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工程師教你解決運放問題

揭開廢棄紐扣電池的秘密

  • 揭開廢棄紐扣電池的秘密-監(jiān)視便攜式設(shè)備或配套服務(wù)系統(tǒng)中紐扣電池的電壓等級，對現(xiàn)代 CMOS 運算放大器來說是一項常見的簡單應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  CR2032  德州儀器  

所有這些干擾都是從哪里來的？

  • 所有這些干擾都是從哪里來的？-自從進入市場以來，CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統(tǒng)設(shè)計人員帶來了極大優(yōu)勢。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲 （THD+N） 特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級。但是，輸入級對 THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規(guī)范屬性變得復(fù)雜。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  電源放大器  THD  

硅光子芯片設(shè)計突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸

  • 硅光子芯片設(shè)計突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當(dāng)今的硅光子芯片必須采用復(fù)雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級堆棧密不可分。
  • 關(guān)鍵字： 硅光子  半導(dǎo)體芯片  CMOS  芯片設(shè)計  

cmos+憶阻器實現(xiàn)高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構(gòu)

  • cmos+憶阻器實現(xiàn)高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲功能，讓設(shè)計人員能夠使用可編程時間常數(shù)建立圖像背景模型。
  • 關(guān)鍵字： cmos  憶阻器  傳感器  

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)

  • ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD 是在同步信號和時鐘信號的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個電路非常復(fù)雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號，電路簡單，讀出速率高。
  • 關(guān)鍵字： ccd  cmos  圖像傳感器  

圖像傳感器原理及分類

  • 圖像傳感器原理及分類-圖像傳感器是各種工業(yè)及監(jiān)控用相機、便攜式錄放機、數(shù)碼相機，掃描儀等的核心部件。目前，這個快速增長的市場現(xiàn)在已經(jīng)延伸到了玩具、手機、PDA、汽車和生物等領(lǐng)域。
  • 關(guān)鍵字： 圖像傳感器  CCD  CMOS  

詳解先進的半導(dǎo)體工藝之FinFET

  • 詳解先進的半導(dǎo)體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
  • 關(guān)鍵字： FinFET  半導(dǎo)體工藝  

三星推11納米FinFET，宣布7nm將全面導(dǎo)入EUV

  • 　　隨著臺積電宣布全世界第一個 3 奈米制程的建廠計劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個位數(shù)制程技術(shù)的競爭就正式進入白熱化的階段。 臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導(dǎo)入 11 奈米的 FinFET，預(yù)計在 2018 年正式投產(chǎn)之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設(shè)備。 　　根據(jù)三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術(shù)「11LPP (Low Power Plus)」是現(xiàn)今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
  • 關(guān)鍵字： 三星  FinFET  

FD SOI生態(tài)持續(xù)完善，與FinFET分庭抗禮局勢形成

  • 　　FD SOI技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的大環(huán)境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優(yōu)勢獲得業(yè)界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業(yè)的推動下，該產(chǎn)業(yè)鏈正逐步得到完善。此外，在中國大力發(fā)展集成電路的當(dāng)口，F(xiàn)D-SOI技術(shù)還給中國企業(yè)帶去更多的發(fā)展空間和機遇，如何充分利用FD-SOI技術(shù)優(yōu)勢，實現(xiàn)差異化創(chuàng)新成了眾IC設(shè)計企業(yè)的探討重點。此外，5G網(wǎng)絡(luò)與物聯(lián)網(wǎng)的不斷進化，對RF技術(shù)革新的強烈需求，對RF SOI技術(shù)帶來更廣大的市場前景。 　　FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完
  • 關(guān)鍵字： FinFET  物聯(lián)網(wǎng)  
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cmos finfet介紹

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