cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

后CMOS時(shí)代 Intel稱有12種設(shè)想可降低產(chǎn)品功耗

　　自從14nm節(jié)點(diǎn)開始，Intel在傳統(tǒng)CMOS半導(dǎo)體工藝升級(jí)上的步伐就慢下來(lái)了，Tick-Tock戰(zhàn)略名存實(shí)亡，還被TSMC、三星兩家趕超、奚落，甚至連市值都被TSMC超越了，以致于Intel為了挽回面子都想法推動(dòng)新的半導(dǎo)體工藝命名規(guī)則了。傳統(tǒng)CMOS工藝很可能在2024年終結(jié)，對(duì)此Intel也不是沒有準(zhǔn)備，最近他們公布了后CMOS時(shí)代的一些技術(shù)思路，Intel的目標(biāo)是在保持現(xiàn)有晶圓工廠的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品，電壓可以低至0.5V，這在目前的晶體管下是不可能的。　　根據(jù)EE
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芯片業(yè)追尋后CMOS時(shí)代研發(fā)新方向

傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體技術(shù)形成了摩爾定律的基礎(chǔ)，并在數(shù)十年來(lái)持續(xù)落實(shí)于產(chǎn)業(yè)界，如今它正日益成熟，業(yè)界也越來(lái)越迫切需要一種超越硅晶的新技術(shù)藍(lán)圖...
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摩爾定律活不久了 CMOS電路被判“死刑”

盡管Intel一直嘴硬說(shuō)摩爾定律未滅，但傳統(tǒng)半導(dǎo)體這幾年內(nèi)確實(shí)面臨著很大挑戰(zhàn)，IRDS日前發(fā)布的一份報(bào)告則給CMOS電路判了死刑——2024年它就會(huì)終結(jié)了。
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索尼再現(xiàn)黑科技:將DRAM集成到CMOS傳感器

　　索尼這幾年的手機(jī)之路走得并不平坦，不過(guò)沒有隨波逐流，漸漸變得默默無(wú)聞。作為黑科技的代名詞，索尼在半導(dǎo)體上的造詣可不是一般的強(qiáng)大。可能很多人會(huì)覺得索尼沒聽說(shuō)在半導(dǎo)體上有哪些重大貢獻(xiàn)，但是如果索尼的半導(dǎo)體工廠停工，因?yàn)槿虻氖謾C(jī)CMOS大部分來(lái)自索尼。　　索尼XZ Prumium 　　索尼鏡頭　　索尼展示技術(shù) 　　在今年的MWC上，索尼除了帶來(lái)全新的智能手機(jī)之外，他們還帶來(lái)了全新的三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)索尼官方介紹，三層堆疊式CMOS傳感器是在像素層和信號(hào)處理電路之間加入一層
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FinFET之父胡正明談人才培育

　　潘文淵文教基金會(huì)日前舉行“潘文淵獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮，2016年的得獎(jiǎng)人是加州大學(xué)柏克萊分校講座教授胡正明，他曾回臺(tái)擔(dān)任臺(tái)積電首任技術(shù)長(zhǎng)，也是工研院院士，他所研發(fā)的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限，堪稱半導(dǎo)體工業(yè)40多年來(lái)的最大變革。　　胡正明目前仍深耕學(xué)術(shù)教育，為產(chǎn)學(xué)研界培育眾多優(yōu)秀人才。在頒獎(jiǎng)典禮中，胡正明與清華大學(xué)前校長(zhǎng)劉炯朗以“創(chuàng)新人才培育─邁向科技新世代”為題進(jìn)行高峰論壇，兩人提出許多深具啟發(fā)性的見解。　　肯定自己解決問(wèn)題就是創(chuàng)新
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汽車電子產(chǎn)業(yè)變革催生半導(dǎo)體行業(yè)機(jī)遇

汽車智能化趨勢(shì)使得汽車電子半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)不再依賴于汽車產(chǎn)量的增加，而是車載半導(dǎo)體數(shù)量的增加。
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胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？

