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索尼與奇夢達組建合資公司 開發(fā)DRAM儲存芯片
- 地時間本周二,日本索尼和德國芯片制造商奇夢達宣布,它們計劃建立一個芯片設(shè)計合資機構(gòu),開發(fā)消費電子和游戲機使用的DRAM儲存芯片。 兩公司在一份聯(lián)合聲明中稱,新的合資機構(gòu)稱為 Qreatic Design,計劃在今年年前在東京成立,在由雙方30名專家組成的芯片設(shè)計合資公司中,兩公司將各自擁有50%的股份。合資公司主要開發(fā)高性能、低能量消耗、嵌入式的、明確用于消費電子產(chǎn)品的DRAM芯片。 奇夢達是全球最大的DRAM儲存芯片制造商之一,盡管索尼內(nèi)部擁有它自己的芯片設(shè)計
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凌力爾特推出CMOS 運算放大器 LTC6081 和 LTC6082
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 CMOS 運算放大器 LTC6081 和 LTC6082,這兩款器件在 -40oC 至 +125oC 的整個溫度范圍內(nèi)以 3.5MHz 的增益帶寬和低于 90uV 的偏移突破了精確度極限。雙路 LTC6081 和 四路 LTC6082 具有軌至軌輸入和輸出級,實現(xiàn)了僅為 1.3uVp-p 的低頻噪聲以及在 25oC 時最大為 1pA 的低輸入偏置電流,非常適用于精密儀器。 LTC6081 和 LTC6082
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射頻芯片:工藝成本功耗是永恒熱點
- 支持手機功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認為是中國無線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年,國內(nèi)兩家領(lǐng)先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片,一舉彌補了中國TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后,銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA/GSM雙模射頻芯片”。CMOS工藝正逐漸取代硅鍺BiCMOS工藝和硅BiCMOS工藝成為射頻芯片的主流工藝,與此
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集邦:9月下旬DRAM合約價格預(yù)計下滑10%
- DRAM現(xiàn)貨市場需求不佳,整體報價呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達7.8%,價格下跌至1.54美元。其余顆粒報價皆呈現(xiàn)微幅下跌,DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來由于市場需求不振以及買賣雙方抱持觀望的態(tài)度,使得價格持續(xù)緩跌。然而當(dāng)DDR2eTT價格跌破5月低點后,部分分銷商及模塊廠開始備貨,使得現(xiàn)貨價格出現(xiàn)反彈,間接帶動了些許買氣。而合約市場方面,由于現(xiàn)貨價格快速下跌,加上PCOEM廠商已經(jīng)備足旺季所需的庫存水位,因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動作。
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DRAM價格跌至新低 分析師稱還可能進一步下滑
- 據(jù)國外媒體報道,所有想為自己電腦增加更多內(nèi)存的人都贏得了來自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競爭使得內(nèi)存價格猛跌,行業(yè)分析師預(yù)測,DRAM價格還將進一步下降。 使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價格已比兩周前下跌了12.5%,周二時跌至1.75美元,創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運營一家對內(nèi)存芯片進行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。 這條重大新聞將對用戶產(chǎn)生三個重大影響:第一,DRAM價格下跌將增加惠普和戴爾這類電腦制
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安森美推出便攜設(shè)備電源穩(wěn)壓應(yīng)用的低壓降穩(wěn)壓器
- 安森美半導(dǎo)體推出極高精度的NCP590系列雙輸出CMOS低壓降(LDO)穩(wěn)壓器。該系列器件采用超小、低高度的封裝,非常適合電池供電的消費類產(chǎn)品和微處理器控制的便攜應(yīng)用,如手機、個人數(shù)字助理(PDA)、GPS和便攜式媒體播放器(PMP)。 NCP590 LDO系列每路輸出能夠提供高達300毫安(mA)的電流,特別結(jié)合了工藝與架構(gòu),能夠提供快速的客戶反應(yīng)和極高的靈活性。0.8伏(V)到5 V的電壓范圍能夠配合客戶的不同需求。無論使用哪種類型的電容,或在空載條件下,NCP590都能穩(wěn)定工作。
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ST推出最新的DRAM內(nèi)存模塊標準專用溫度傳感器
