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供應(yīng)過(guò)剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化

　　美國(guó)iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，由于供應(yīng)過(guò)剩與價(jià)格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。　　NAND閃存方面，預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價(jià)格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價(jià)格下跌的主要原因韓國(guó)內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存，從而導(dǎo)
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2007年上半年DRAM模塊市場(chǎng)晴雨表金士頓仍是霸主

　　據(jù)iSuppli公司，2007年上半年金士頓鞏固了自己在全球品牌第三方DRAM模塊市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位，但同期增長(zhǎng)最快的則是規(guī)模較小的創(chuàng)見(jiàn)與記憶科技。　　2007年上半年，臺(tái)灣創(chuàng)見(jiàn)DRAM模塊銷(xiāo)售收入比2006年同期大增77.3%，在所有的供應(yīng)商中增長(zhǎng)率最高。其銷(xiāo)售收入從2006年上半年的1.41億美元增長(zhǎng)到2.5億美元。創(chuàng)見(jiàn)在品牌第三方DRAM模塊市場(chǎng)中的排名從2006年上半年時(shí)的第10升至第六。　　iSuppli公司的存儲(chǔ)IC和存儲(chǔ)系統(tǒng)總監(jiān)兼首席分析師Nam Hyung Kim表示：“由于創(chuàng)見(jiàn)
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08年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)

　　2008年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡，資本開(kāi)支預(yù)計(jì)下滑超過(guò)3%。Hosseini預(yù)測(cè)，前端設(shè)備訂單不穩(wěn)定情況將維持到2008年下半年，而后端設(shè)備預(yù)計(jì)也充滿(mǎn)變數(shù)。　　他在報(bào)告中指出，“DRAM行業(yè)基本狀況繼續(xù)惡化，由于芯片單元增長(zhǎng)率出現(xiàn)拐點(diǎn)，2008年上半年晶圓廠產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)。我們預(yù)計(jì)前端設(shè)備訂單繼續(xù)下滑，下滑情況可能會(huì)持續(xù)到2008年第3季度?！彼瑫r(shí)表示，“從2007年第3季度到2008年第3季度，預(yù)計(jì)后端訂單勢(shì)頭平緩至下滑，之后有望重現(xiàn)恢復(fù)?！? 　　他最大的擔(dān)憂(yōu)在DRAM行業(yè)，預(yù)計(jì)“整
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CMOS圖像傳感器中時(shí)問(wèn)延遲積分的實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化

　　1 引言　　利用高速線掃描攝像機(jī)進(jìn)行監(jiān)控，具有在線監(jiān)控、高精度和高速度的特點(diǎn)[1，2]，一般常見(jiàn)的線掃描攝像機(jī)，感光器上的每個(gè)像素在進(jìn)行動(dòng)態(tài)掃描時(shí)，每次僅對(duì)移動(dòng)中的物體做一次曝光，而時(shí)間延遲積分(TDI)電路具備較多且有效的積分時(shí)間，從而增強(qiáng)信號(hào)的輸出強(qiáng)度。目前，TDI技術(shù)的研究多局限于CCD工藝。CCD器件是實(shí)現(xiàn)TDI的理想器件，它能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)噪聲的電荷累加[3～5]，但傳統(tǒng)CCD圖像傳感器技術(shù)存在驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路難與CCD成像陣列單片集成，需要較高的工作電壓，不能與深亞微米超大規(guī)模集成電
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一種帶有軟啟動(dòng)的精密CMOS帶隙基準(zhǔn)設(shè)計(jì)

0 引言帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無(wú)關(guān)的突出優(yōu)點(diǎn)，所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、A/D或D/A轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流，這就要求基準(zhǔn)對(duì)電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。本文結(jié)合工程實(shí)際的要求設(shè)計(jì)了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動(dòng)的CMOS帶隙基準(zhǔn)源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝模型庫(kù)進(jìn)行仿真，HSPICE
關(guān)鍵字：軟啟動(dòng) CMOS 帶隙基準(zhǔn) 電源模擬IC 電源

美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì):近期半導(dǎo)體市場(chǎng)不會(huì)衰退

