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cmos.dram 文章 最新資訊

DRAM現(xiàn)貨市場價格下跌 廠商釋出庫存

  • 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)所發(fā)表的最新內(nèi)存市場報告指出,上周DRAM現(xiàn)貨報價受到三星停電事件影響而短暫走高,但后續(xù)追價力道不強,使得部份庫存較多的分銷商反手殺出手中的庫存。集邦表示,DDR2 eTT報價在上周五(10號)再度跌破2美元關(guān)卡到1.93美元。 集邦表示,時序進入傳統(tǒng)PC銷售旺季,但DRAM現(xiàn)貨市場終端需求始終沒有明顯放大,尤其往年七月份是中國大陸地區(qū)的銷售旺季,但如今需求也顯得十分冷清。盡管現(xiàn)貨市場需求已較上個月回溫,但仍不足以刺激現(xiàn)貨市場價格。 至于合約市場部分,八月
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海力士半導體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi存儲技術(shù)授權(quán)

  • 海力士已經(jīng)同意在其動態(tài)隨機存儲器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術(shù)。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元,來替代多個晶體管和電容器的組合,這代表了自上世紀70年代初發(fā)明DRAM來,基本DRAM位單元實現(xiàn)了首次變革。海力士已經(jīng)獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場的機會。為確保這項優(yōu)勢,兩家公司已經(jīng)投入相當大的工程資源共同開發(fā)該項目。      Z-RAM最初作為全球成本最低的嵌入式內(nèi)存技術(shù)而應用于邏輯芯片,如移動芯片組、微處
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DRAM價格回暖 芯片廠商股價大幅上漲

  •   從國外媒體處獲悉:當?shù)貢r間本周四,由于計算機內(nèi)存芯片價格大幅上漲,包括韓國現(xiàn)代半導體在內(nèi)的主要亞洲芯片生產(chǎn)商股價均呈現(xiàn)不同程度的上漲。    根據(jù)DRAMeXchange公布的數(shù)據(jù)顯示,本周三512MB DDR2內(nèi)存的現(xiàn)貨價格上漲17%,這同時也是疲軟的內(nèi)存市場近期出現(xiàn)的罕見的價格反彈現(xiàn)象。由于產(chǎn)量增加再加上市場需求低于預期,今年DRAM芯片價格大幅下滑,各大內(nèi)存芯片廠商也因此受到不同程度影響。    業(yè)內(nèi)分析人士指出,本周三內(nèi)存現(xiàn)貨價格反彈可能也只是暫時現(xiàn)象,但同時也堅定
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主要DRAM內(nèi)存芯片供應商Q2收入大幅下降

  • 據(jù)外電報道,市場研究公司iSuppli稱,2007年第二季度對于DRAM內(nèi)存芯片廠商來說是非??膳碌囊粋€月。DRAM內(nèi)存芯片嚴重的供過于求使全球十大DRAM內(nèi)存芯片供應商中有九家供應商的銷售收入大幅度下降,盡管這些供應商的出貨量增長了。  受到打擊最大的是排名第二位的海力士半導體。海力士第二季度的DRAM內(nèi)存芯片銷售收入為15.2億美元,比第一季度下降了29.7%,盡管海力士的出貨量比第一季度增長了22%。  Elpida的DRAM內(nèi)存芯片銷售收入為8.85億美元,比第一季度下降了24
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Vishay推出兩種新系列4Ω四通道SPST CMOS模擬開關(guān)

  •   日前,Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開關(guān),這些器件將高開關(guān)速度與高信號帶寬進行了完美結(jié)合,可用于眾多開關(guān)應用,其中包括音頻、視頻、數(shù)據(jù)及電源。   Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個可獨立選擇的 44V SPST 開關(guān),每個均具有 4Ω 的典型導通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度,這兩個參數(shù)是低失真音頻信號開關(guān)的理想?yún)?shù)。   所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
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iSuppli:金士頓居全球DRAM供應商排行之首

