cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

CCD與CMOS的區(qū)別

技術(shù)的角度比較，CCD與CMOS的區(qū)別有如下四個(gè)方面的不同：1.信息讀取方式CCD電荷耦合器存儲(chǔ)的電荷信息，需在同步信號(hào)控制下一位一位地實(shí)施轉(zhuǎn)移后讀取，電荷信息轉(zhuǎn)移和讀取輸出需要有時(shí)鐘控制電路和三組不同的電源相配
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CMOS逐步替代CCD

CMOS相比CCD有一些明顯的優(yōu)勢(shì)，最大優(yōu)勢(shì)就是成本，還有就是采樣速度以及當(dāng)前很多產(chǎn)品都比較看重的功耗。1、首先我們來說說CMOS相對(duì)CCD傳感器的最大優(yōu)勢(shì)，那就是成本。生產(chǎn)單位數(shù)量的CMOS的成本卻要比CCD容易很多，因
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圖像傳感器知識(shí)大全

圖像傳感器*概述圖像傳感器是組成數(shù)字?jǐn)z像頭的重要組成部分。根據(jù)元件的不同，可分為CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體元件)兩大類。CCD
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具有實(shí)時(shí)跟蹤功能的憶阻視覺傳感器架構(gòu)

　　1.前言　　過去的幾十年，業(yè)界圍繞CMOS架構(gòu)視覺傳感器理論進(jìn)行了大量廣泛的研究和探討，旨在于在成像早期階段處理圖像，從場(chǎng)景中提取最重要的特征，如果換作其它方式達(dá)到同樣目的，例如，使用普通計(jì)算技術(shù)，則需要為此花費(fèi)昂貴的成本[1],[2],[3],[4],[5],[6]。在這個(gè)方面，運(yùn)動(dòng)偵測(cè)是最重要的圖像特征之一，是多個(gè)復(fù)雜視覺任務(wù)的基礎(chǔ)。本文重點(diǎn)介紹時(shí)間對(duì)比概念，這個(gè)概念在很多應(yīng)用中特別重要，包括交通監(jiān)控、人體運(yùn)動(dòng)拍照和視頻監(jiān)視[2], [4], [5], [7]。這些應(yīng)用要求圖像偵測(cè)精確并可靠，
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TTL電平、CMOS電平、RS232通信電平的概念及區(qū)別

　　本文主要講了一下關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232通信電平的概念及區(qū)別，希望對(duì)你的學(xué)習(xí)有所幫助。　　電平的概念：　　什么是電壓、電流、電功率?無(wú)線電愛好者都十分清楚。而談及“電平”能說清楚的人卻不多。盡管人們經(jīng)常遇到，書刊中亦多次談起電路中的高電平、低電平、電平增益、電平衰減，就連電工必備的萬(wàn)用表上都有專測(cè)電平的方法和刻線，而且“dB”、“dBμ”、“dBm”的字樣也常常可見。盡管如此，
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基于單片機(jī)的低成本CMOS圖像采集系統(tǒng)

　　在很多場(chǎng)合，由于客觀條件限制，人們不可能進(jìn)入現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行直接觀察，只能用適應(yīng)性更強(qiáng)的電子圖像設(shè)備來代替完成，在此背景下發(fā)展起來的圖像技術(shù)成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)應(yīng)用技術(shù)之一，它以直觀、信息內(nèi)容豐富而被廣泛應(yīng)用于許多場(chǎng)合。在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)圖像采集，必須要考慮物聯(lián)網(wǎng)的以下特點(diǎn)：　　(1)物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)對(duì)價(jià)格敏感。　　物聯(lián)網(wǎng)是信息傳感技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用，傳感節(jié)點(diǎn)數(shù)目成百上千，若每個(gè)節(jié)點(diǎn)的成本提高一點(diǎn)，整個(gè)物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的成本就會(huì)提高很多。所以傳感節(jié)點(diǎn)圖像采集的成本應(yīng)盡量低。　　(2)大部分物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用對(duì)圖像質(zhì)量要求
關(guān)鍵字：單片機(jī) CMOS

半導(dǎo)體制程技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)升溫

　　要判定FinFET、FD-SOI與平面半導(dǎo)體制程各自的市場(chǎng)版圖還為時(shí)過早… 　　盡管產(chǎn)量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計(jì)畫(參考閱讀)之后快速成長(zhǎng);而市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或?qū)⒃谥袊?guó)上海成立的一座新晶圓廠是否會(huì)采用FD
關(guān)鍵字：制程 FinFET

MIT開發(fā)全新光達(dá)系統(tǒng)　可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)