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)表示，近期內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)不大可能出現(xiàn)衰退。它認(rèn)為今年全球芯片的銷(xiāo)售額將增長(zhǎng)3%，在隨后三年中的增長(zhǎng)速度會(huì)更高一些。　　SIA表示，它預(yù)計(jì)全球的芯片銷(xiāo)售額將由去年的2477億美元增長(zhǎng)至2571億美元，增長(zhǎng)速度低于今年年初時(shí)預(yù)期的10%。　　6月份，SIA將今年芯片銷(xiāo)售額的增長(zhǎng)速度預(yù)期下調(diào)到了1.8%，主要原因是幾種關(guān)鍵市場(chǎng)的低迷━━其中包括微處理器、DRAM和閃存。此后，微處理器的銷(xiāo)售出現(xiàn)了強(qiáng)勁增長(zhǎng)，迫使SIA提高了對(duì)芯片銷(xiāo)售額增長(zhǎng)速度的預(yù)期。　　S
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三星DRAM銷(xiāo)售穩(wěn)居冠軍，但市場(chǎng)份額不保

　　據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli公布的調(diào)查報(bào)告顯示，韓國(guó)三星電子在今年第三季度全球DRAM儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入仍穩(wěn)坐冠軍寶座，但其部分市場(chǎng)份額卻被位居第二的Hynix奪走。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，iSuppli在上周四發(fā)布的報(bào)告中表示，在第三季度中Hynix有非常受矚目的表現(xiàn)，它的成長(zhǎng)速度相當(dāng)迅猛，并在逐步縮小與三星的差距。據(jù)悉，第三季度三星的市場(chǎng)份額為27.7%，位居全球第一，其銷(xiāo)售收入比第二季度下降了2.9%為19.33億美元;排在第二位的是Hynix，其第三季度收入比第二季度增長(zhǎng)了15.4%達(dá)到1
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子三星 DRAM 冠軍嵌入式

一種帶有軟啟動(dòng)的精密CMOS帶隙基準(zhǔn)設(shè)計(jì)

　　引言　　帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無(wú)關(guān)的突出優(yōu)點(diǎn)，所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、A/D或D/A轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流，這就要求基準(zhǔn)對(duì)電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。　　本文結(jié)合工程實(shí)際的要求設(shè)計(jì)了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動(dòng)的CMOS帶隙基準(zhǔn)源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝模型庫(kù)進(jìn)行仿真，HSPICE的仿真結(jié)果表明該基
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) CMOS 帶隙基準(zhǔn) 比較器測(cè)量工具

奧地利微電子為代工用戶(hù)擴(kuò)展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項(xiàng)目晶圓服務(wù)

　　奧地利微電子的全方位服務(wù)晶圓代工廠業(yè)務(wù)部推出一份更加全面的 2008 年度時(shí)間表，擴(kuò)展了其具有成本效益的、快速的專(zhuān)用集成電路(ASIC)原型服務(wù)，即所謂以多項(xiàng)目晶圓 (MPW) 或往復(fù)運(yùn)行(shuttle run)。該服務(wù)將來(lái)自不同用戶(hù)的若干設(shè)計(jì)結(jié)合在一個(gè)晶圓上，有助于眾多不同的參與者分?jǐn)偩A和掩膜成本。　　RF多項(xiàng)目晶圓服務(wù) 　　奧地利微電子的 MPW 服務(wù)包括基于 TSMC(臺(tái)積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子奧地利微電子 CMOS FLASH MCU和嵌入式微處理器

Akustica CMOS MEMS數(shù)字傳聲器銷(xiāo)售量突破兩百萬(wàn)大關(guān)

益登科技所代理的系統(tǒng)單芯片聲學(xué)系統(tǒng)領(lǐng)先開(kāi)發(fā)商Akustica日前宣布，其數(shù)字傳聲器產(chǎn)品銷(xiāo)售量已突破兩百萬(wàn)大關(guān)，這是該公司繼三個(gè)月前突破百萬(wàn)銷(xiāo)售量后的另一重要里程碑。Akustica自從推出首款和獲獎(jiǎng)的AKU2000數(shù)字傳聲器后，在短短的15個(gè)月內(nèi)就將銷(xiāo)售量增至百萬(wàn)以上。今天，移動(dòng)個(gè)人計(jì)算機(jī)對(duì)高質(zhì)量語(yǔ)音輸入的強(qiáng)勁需求促使Akustica再度推出3款數(shù)字傳聲器，同時(shí)快速提升產(chǎn)能以滿(mǎn)足客戶(hù)要求。 A
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 Akustica CMOS MEMS 數(shù)字傳聲器消費(fèi)電子

In-Stat：圖像傳感器硝煙正濃 CMOS暫居上風(fēng)