  •   7月26日消息,據(jù)最新一份市場調(diào)查報告,如果按照公司營收標準計算,內(nèi)存制造商金士頓在全球記憶體模組(DRam)供應商排行榜上名列第一。   據(jù)vnunet報道,此份調(diào)查報告由iSuppli提供,憑借產(chǎn)品利潤率方面的優(yōu)勢,在2006年中金士頓公司創(chuàng)造了DRam產(chǎn)品總銷量22億美元的新紀錄,幾乎比前一年提高了8億美元。按照該數(shù)字計算,金士頓公司在全球市場的占有率攀升到了18.1%,幾乎是市場第二名Smart Modular科技公司的三倍之多,后者只有可憐的5.5%?!澳軌虺蔀閕Suppli排行榜上的第
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超高速0.18μm CMOS復接器集成電路設計

  • CMOS工藝具有價格便宜、集成度高、功耗低的特點。隨著CMOS工藝的發(fā)展,器件特征頻率大幅提高,采用CMOS工藝實現(xiàn)超高速集成電路成為可能。本文給出了使用CMOS工藝設計的單片集成超高速4:1復接器。
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DRAM芯片價格終結(jié)下滑趨勢 內(nèi)存廠現(xiàn)曙光

  •   7月18國際報道 本周二發(fā)布的一份報告顯示,隨著DRAM芯片價格在7月前半月結(jié)束長期以來的下滑趨勢,內(nèi)存芯片廠商在不無的將來或許能夠看到一絲曙光。   iSuppli在這份報告中表示,由于內(nèi)存芯片廠商的庫存仍然過高,價格下跌趨勢的停止可能是短暫的。   iSuppli分析師Nam Hyung Kim說,由于三星、Hynix Semiconductor等廠商會試圖甩賣這些庫存,內(nèi)存芯片價格可能會再次下跌。   不斷下跌的DRAM芯片價格有助于PC、MP3播放器、數(shù)碼相機等消費電子產(chǎn)品價格的降低,但
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三星利潤創(chuàng)4年新低 DRAM芯片價下跌

  •   7月15國際報道 由于計算機內(nèi)存芯片價格的下跌使得平板面板業(yè)務的改進黯然失色,第二季度三星的利潤創(chuàng)下了4年來的新低。   但三星下半年的前景要好得多,DDAM內(nèi)存業(yè)務將因季節(jié)性需求而轉(zhuǎn)強,手機和平板電視的銷售也將相當強勁。   Dongbu Securities分析師Lee Min-hee說,第三季度的業(yè)績會全面好轉(zhuǎn),液晶業(yè)務部門的業(yè)績會進一步增長,手機利潤率將達到進一步提高。第三季度DRAM業(yè)務的業(yè)績也將好于第二季度。   第二季度三星的凈利潤為1.42萬億韓元(合15.5億美元),較上年同期
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6月連續(xù)下滑后 DRAM也將揚眉吐氣

  • 從國外媒體處獲悉:在看到6月DRAM和約價格連續(xù)下滑的終結(jié)后,業(yè)內(nèi)商家對近期內(nèi)存價格的上漲趨勢表示樂觀,原因是PC OEM制造商正在積極地力推更高的內(nèi)存容量。    內(nèi)存交易企業(yè)DRAMeXchange看到,那些在季節(jié)上漲前不斷調(diào)高庫存的PC OEM制造商將逐步刺激需求。該機構(gòu)估計,7月DRAM內(nèi)存的平均銷售價格將在持續(xù)上漲基礎上至少增加10%。    包括戴爾和惠普在內(nèi)的這類PC OEM制造商也在為價格上漲趨勢增磚填土。有消息來源稱,在第三和第四季度中,
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DRAM內(nèi)存市場供過于求 走勢取決于三星電子

