cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

ALD技術(shù)在未來(lái)半導(dǎo)體制造技術(shù)中的應(yīng)用

由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點(diǎn)，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀(jì)初即開始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來(lái)ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展出愈來(lái)愈廣泛的應(yīng)用。
關(guān)鍵字： ALD 半導(dǎo)體制造 FinFET PVD CVD

談關(guān)于非編網(wǎng)絡(luò)的管理及其維護(hù)（下）

隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)在電視領(lǐng)域中的不斷應(yīng)用，非線性編輯已成為電視臺(tái)節(jié)目后期制作的主流方式，非編網(wǎng)作為電視臺(tái)的核心之一，其可靠運(yùn)行的重要性不言而喻。
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數(shù)字CMOS攝像頭在智能車中的應(yīng)用

本文介紹了數(shù)字式CMOS 攝像頭MT9M011的性能特點(diǎn)和工作方式，給出了MT9M011在基于HCSl2單片機(jī)的智能車控制系統(tǒng)中的應(yīng)用方案，并分析了數(shù)字?jǐn)z像頭的優(yōu)勢(shì)和不足。
關(guān)鍵字：數(shù)字?jǐn)z像頭 CMOS 智能車

集成單片式CM0S汽車電子調(diào)節(jié)器設(shè)計(jì)

將電壓調(diào)節(jié)器設(shè)計(jì)成單片CMOS集成電路，從而減小了調(diào)節(jié)器的體積，使其可以和交流發(fā)電機(jī)制作在一起。這樣既提升了調(diào)節(jié)器的穩(wěn)定性，提高了整車供電質(zhì)量，有效延長(zhǎng)了汽車電子設(shè)備的使用壽命，又適應(yīng)了當(dāng)前汽車交流發(fā)電機(jī)體積小而輸出功率大的發(fā)展趨勢(shì)。
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Sony活用CMOS獨(dú)家技術(shù)強(qiáng)化自動(dòng)駕駛安全性

　　不論軟件或硬件，許多尖端科技技術(shù)都集結(jié)并展現(xiàn)于汽車上，自動(dòng)駕駛技術(shù)亦不例外。而為了發(fā)展自動(dòng)駕駛技術(shù)，相關(guān)組件更是不可或缺。SankeiBiz報(bào)導(dǎo)，Sony等大廠開始著手研發(fā)自動(dòng)駕駛技術(shù)所需要的產(chǎn)品。Sony雖然積極布局智能型手機(jī)，但智能型手機(jī)市場(chǎng)變動(dòng)激烈，獲利并不穩(wěn)定，未來(lái)將調(diào)度資源轉(zhuǎn)為布局車用領(lǐng)域，盼營(yíng)收更上一層樓。　　Sony布局車用領(lǐng)域早有準(zhǔn)備，推出高感度的CMOS傳感器，能清楚拍攝使用LED的紅綠燈，以及行駛在車輛前方的車尾燈。當(dāng)LED快速閃爍時(shí)，安裝既有傳感器的車用鏡頭可能會(huì)無(wú)法正確
關(guān)鍵字： Sony CMOS

智能化STM32 F7微控制器如何滿足嵌入式系統(tǒng)更高處理性能需求

意法半導(dǎo)體（ST）日前宣布推出業(yè)界首款基于ARM最新Cortex-M7內(nèi)核的STM32 F7系列微控制器，其性能遠(yuǎn)超ST之前的32位STM32F4微控制器，通過(guò)無(wú)縫升級(jí)路徑可將處理性能和DSP性能提高一倍。
關(guān)鍵字：微處理器 DSP CMOS MCU 意法半導(dǎo)體

一種易于集成的200萬(wàn)像素手機(jī)相機(jī)完整解決方案

本文采用了新型的美光MT9D111 200萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器作為實(shí)例，詳細(xì)介紹了其技術(shù)特性、電路配置，并分析了在手機(jī)上集成數(shù)碼相機(jī)的技術(shù)挑戰(zhàn)和應(yīng)對(duì)方法，以及未來(lái)手機(jī)相機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)。
關(guān)鍵字：手機(jī)相機(jī) CMOS

撬動(dòng)ADAS的CMOS圖像傳感器，你到底了解多少

近年來(lái)，汽車安全的重要性越來(lái)越重要了，行車輔助安全駕駛（ADAS）在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛。智能安全駕駛、自動(dòng)巡航控制、汽車?yán)走_(dá)波應(yīng)用、全景立體圖像環(huán)視系統(tǒng)等等汽車電子分支領(lǐng)域?qū)ζ囎詣?dòng)駕駛起到舉足輕重的作用。
關(guān)鍵字：圖像傳感器 CMOS ADAS