市場(chǎng)調(diào)研公司In-Stat根據(jù)最近的調(diào)查結(jié)果指出，CMOS圖像傳感器繼續(xù)主宰市場(chǎng)，CCD仍居于下風(fēng)。這與IC Insights的看法相悖。In-Stat表示，盡管在數(shù)碼相機(jī)市場(chǎng)出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，但手機(jī)仍然是圖像傳感器的主要市場(chǎng)。據(jù)In-Stat，相機(jī)手機(jī)占全部圖像傳感器出貨量的75%以上。 In-Stat表示，對(duì)相機(jī)手機(jī)的這種旺盛需求，也導(dǎo)致CMOS傳感器的單位出貨量超過(guò)CCD傳感器。據(jù)In-Stat
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 圖像傳感器 CMOS 模擬IC 電源傳感器

晶圓廠陸續(xù)上線 08年閃存產(chǎn)能將首超DRAM內(nèi)存

　　研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示，閃存產(chǎn)能將在2008年首次超過(guò)DRAM內(nèi)存。　　根據(jù)SMA報(bào)告，閃存產(chǎn)能從2000年以來(lái)已經(jīng)增長(zhǎng)了四倍，達(dá)到相當(dāng)于290萬(wàn)片200毫米硅晶圓的規(guī)模。相比之下，DRAM產(chǎn)能自那時(shí)起僅增長(zhǎng)225%。　　報(bào)告表示，從2005年到2008年底的三年間，閃存制造商增加的產(chǎn)能是之前四年增加量的六倍。　　預(yù)計(jì)2008年和2009年，將有另外超過(guò)十座晶圓廠上線。SMA預(yù)計(jì)，當(dāng)設(shè)備裝機(jī)完成時(shí)，將帶來(lái)每月相當(dāng)于150萬(wàn)片2
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第三季度IC代工業(yè)繁榮先進(jìn)制程受益

　　對(duì)全球前四大代工廠公布的2007年第三季度財(cái)報(bào)進(jìn)行分析可以發(fā)現(xiàn)，在該季度，代工業(yè)整體需求旺盛，一掃今年第一季度和第二季度較往年同期下滑的頹勢(shì)。不過(guò)，雖然需求旺盛，但是由于代工產(chǎn)品種類(lèi)及技術(shù)水平的差別，各代工廠在凈利潤(rùn)方面卻是冷暖自知，中芯國(guó)際(SMIC)成為DRAM價(jià)格嚴(yán)重下滑的最大受害者。雖然繼今年第二季度之后第三季度繼續(xù)虧損，但是通過(guò)與Spansion的合作以及在其他利好因素的推動(dòng)下，不久中芯國(guó)際有望走出低迷。　　第三季度代工需求旺盛　　綜合各家代工廠第三季度的財(cái)報(bào)，可以發(fā)現(xiàn)(見(jiàn)表“全球前
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 中芯國(guó)際 IC DRAM 模擬IC

IDC: 今年芯片銷(xiāo)售增速緩慢將促使08年猛增

　　IDC在最新的《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》中預(yù)測(cè)，2007年全球芯片銷(xiāo)售收入增長(zhǎng)速度放慢將為2008年的大增長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，2007年全球芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度將只有4.8%，2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預(yù)測(cè)，2008年的增長(zhǎng)速度將達(dá)到8.1%。　　報(bào)告指出，如果產(chǎn)能增長(zhǎng)速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢，芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度會(huì)更快。市場(chǎng)潮流是合并和收購(gòu)，這可能會(huì)改變業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)格局。　　IDC負(fù)責(zé)《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》的項(xiàng)目經(jīng)理戈帕爾說(shuō)，今年上半年芯片市場(chǎng)的供過(guò)于求降低了對(duì)各
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應(yīng)用材料總裁談芯片業(yè) 閃存與移動(dòng)視頻是關(guān)鍵

　　美國(guó)和歐洲市場(chǎng)強(qiáng)勁的季節(jié)銷(xiāo)售，以及緊隨其后的中國(guó)新年銷(xiāo)售旺季，將有助于決定DRAM是否供過(guò)于求、邏輯芯片供應(yīng)正在減少以及2008年全球芯片產(chǎn)業(yè)走向。　　應(yīng)用材料總裁兼首席執(zhí)行官M(fèi)ikeSplinter預(yù)測(cè)，如果情況不是很好，2008年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展可能不會(huì)太強(qiáng)勁。2007年，半導(dǎo)體設(shè)備資本開(kāi)支增長(zhǎng)率為0到5%之間，而半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)預(yù)計(jì)為5%到10%之間。　　Splinter表示，“尚未為止，2007年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未現(xiàn)繁榮景象。這不是因?yàn)殇N(xiāo)售沒(méi)有增加，而是由于遭遇沉重的價(jià)格壓力。粗略估計(jì)，邏輯芯片
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