  • 6月10日消息,內(nèi)存交易網(wǎng)站DRAMeXchange預計今年第三季度DRAM內(nèi)存將繼續(xù)供過于求。DRAM內(nèi)存廠商對此做出了反應并且評論說,整個市場前景在很大程度上取決于市場龍頭三星電子如何動作。  據(jù)我國臺灣地區(qū)媒體報道,雖然預計DRAM內(nèi)存合同報價在6月份將觸底,但是,DRAMeXchange認為,DRAM內(nèi)存供過于求的局面在今年第三季度仍將繼續(xù),只有到今年第四季度才能達到平衡。因此,這家內(nèi)存交易公司指出,三星電子和海力士半導體今年7月份將會把DDR2內(nèi)存產(chǎn)量較少15%。讓渠道和電腦OEM廠商
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內(nèi)存DRAM芯片價格達谷底即將回調(diào)達到波谷

  • 亞洲芯片制造商上周末召開了會議,研究結(jié)果表明內(nèi)存DRAM芯片價格已經(jīng)達到了波谷,未來將有所上浮。在上周四的全球市場上,DRAM內(nèi)存平均售價再次下滑了五個百分點,而該數(shù)字在周五也處于下滑態(tài)勢。計算機內(nèi)存制造商三星電子和現(xiàn)代半導體甚至表示,內(nèi)存產(chǎn)品的售價迅速下調(diào),有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實際上,自從今年開始,某些內(nèi)存產(chǎn)品的售價足足下滑了70%。  “如今的價格已經(jīng)幾乎達到了最低點,我們都在等待重新的上浮?!盌aiwa研究所分析家JaeLee先生表示,“如果庫存量下滑,價格上浮
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富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶提供全套解決方案

  •   富士通微電子(上海)有限公司近日宣布,富士通株式會社、富士通微電子美國公司(FMA)以及捷智技術(shù)公司的全資子公司捷智半導體公司(Jazz)將合作生產(chǎn)用于RF CMOS設備的片上系統(tǒng)(SoC)產(chǎn)品。根據(jù)各方簽署的協(xié)議備忘錄,此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號專業(yè)技術(shù)與富士通處于領先地位的90nm 及65nm生產(chǎn)技術(shù)相結(jié)合,使兩家公司能夠為SoC客戶提供高性能的客戶自有工具(COT)代工服務。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進的90nm 及65nm低漏電LSI生產(chǎn)工藝,提供給捷智高精度的RF模型
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內(nèi)存DRAM芯片價格達谷底即將回調(diào)

  •   路透社:亞洲內(nèi)存制造商:DRAM芯片價格已到谷底,7月開始回調(diào)   亞洲芯片制造商上周末召開了會議,研究結(jié)果表明內(nèi)存DRAM芯片價格已經(jīng)達到了波谷,未來將有所上浮。   據(jù)路透社報道,在上周四的全球市場上,DRAM內(nèi)存平均售價再次下滑了五個百分點,而該數(shù)字在周五也處于下滑態(tài)勢。電腦內(nèi)存制造商三星電子和現(xiàn)代半導體甚至表示,內(nèi)存產(chǎn)品的售價迅速下調(diào),有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實際上,自從今年開始,某些內(nèi)存產(chǎn)品的售價足足下滑了70%。   “如今的價格已經(jīng)幾乎達到了最低點,我們都在等待重新的
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韓制造商全球DRAM儲存市場領導地位受到威脅

  • 市場調(diào)研機構(gòu) iSuppli總裁兼首席執(zhí)行官Derek Lidow稱,未來三年內(nèi),韓國的DRAM 儲存芯片制造商長期以來在全球的領先地位存在著威脅,可能將被其他外國的競爭對手奪取。  在韓國舉行的數(shù)字論壇上Lidow表示,目前在全球DRAM儲存芯片市場,韓國的制造商仍然保持了領先的位置,去年三星電子和現(xiàn)代半導體的銷售收入在全球市場占到45%。相比之下中國和中國臺灣的公司擁有的份額為17%。  Lidow預期今年全球DRAM儲存芯片的發(fā)貨量將發(fā)生變化,韓國廠
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