圖像傳感器大行其道，除了手機(jī)這些應(yīng)用不容小覷

隨著傳感器技術(shù)的發(fā)展，圖像傳感器早已被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、醫(yī)療電子、航空電子等領(lǐng)域，本文就將介紹圖像傳感器常用的應(yīng)用領(lǐng)域及具體的應(yīng)用情況。
關(guān)鍵字： CCD CMOS 圖像傳感器

要想手機(jī)拍照好，CMOS和CCD傳感器藏絕招

圖像傳感器在智能手機(jī)、照相機(jī)、攝像機(jī)中都發(fā)揮著十分關(guān)鍵的作用。在CIS、CMOS和CCD三類傳感器中，人們經(jīng)常討論的是CMOS和CCD圖像傳感器之間的比較優(yōu)勢(shì)，本文將簡(jiǎn)單介紹兩種傳感器的分類及特點(diǎn)，并會(huì)給出選擇兩種傳感器產(chǎn)品時(shí)的一些實(shí)用建議。
關(guān)鍵字： CMOS CCD 圖像傳感器

北大碳基集成電路成果被《2017中國(guó)自然指數(shù)》專題報(bào)道

　　2017年5月25日，英國(guó)《自然》期刊增刊《2017中國(guó)自然指數(shù)》(第5545卷，7655期)出版。最新的自然指數(shù)(nature index)表明，在過(guò)去15年中，材料科學(xué)(尤其是納米材料等)領(lǐng)域已成為各國(guó)政策制定者的關(guān)注重點(diǎn)，大力投資材料科學(xué)也成為中國(guó)整體科技戰(zhàn)略的重要組成部分。近年來(lái)，中國(guó)始終是在材料科學(xué)領(lǐng)域發(fā)表論文最多的國(guó)家，其背后是政府的大規(guī)模資金投入和大力引進(jìn)人才。然而，材料科學(xué)家認(rèn)為，需要將更多的資源投入到基礎(chǔ)研究的轉(zhuǎn)化中;應(yīng)用科學(xué)家表示，如果沒有足夠的扶持，中國(guó)在材料研究商業(yè)化方面的努力
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單芯片毫米波傳感器步入CMOS時(shí)代

CMOS內(nèi)的數(shù)字縮放降低了功率，縮小了尺寸，并且提高了每個(gè)節(jié)點(diǎn)的性能。同時(shí)，CMOS技術(shù)進(jìn)一步提高了在模擬組件中嵌入數(shù)字功能的能力，從而實(shí)現(xiàn)了在雷達(dá)系統(tǒng)部署方面的全新系統(tǒng)配置和拓?fù)洹?/li>
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FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)

　　隨著高級(jí)工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設(shè)計(jì)實(shí)施過(guò)程帶來(lái)了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復(fù)雜，因?yàn)樗鼘?duì)擺設(shè)和布線流程帶來(lái)了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。　　FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn) 　　隨著高級(jí)工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設(shè)
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英特爾推全新低功耗FinFET技術(shù)　22納米制程戰(zhàn)場(chǎng)煙硝起

　　英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動(dòng)全新22納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關(guān)開發(fā)套件(PDK)在接下來(lái)幾個(gè)月也將陸續(xù)到位，市場(chǎng)上認(rèn)為22 FFL的推出，顯然是針對(duì)GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動(dòng)裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用所生產(chǎn)之同類芯片而來(lái)。　　據(jù)EE Times Asia報(bào)導(dǎo)，英特爾稱自家22 FFL是市場(chǎng)上首款為低功耗IoT應(yīng)用及移動(dòng)裝置產(chǎn)品而開發(fā)出來(lái)的FinFET技術(shù)，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(le
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傳梁孟松加盟中芯國(guó)際兩岸半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)一觸即發(fā)

　　繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺(tái)灣半導(dǎo)體大將后，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又有新動(dòng)作。據(jù)報(bào)道，傳大陸行業(yè)領(lǐng)頭羊中芯國(guó)際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國(guó)際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來(lái)自臺(tái)積電技術(shù)研發(fā)高層，他曾任臺(tái)積電資深研發(fā)處長(zhǎng)。　　之前蔣尚義加入中芯時(shí)，已經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)的一枚重磅炸彈了，畢竟無(wú)論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)還是在臺(tái)積電的任職時(shí)間來(lái)看，他都堪稱元老。在臺(tái)積電，蔣尚義參與主導(dǎo)了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術(shù)的研發(fā)，張忠謀曾感激他為“臺(tái)積電16年
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 FinFET