- 高性能模擬器件和混合信號產(chǎn)品的主導(dǎo)廠商之一的意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所:STM)今天推出兩款高精度專用數(shù)字溫度傳感器芯片,新產(chǎn)品完全符合個人計算機雙列直插內(nèi)存模塊(DIMM)的溫度監(jiān)測標準JEDEC JC42.4的規(guī)定。 計算機等系統(tǒng)內(nèi)的雙速率DDR2和DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速度比上一代標準更快,但是內(nèi)存過熱的風(fēng)險也隨之增加。溫度傳感器可以監(jiān)視內(nèi)存溫度,為中央處理器調(diào)整數(shù)據(jù)流量和采取防過熱措施提供依據(jù),因此溫度傳感器在系統(tǒng)設(shè)計中變得更為重要。 STTS424是一個獨立使用的數(shù)字溫度傳感器芯片,而STTS
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安華高科技推出采用65 nm CMOS工藝的SerDes
- Avago Technologies(安華高科技)宣布,已經(jīng)在65納米(nm) CMOS工藝技術(shù)上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能輸出。持續(xù)其在嵌入式SerDes技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位,Avago最新一代的工藝技術(shù)能夠節(jié)省高達25%的功耗和空間。擁有接近4,500萬通道數(shù)的SerDes總出貨量,Avago在提供可靠高性能知識產(chǎn)權(quán)(IP)上擁有輝煌穩(wěn)定的紀錄,現(xiàn)在更以65 nm工藝上經(jīng)驗證的17 Gbps SerDes性能將
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DRAM市場重現(xiàn)謹慎樂觀氣氛 下半年將出現(xiàn)反彈
- 2001年DRAM市場價格崩潰以來,經(jīng)歷了市場惡化最嚴重的半年后,2007年下半年DRAM市場開始重現(xiàn)謹慎樂觀氣氛,預(yù)計2007年下半年銷售價格將一路走高。下半年的樂觀因素包括返校帶來的銷售高峰,以及季節(jié)性假日需求來臨,其它具體原因還包括:2007年P(guān)C出貨量預(yù)計增長12%,內(nèi)存平均容量為1.4GB,比2006年的平均800MB內(nèi)存增長75%。2007年第2季度,預(yù)計每臺電腦平均內(nèi)存容量為1.3GB,2007年第3季度預(yù)計達到1.4GB,2007年第4季度發(fā)展到1.6GB。一些DRAM供應(yīng)商相信,到200
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DRAM和NAND閃存價格上漲幅度開始回落
- 閃存的合約價格在7月下半月繼續(xù)上漲,不過目前漲勢已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預(yù)計第三季度價格將輕微上漲,同時出貨量也大幅提升了。同時,NAND目前價格也呈現(xiàn)上升趨勢,這主要得益于閃存應(yīng)用范圍的不斷拓展。 DRAM報價一片漲聲 根據(jù)內(nèi)存交易機構(gòu)DRAMeXchange(集邦電子)的數(shù)據(jù),在7月上半月,512Mb DDR2芯片的合約價格上漲了20%以上,不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示,目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報價
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NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來最糟糕的”
- 根據(jù)iSuppli公司的正式消息,NAND閃存供應(yīng)商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來最惡劣的,并且這種狀況可能進一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地,供應(yīng)商們就不會抱怨NAND閃存業(yè)務(wù)的定價和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比,今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價有望下降35%到40%。這種戲劇性的價格下滑意味著NAND閃存業(yè)務(wù)作為一個整體將在今年第一季度遭遇運營損失,該市場有史以來第一次發(fā)生這樣的事情。 經(jīng)濟學(xué)101法則 需求對降價呈現(xiàn)彈性的響應(yīng),市況惡劣的主要原因在于NAND供
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德州儀器發(fā)布高精度CMOS電壓基準產(chǎn)品系列
- 日前,德州儀器(TI)宣布推出支持大輸出電流的3ppm/℃最大溫度漂移、高精度、低成本CMOS電壓基準產(chǎn)品系列——REF50xx。該系列產(chǎn)品提供的超高精度與系統(tǒng)性能等級,先前只有成本高昂的掩埋齊納技術(shù)才能提供。雖然REF50xx主要面向新一代工業(yè)過程控制,但是也廣泛適用于多種應(yīng)用,其中包括醫(yī)療儀器、高精度數(shù)據(jù)采集以及測試與測量等。 REF50xx具有+/-10mA的大輸出電流范圍,能夠為ADC提供精確的電壓基準,而無需額外運放緩沖器。高精度(0.05%最大
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