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ROHM開發(fā)CMOS運(yùn)算放大器和比較器

ROHM株式會(huì)社針對(duì)力求省電的筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、游戲機(jī)等便攜數(shù)碼產(chǎn)品，推出高可靠性CMOS運(yùn)算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運(yùn)算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開始。3月份開始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運(yùn)算放大器樣品，并將于2007年6月開始量產(chǎn)。而CMOS比較器則從2007年4月開始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」，與低功耗型「BU7231G
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4月DRAM合約價(jià)格繼續(xù)下滑已突破生產(chǎn)商成本

據(jù)臺(tái)灣集邦科技公司（DRAMeXchange Technology Inc.）周二公布的數(shù)據(jù)，4月上旬DRAM內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)下滑，而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。據(jù)IDG新聞社報(bào)道，運(yùn)營著一個(gè)在線DRAM市場的集邦科技稱，最常用的DRAM內(nèi)存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7％，每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商（如戴爾和惠普）之間簽署的合約進(jìn)行買賣。最新的報(bào)價(jià)來自4月上旬的合約價(jià)格，它們顯示出DR
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4月DRAM合約價(jià)格繼續(xù)下滑已突破生產(chǎn)商成本

　　4月11日消息，據(jù)臺(tái)灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù)，4月上旬DRAM內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)下滑，而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。　　據(jù)IDG新聞社報(bào)道，運(yùn)營著一個(gè)在線DRAM市場的集邦科技稱，最常用的DRAM內(nèi)存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7%，每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。　　大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進(jìn)行買賣。最新的報(bào)價(jià)來
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先進(jìn)的3G多頻段收發(fā)器實(shí)現(xiàn)了前端的高度集成

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： 3G GSM TD-SCDMA 收發(fā)器 2G RF WCDMA UMTS CMOS HSDPA LO IF LNA 3GPP

揚(yáng)長補(bǔ)短發(fā)展FeRAM

　　存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨(dú)的存儲(chǔ)元件，有數(shù)據(jù)計(jì)算和程序存儲(chǔ)的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。　　易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于ROM（只讀存儲(chǔ)器）技術(shù)，包
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印度半導(dǎo)體離中國還很遠(yuǎn)

29年前,美國愛達(dá)荷州,三個(gè)年輕人在一間牙醫(yī)診所的倉庫里,無意中開始了一個(gè)名叫DRAM的芯片設(shè)計(jì)生意。發(fā)展到今天,便是年銷售額高達(dá)52.6億美金的半導(dǎo)體企業(yè)——美光公司。 3月21日,美光正式啟動(dòng)了其在中國投資的第一家制造工廠。這座位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的封裝測試廠,總投資2.5億美金。美光公司總裁兼首席執(zhí)行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項(xiàng)目啟動(dòng)典禮間隙,接受了本報(bào)記者專訪。這位年輕的CEO是個(gè)典型的冒險(xiǎn)家,擁有多架私人表演式飛機(jī),喜歡在空中做俯沖動(dòng)作。
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美光科技公司在中國啟動(dòng)新制造工廠

2007年3月21日, 中國西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安啟動(dòng)一家新的制造工廠。這家工廠是美光公司在中國的第一家制造工廠，它將主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)DRAM、NAND閃存和CMOS圖像傳感器在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝測試。　　為此，美光公司舉行了西安工廠的落成儀式，參加儀式的有政府官員和行業(yè)代表。這家工廠預(yù)計(jì)將于2008年底全部建成，總投資將達(dá)到2.5億美元，所需員工超過2000名。該工廠是美光公司在亞洲的第二家封裝測試工廠，其第一家封裝測試工廠于1998年在新
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移動(dòng)終端中三類射頻電路的演進(jìn)方向

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：射頻 GSM CMOS GaAs HBT FET SAW FEM VOC DCR DCT

CMOS集成電路使用注意事項(xiàng)

CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應(yīng)而損壞電路，焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地，焊接時(shí)間不得超過5秒。最好使用20~25W內(nèi)熱式電烙鐵和502環(huán)氧助焊劑，必要時(shí)可使用插座。在接通電源的情況下，不應(yīng)裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序，使用的工作臺(tái)及地板嚴(yán)禁鋪墊高絕緣的板材（如橡膠板、玻璃板、有機(jī)玻璃、膠木板等），應(yīng)在工作臺(tái)上鋪放嚴(yán)格接地的細(xì)鋼絲網(wǎng)或銅絲網(wǎng)，并經(jīng)常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測試。測試時(shí)所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應(yīng)良好接地。如果是低阻信
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路

DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍

　　DRAM 8英寸線將逐漸退出　　隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴(kuò)大，首先在競爭最激烈的存儲(chǔ)器制造中呈現(xiàn)。　　臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示，2006年是轉(zhuǎn)折點(diǎn)，DRAM中的8英寸芯片性價(jià)比已不具有優(yōu)勢，一批較早的8英寸芯片廠，已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲(chǔ)器。　　臺(tái)灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認(rèn)為，五大集團(tuán)三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達(dá)主導(dǎo)了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)應(yīng)用中，有
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AMIS新型 2400dpi CMOS圖像傳感器

　　傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率，可滿足印刷、掃描和成像外圍設(shè)備的廣泛要求。　　AMIS宣布首個(gè)2400dpi CMOS圖像傳感器現(xiàn)已投放市場。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇，同時(shí)還可降低掃描儀、支票閱讀機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、打印機(jī)和其它基于成像的外圍設(shè)備在操作時(shí)的功耗和噪音。　　新的傳感器以AMI&nb
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DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍

　　推動(dòng)全球半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)步的兩個(gè)輪子，一個(gè)是縮小特征尺寸，另一個(gè)是增大硅片直徑，通?？偸且圆粩嗟乜s小特征尺寸為先。如今，全球正進(jìn)入12英寸，65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮，業(yè)界正在為何時(shí)進(jìn)入18英寸硅片生產(chǎn)展開可行性討論。在此前提下，業(yè)界關(guān)心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀，以及何時(shí)將退出歷史舞臺(tái)?？v觀全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的歷史過程，進(jìn)入8英寸硅片時(shí)代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時(shí)段，顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開始上升。 &
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