CMOS有源像素傳感器為研究對(duì)象。該傳感器專為X射線成像系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，具有噪聲低和感光度高等特點(diǎn)。這種傳感器已使用標(biāo)準(zhǔn)0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對(duì)角長(zhǎng)度略大于190mm。本文對(duì)傳感器的圖紙?jiān)O(shè)計(jì)、拼接圖和已得到開發(fā)的電子光學(xué)性能進(jìn)行了論述。 &nbs
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DRAM價(jià)格或?qū)⒂|底，NAND供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品

據(jù)Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價(jià)格下跌到了20美元左右，這也影響到了現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格走勢(shì)。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季，PC廠商將增加庫存，預(yù)計(jì)DRAM需求將隨之增長(zhǎng)。因此，DRAM價(jià)格可能在2007年下半年觸底。價(jià)格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績(jī)的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
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OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程

沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運(yùn)算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運(yùn)用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續(xù)針對(duì)可攜式等用途產(chǎn)品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù)，適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示，該公司未來將靈活運(yùn)用這一特長(zhǎng)，加強(qiáng)與連接微處理器的數(shù)字輸出電路，進(jìn)而與感測(cè)式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容；未來
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全球12吋DRAM廠版圖擴(kuò)大　亞洲成為戰(zhàn)略重地

全球DRAM產(chǎn)業(yè)版圖在奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)正式對(duì)外宣布，將在未來5年出資20億歐元，在亞洲地區(qū)自行興建第1座12吋廠，自此可說全球DRAM大廠從東北亞到東南亞均已到場(chǎng)卡位，其中，北有爾必達(dá)(Elpida)、三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)，中有臺(tái)灣DRAM四寶及大陸中芯，南則有美光(Micron)、奇夢(mèng)達(dá)，全球各大DRAM廠幾乎都在亞洲建先進(jìn)廠。奇夢(mèng)達(dá)26日表示，未來5年內(nèi)將在新加坡花費(fèi)高達(dá)20億歐元興建12吋廠，奇夢(mèng)達(dá)全球總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)羅建
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Hynix勢(shì)頭迅猛三星DRAM冠軍寶座岌岌可危

4月28日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，權(quán)威調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner日前指出，三星在全球DRAM市場(chǎng)的份額已降至7年來的最低點(diǎn)，可能被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Hynix超越。據(jù)Gartner的初步報(bào)告顯示，今年第一季度，三星全球DRAM市場(chǎng)份額已降至25.5%，比第二名的Hynix僅高出2.7個(gè)百分點(diǎn)。這是自2000年以來，三星在DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)最糟糕的一次。在過去的五年中，三星的DRAM市場(chǎng)份額平均比第二名高出17%。相比之下，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Hynix的市場(chǎng)份額達(dá)到了22.8%。銷售額達(dá)到了21.82億美元，同比增長(zhǎng)6
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常用CMOS模擬開關(guān)功能和原理

開關(guān)在電路中起接通信號(hào)或斷開信號(hào)的作用。最常見的可控開關(guān)是繼電器,當(dāng)給驅(qū)動(dòng)繼電器的驅(qū)動(dòng)電路加高電平或低電平時(shí),繼電器就吸合或釋放,其觸點(diǎn)接通或斷開電路。CMOS模擬開關(guān)是一種可控開關(guān),它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場(chǎng)合,只適于處理幅度不超過其工作電壓、電流較小的模擬或數(shù)字信號(hào)。一、常用CMOS模擬開關(guān)引腳功能和工作原理 1.四雙向模擬開關(guān)CD4066 CD4066的引腳功能如圖1所示。每個(gè)封裝內(nèi)部有4個(gè)獨(dú)立的模擬開關(guān),每個(gè)模擬開關(guān)有輸入、輸出、控制三個(gè)端子,其中輸入端和輸出端可互換。當(dāng)控
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DRAM內(nèi)存可能被淘汰 PRAM才是正道

　　4月19日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾日前表示，其所開發(fā)的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PRAM）有潛力取代當(dāng)前的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。　　在日前于北京召開的“英特爾信息技術(shù)峰會(huì)（IDF）”上，英特爾首席技術(shù)官Justin Rattner展示了新型PRAM內(nèi)存，并表示，PRAM有潛力取代當(dāng)前的DRAM。　　Rattner還稱，英特爾開發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據(jù)悉，PRAM是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品，它集DRAM內(nèi)存的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來D
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