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MCU 中輸入/輸出口的使用

本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
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基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計

引言隨著移動通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件，然而在用實際工藝實現(xiàn)電路時，會發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實現(xiàn)的器件來代替一般的變?nèi)荻O管，MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個簡單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
關(guān)鍵字： CMOS RF專題電源技術(shù) 模擬技術(shù) 射頻振蕩器

集成多路模擬開關(guān)的應(yīng)用技巧

集成多路模擬開關(guān)（以下簡稱多路開關(guān)）是自動數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件，其實際使用性能的優(yōu)劣對系統(tǒng)的嚴(yán)謹(jǐn)和可靠性重要影響。關(guān)于多路開關(guān)的應(yīng)用技術(shù)，些文獻(xiàn)上介紹有兩點不足：一是對器件自身介紹較多，而對器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開關(guān)的種類，注意多路開關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)，保證各電路單元有合適的工作狀態(tài)，才能充分發(fā)揮多路開關(guān)的性能，甚至彌補某性能指標(biāo)的欠缺，收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用
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ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC

——全新高性能ADF7021可滿足AMR、無線家庭自動化和多種無線連接應(yīng)用要求，提供比同類產(chǎn)品提高7dB靈敏度，最低發(fā)射器功耗電流和最少外部元件。美國模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市（Norwood, Mass.）發(fā)布推出ADF7021窄帶收發(fā)器集成電路（IC）擴(kuò)展了其業(yè)界領(lǐng)先的射頻（RF）IC產(chǎn)品種類。ADF7021適合于工作在80 MHz～650 MHz和862 MHz～940 MHz多個頻帶。ADF7021完全符合歐洲ETSI-300
關(guān)鍵字： ADI CMOS IC 單片機(jī) 電源技術(shù) 工業(yè)控制接收器靈敏度模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 收發(fā)器亞吉赫茲窄帶工業(yè)控制

奇夢達(dá)與南亞科技獲75納米DRAM技術(shù)驗證

奇夢達(dá)公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術(shù)之驗證，最小之制程尺寸為70納米, 第一個75納米之產(chǎn)品將為512Mb DDR2 內(nèi)存芯片。此項新的技術(shù)平臺和產(chǎn)品是雙方共同在德國德累斯頓(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇夢達(dá)開發(fā)中心所開發(fā)的。目前已經(jīng)在奇夢達(dá)的德累斯頓十二吋廠生產(chǎn)線開始此項新一代 DRAM技術(shù)之試產(chǎn)。負(fù)責(zé)奇夢達(dá)的市場和運作，也是管理委員會的委員之一的賽佛(Thomas&
關(guān)鍵字： 75納米 DRAM 單片機(jī) 技術(shù)驗證南亞科技奇夢達(dá) 嵌入式系統(tǒng) 通訊網(wǎng)絡(luò) 無線存儲器

因PC需求激增 DRAM庫存下降至新低位

iSuppli表示， DRAM芯片生產(chǎn)商的庫存量已下降至20個月來最低水準(zhǔn)，因開學(xué)季帶動個人電腦銷售增長?！?nbsp; 　　這家美國研究機(jī)構(gòu)預(yù)期本月庫存量將持續(xù)下降，并在報告中調(diào)升短期DRAM市況評等，由原先的“中性”升至“正向”?！　?nbsp; 　　iSuppli在9月5日發(fā)表的報告中指出，8月初時，DRAM庫存為1.92周，較7月的平均水準(zhǔn)下降18%，因新學(xué)年開始前，PC銷售大幅增加。　　　由于微處理器
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集成CMOS對稱式收/發(fā)開關(guān)的設(shè)計

本文分析了影響對稱式射頻收/發(fā)開關(guān)性能的因素，包括柵寬、導(dǎo)通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC　0.35m　CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計和實現(xiàn)。
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設(shè)計指南Q&A系列：高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器