　　美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)日前開發(fā)出比目前市面上光達(dá)(LiDAR)更輕薄與低成本的光達(dá)系統(tǒng)，而且由于不采用運(yùn)動(dòng)機(jī)件將更為耐用，其非機(jī)械式光束操控速度更比目前機(jī)械光達(dá)系統(tǒng)快上1,000倍。另外，其優(yōu)點(diǎn)之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。　　據(jù)IEEESpectrum報(bào)導(dǎo)，光達(dá)是利用雷射光進(jìn)行感測(cè)的技術(shù)，雖類似雷達(dá)但卻可獲得更高解析度，因?yàn)楣饩€波長(zhǎng)比無(wú)線電波長(zhǎng)小10萬(wàn)倍。光達(dá)系統(tǒng)借由測(cè)量在3D空間內(nèi)的每一個(gè)畫素離發(fā)光元件的距離以及畫素方向來形成全3D世界模型。　　光達(dá)系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測(cè)量
關(guān)鍵字： MIT CMOS

MIT開發(fā)全新光達(dá)系統(tǒng)　可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)

　　美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)日前開發(fā)出比目前市面上光達(dá)(LiDAR)更輕薄與低成本的光達(dá)系統(tǒng)，而且由于不采用運(yùn)動(dòng)機(jī)件將更為耐用，其非機(jī)械式光束操控速度更比目前機(jī)械光達(dá)系統(tǒng)快上1,000倍。另外，其優(yōu)點(diǎn)之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。　　據(jù)IEEE Spectrum報(bào)導(dǎo)，光達(dá)是利用雷射光進(jìn)行感測(cè)的技術(shù)，雖類似雷達(dá)但卻可獲得更高解析度，因?yàn)楣饩€波長(zhǎng)比無(wú)線電波長(zhǎng)小10萬(wàn)倍。光達(dá)系統(tǒng)借由測(cè)量在3D空間內(nèi)的每一個(gè)畫素離發(fā)光元件的距離以及畫素方向來形成全3D世界模型。　　光達(dá)系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測(cè)
關(guān)鍵字： MIT CMOS

設(shè)計(jì)原則：?jiǎn)纹瑱C(jī)硬件系統(tǒng)擴(kuò)展外設(shè)

每天新產(chǎn)品時(shí)刻新體驗(yàn)一站式電子數(shù)碼采購(gòu)中心專業(yè)PCB打樣工廠，24小時(shí)加
關(guān)鍵字： ROM PCB CMOS

Synopsys占九成FinFET投片，Cadence趨于弱勢(shì)

新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設(shè)計(jì)量產(chǎn)投片(production tapeout)，目前已有超過20家業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商運(yùn)用這個(gè)平臺(tái)
關(guān)鍵字： Synopsys FinFET

移動(dòng)處理器工藝制程挑戰(zhàn)技術(shù)極限 FinFET成主流

　　隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進(jìn)步與智能手機(jī)對(duì)極致效能的需求加劇，移動(dòng)處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領(lǐng)先的晶圓代工廠商已經(jīng)將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節(jié)點(diǎn)的SoC也已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，那么半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)以摩爾定律的速度高速發(fā)展至今，移動(dòng)處理器的工藝制程向前演進(jìn)又存在哪些挑戰(zhàn)?同時(shí)，進(jìn)入20納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后傳統(tǒng)的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術(shù)與應(yīng)用上帶來怎樣的發(fā)展變革? 　　 5納米節(jié)點(diǎn)是目前技術(shù)極限摩爾定律被修正意義仍在
關(guān)鍵字：處理器 FinFET

TTL和CMOS電平的特點(diǎn)、使用方式

　　1，TTL電平(什么是TTL電平)：　　輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4v。在室溫下，一般輸出高電平是3.5v，輸出低電平是0.2v。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8v，噪聲容限是0.4v。< p=""> 　　特點(diǎn)：　　1.CMOS是場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，TTL為雙極晶體管構(gòu)成　　2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作　　3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗
關(guān)鍵字： TTL CMOS

關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平

　　本文主要介紹了一下關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平的知識(shí)要點(diǎn)，希望對(duì)你的學(xué)習(xí)有所幫助。　　一、TTL電平：　　TTL 電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價(jià)于邏輯“1”，0V等價(jià)于邏輯“0”，這被稱做TTL(Transistor- Transistor Logic 晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng)，這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。　　TTL 電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的
關(guān)鍵字： TTL CMOS

全球首家：臺(tái)積電公布5納米FinFET技術(shù)藍(lán)圖

　　臺(tái)積電7月14日首度揭露最先進(jìn)的5納米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)技術(shù)藍(lán)圖。臺(tái)積電規(guī)劃，5納米FinFET于2020年到位，開始對(duì)外提供代工服務(wù)，是全球首家揭露5納米代工時(shí)程的晶圓代工廠。　　臺(tái)積電透露，配合客戶明年導(dǎo)入10納米制程量產(chǎn)，臺(tái)積電明年也將推出第二代后段整合型扇形封裝(InFO)服務(wù)。臺(tái)積電強(qiáng)化InFO布局，是否會(huì)威脅日月光、矽品等專業(yè)封測(cè)廠，業(yè)界關(guān)注。　　臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先，是公司維持高獲利的最大動(dòng)能，昨天的新聞發(fā)布會(huì)上，先進(jìn)制程布局，成為法人另一個(gè)關(guān)注焦點(diǎn)。　　
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 FinFET