　　近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國(guó)成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因?yàn)镕D-SOI技術(shù)。　　眾所周知，當(dāng)柵極長(zhǎng)度逼近20nm大關(guān)時(shí)，對(duì)電流控制能力急劇下降，漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時(shí)代續(xù)命的高招。　　盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營(yíng)化”，F(xiàn)inFET陣營(yíng)占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅(jiān)守與推動(dòng)者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。　　今天我們就來(lái)談?wù)凢i
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本土手機(jī)芯片廠商日益強(qiáng)大 2017市場(chǎng)增長(zhǎng)極都有誰(shuí)？

手機(jī)產(chǎn)業(yè)持續(xù)平穩(wěn)增長(zhǎng)，芯片市場(chǎng)維持高景氣度
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索尼革命性拍照黑科技：把內(nèi)存塞進(jìn)CMOS

　　盡管近段時(shí)間索尼忙于月底的MWC 2017，但這似乎并不影響索尼偶爾刷刷黑科技的習(xí)慣。近日，索尼推出了一款劃時(shí)代的傳感器產(chǎn)品——全球首款三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)了解，索尼這種三層堆疊式傳感器基于目前CMOS傳感器進(jìn)行改進(jìn)，在像素層和信號(hào)處理電路層之間又增加了一層DRAM。新一代CMOS傳感器原理新一代CMOS傳感器原理　　技術(shù)介紹稱，大容量低功耗DRAM的加入可以讓傳感器獲得高速讀取的能力，從而拍攝快速移動(dòng)物體時(shí)能夠更加從容，有效減少拍攝時(shí)所產(chǎn)生的焦平面失真現(xiàn)象，使得抓拍、慢動(dòng)作都會(huì)更加
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SOI與finFET工藝對(duì)比中國(guó)需要發(fā)展誰(shuí)才正確

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展可能關(guān)鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實(shí)去干，去解決一個(gè)一個(gè)難題。任何進(jìn)步?jīng)]有捷徑，其中骨干企業(yè)的責(zé)任尤為重要。
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高通總裁談服務(wù)器芯片：更低功耗實(shí)現(xiàn)相同性能

　　2016年12月7日，高通宣布在服務(wù)器領(lǐng)域的最新進(jìn)展：其首款10nm服務(wù)器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣，預(yù)計(jì)在2017年下半年實(shí)現(xiàn)商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產(chǎn)品，Centriq 2400采用最先進(jìn)的10nm FinFET制程技術(shù)，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個(gè)核心。　　高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內(nèi)核——Qualcomm? Fa
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中國(guó)微電子所在FinFET工藝上的突破有何意義？

　　最近，中國(guó)微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現(xiàn)了全金屬化源漏(MSD)，能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅(qū)動(dòng)性能達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。　　基于本研究成果的論文被2016年IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM)接收，并在IEDM的關(guān)鍵分會(huì)場(chǎng)之一——硅基先導(dǎo)CMOS 工藝和制造技術(shù)(PMT)上，由張青竹
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中國(guó)突破半導(dǎo)體新工藝先要從這位美籍華人講起

由于技術(shù)和商業(yè)上的原因，摩爾定律也失去了效力，而且受制于光刻技術(shù)、硅材料的極限等因素，芯片制程提升很可能會(huì)遭遇瓶頸，這種情況下胡正明教授的FinFET研究就尤為重要。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 FinFET

CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析

　　1 CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)　　1.1 功耗低CMOS集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng)效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通，另一個(gè)管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門電路的功耗典型值僅為20mW，動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW。　　1.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡(jiǎn)單，供電電源體積小，基本上不需穩(wěn)壓。國(guó)產(chǎn)CC4000系列的集成電路，可在3~18V電壓下正常工作?！　?.3
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CMOS影像傳感器供不應(yīng)求市場(chǎng)價(jià)格止跌

　　據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，攝影用的CMOS影像傳感器市場(chǎng)，由于市場(chǎng)需求增大，原本跌價(jià)的趨勢(shì)已逐漸趨緩，智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn)，預(yù)料2017年初市場(chǎng)需求不減，報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。　　以1,300萬(wàn)畫素的產(chǎn)品來(lái)看，2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。　　造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢(shì)減緩的理由，主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì)，讓高階手機(jī)市場(chǎng)的CMOS影像傳
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