關(guān)鍵字： CMOS ADC 均衡

思比科開發(fā)CMOS手機(jī)攝像芯片實現(xiàn)本土化

　北京思比科微電子自主研發(fā)了可廣泛用于汽車電子、手機(jī)、筆記本攝像頭、醫(yī)療電子等行業(yè)的CMOS攝像芯片。該項技術(shù)擁有6項發(fā)明專利的200萬像素CMOS攝像芯片，已通過了技術(shù)測試。　　思比科200萬像素攝像芯片，基于上海中芯國際0.18微米工藝，從設(shè)計開發(fā)到芯片制造的全部工作均在國內(nèi)完成，完全實現(xiàn)了國產(chǎn)化。　　思比科表示：“目前，公司已經(jīng)成功研發(fā)出30萬像素、130萬像素、200萬像素等多種CMOS圖像傳感器，300萬和500萬像素的CMOS圖像傳感器芯片現(xiàn)在已經(jīng)申請國內(nèi)專利8項，準(zhǔn)備申請9項國內(nèi)專利，出
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靜脈認(rèn)證相機(jī)采用1/6英寸CMOS傳感器

　三美電機(jī)開發(fā)出了用于靜脈認(rèn)證的CMOS相機(jī)模塊“KVS-001”，并在“MITSUMI SHOW 2006”展上進(jìn)行展示。模塊的外形尺寸為6mm
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Sirific推出小尺寸 CMOS多頻段收發(fā)器

　3G手機(jī)收發(fā)器的設(shè)計需要小巧、低功耗、性能優(yōu)良，但也必須能夠以高產(chǎn)量大規(guī)模生產(chǎn)。日前，Sirific Wireless開發(fā)單片HSDPA/WCDMA+EDGE(WEDGE)RF收發(fā)器，且在CMOS上完成。　　從外型尺寸來看，Sirific Wireless的設(shè)計人員滿足了功能不斷加強(qiáng)的3G手機(jī)需求，在芯片上集成眾多功能的同時，將尺寸縮小到7
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05年DRAM芯片銷售排名三星仍保持冠軍

　　據(jù)著名市場調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner 公司最新公布的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2005年全球DRAM儲存芯片的銷售收入比上年下滑了5%為250億美元，2004年全球DRAM儲存芯片的銷售收入為263億美元。在全球DRAM 儲存芯片行業(yè)銷售收入比2004年下滑5%的不利環(huán)境下，中國臺灣南亞科技公司（Nanya）和日本最大的DRAM儲存芯片制造商爾必達(dá)公司（Elpida）是全球最高前六個公司中銷售收入實現(xiàn)了增長的公司。　　調(diào)研公司表示，盡管這是自2001年以后DRAM儲存芯片
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全球內(nèi)存（DRAM）價格報告

北美市場經(jīng)銷商們在星期三透露，本周DRAM的銷售比較緩慢，這段時間也是傳統(tǒng)的銷售淡季。整個周三都沒有一筆生意，因而市價也沒什么變化。這一天只有芯片市場PC133材質(zhì)有唯一一筆現(xiàn)貨交易，價格在每芯片$3.30 到$4之間。亞太市場 &
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DRAM售價下降英飛凌Q1將虧損1.477億美元

歐洲芯片廠商英飛凌表示，DRAM內(nèi)存平均銷售價格的下降影響了該公司2006財年第一季度的財報結(jié)果。據(jù)reed-electronics.com網(wǎng)站報道，英飛凌截止到去年12月份的2006財年第一季度的銷售收入是大約20億美元（16.7億歐元），利息和稅項之前的利潤為虧損1.477億美元（1.22億歐元）。英飛凌的凈虧損為2.216億美元（1
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用CMOS技術(shù)實現(xiàn)高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器

通信用接收器的發(fā)展趨勢是必需在信號剛一進(jìn)入接收器信號通道時就進(jìn)行取樣，并配備有精確的測試儀，而要達(dá)到這個目標(biāo)就要依賴超高速模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器來實現(xiàn)。美國國家半導(dǎo)體首推的 ADC081000 芯片是一款模擬輸入帶寬高達(dá) 1.8 GHz 的 8 位 1GSPS 模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器，它采用 0.18 微米 (mm) 的互補金屬氧化半導(dǎo)體 (CMOS) 工藝技術(shù)制造。下文簡述了結(jié)構(gòu)及動作的原理，并較詳細(xì)介紹了上文提到的在動作過程中起什么重要作用?！　…h(huán)顧目前的市場，大部分超高速模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器都采用雙極互補金屬氧化半導(dǎo)體
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