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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理方法

  • 　　本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現(xiàn)多余輸入端的解決方法，并且對每種情況進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，希望大家能從本文得到有用的知識(shí)，解決輸入端多余的問題?！　MOS門電路　　CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法：　　與門和與非門電路　　由
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干貨分享：工程師教你如何設(shè)計(jì)D類放大器

  • 　　D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計(jì)一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問題?！　∫纛l放大器背景　　音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號(hào)。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當(dāng)驅(qū)動(dòng)頻帶有限的揚(yáng)聲器時(shí)頻率
  • 關(guān)鍵字： D類放大器  CMOS  

對比工業(yè)成像中的CCD及CMOS技術(shù)

  • 在工業(yè)應(yīng)用的成像系統(tǒng)中，CCD是采用定制的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)，高度優(yōu)化于成像應(yīng)用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)用于后續(xù)處理。具有高效的電子快門能力、寬動(dòng)態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內(nèi)，來進(jìn)行電荷——電壓轉(zhuǎn)換。這令電壓在整個(gè)器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
  • 關(guān)鍵字： 成像系統(tǒng)  圖像傳感器  CCD  CMOS  201604  

FD-SOI與FinFET互補(bǔ)，是中國芯片業(yè)彎道超車機(jī)會(huì)

  • 本文介紹了Soitec半導(dǎo)體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點(diǎn)、最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域和應(yīng)用前景。
  • 關(guān)鍵字： FD-SOI  FinFET  制造  201604  

什么是TTL電平、CMOS電平？兩者的區(qū)別

  • 　　TTL電平信號(hào)對于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強(qiáng)型PMOS晶體管和增強(qiáng)型NMOS管按照互補(bǔ)對稱形式連接的，下面來說一下兩者的區(qū)別?！　∈裁词荰TL電平　　TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價(jià)于邏輯"1"，0V等價(jià)于邏輯"0"，這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng)，這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。　　TTL電平信號(hào)對于計(jì)算機(jī)處理器控制
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芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍

  • 　　整合光子與電子元件的半導(dǎo)體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無法廣泛應(yīng)用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。 　　據(jù)HPC Wire網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，這顆整合7，000萬個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)和電子設(shè)計(jì)工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內(nèi)建的光電發(fā)射器和接收器
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針對高性能計(jì)算7納米 FinFET工藝，ARM與臺(tái)積電簽訂長期戰(zhàn)略合作協(xié)議

  •        ARM和臺(tái)積電宣布簽訂針對7納米 FinFET工藝技術(shù)的長期戰(zhàn)略合作協(xié)議，涵蓋了未來低功耗，高性能計(jì)算SoC的設(shè)計(jì)方案。該合作協(xié)議進(jìn)一步擴(kuò)展了雙方的長期合作關(guān)系，并將領(lǐng)先的工藝技術(shù)從移動(dòng)手機(jī)延伸至下一代網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心。此外，該協(xié)議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎(chǔ)物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術(shù)合作?！　RM全球執(zhí)行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)群總裁
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使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問題

  • 　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問題。　　1、電源問題　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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三星14nm LPE FinFET電晶體揭密

  • 　　三星(Samsung)即將量產(chǎn)用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，這項(xiàng)消息持續(xù)引發(fā)一些產(chǎn)業(yè)媒體的關(guān)注。三星第二代14nm LPP制程為目前用于其Exynos 7 SoC與蘋果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了進(jìn)一步的更新。 　　業(yè)界目前共有三座代工廠有能力制造這種鰭式場效電晶體(FinFET)：英特爾(Intel)、三星 和臺(tái)積電(TSMC)。TechInsights曾經(jīng)在去年
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關(guān)于電路的那些常識(shí)性概念

  • 　　一.TTL　　TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源?！　?.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol　　Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V　　2.輸入高電平和輸入低電平　　Uih≥2.0V，Uil≤0.8V　　二.CMOS　　CMOS電路是電壓控制器件，輸入電阻極大，對于干擾信號(hào)十分敏感，因此不用的輸入端不應(yīng)開路，接到地或者電源上。CMOS電路的優(yōu)點(diǎn)是噪聲容限較寬，靜態(tài)功耗很小。　　
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歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)

  • 　　歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項(xiàng)為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計(jì)劃，這項(xiàng)研發(fā)經(jīng)費(fèi)高達(dá)470萬美元的計(jì)劃重點(diǎn)是在標(biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來的5G規(guī)格要求，以及瞄準(zhǔn)頻寬更廣、影像解析度更高的雷達(dá)系統(tǒng)。 　　除了IBM (瑞士)，該計(jì)劃將由德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
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5納米制程技術(shù)挑戰(zhàn)重重 成本之高超乎想象

  • 　　半導(dǎo)體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機(jī)所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)(DP)。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時(shí)，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級(jí)，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來到10納米甚至7納米時(shí)，基本上可以使用同樣的設(shè)備，似乎己無懸念，只是芯片的制造成本會(huì)迅速增加。然而到5納米時(shí)肯定是個(gè)坎，因?yàn)槿绻鸈UV不能準(zhǔn)備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)(FP)，這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。 　　而對于更先進(jìn)5納米生產(chǎn)線來說，至今業(yè)界
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安森美半導(dǎo)體推出先進(jìn)的1300萬像素CMOS圖像傳感器，采用SuperPD PDAF技術(shù)

  • 　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，進(jìn)一步擴(kuò)展成像方案產(chǎn)品陣容，推出最新的高性能CMOS數(shù)字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對消費(fèi)電子產(chǎn)品如智能手機(jī)和平板電腦。AR1337結(jié)合高性能的SuperPD?相位檢測自動(dòng)對焦(PDAF)像素技術(shù)，提供微光下300 ms或更少時(shí)間的對焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過采用其片上PDAF處理，大大簡化集成到智能手機(jī)平臺(tái)和提高相機(jī)模塊集成商生產(chǎn)能力，較市場上其它
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應(yīng)用材料:2016年晶圓廠設(shè)備支出有望擴(kuò)增

  • 　　    　　應(yīng)用材料集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸認(rèn)為，在3D NAND和10奈米技術(shù)帶動(dòng)下，今年晶圓代工資本支出有望回升?！　?yīng) 用材料集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁與全球半導(dǎo)體業(yè)務(wù)服務(wù)群跨區(qū)域總經(jīng)理余定陸表示，2015年看到這四年以來晶圓代工的資本支出進(jìn)入谷底，預(yù)估今年投資水位有 望提升，而大部分支出將發(fā)生在下半年，其中有五成以上將集中于10奈米技術(shù);對晶圓代工來說，10奈米不同于16奈米，最顯著變化在于鰭式場效電晶體 (FinFET)
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CMOS傳感器，3D化發(fā)表接二連三

  • 　　在正在舉行的“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日，美國舊金山)上，與積層CMOS圖像傳感器的3D(三維)化相關(guān)的發(fā)表接連不斷。在有9項(xiàng)演講的“SESSION6 Image Sensors”論壇上，有3項(xiàng)演講是與CMOS圖像傳感器的3D化有關(guān)的。以前業(yè)界就在做3D化嘗試，而此次的3項(xiàng)技術(shù)除了比原來具有更強(qiáng)的低成本和低功耗意識(shí)之外，還在3D化中輕松實(shí)現(xiàn)了“模塊化”。 　　 ? 　　通過模塊化手段
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