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激光雷達掃壞CMOS，難道汽車都要變成“光棱坦克”了？

  • 激光雷達，對于汽車產(chǎn)業(yè)的重要性不言而喻，它是自動駕駛汽車感知周圍環(huán)境的關(guān)鍵傳感器之一。憑借其高精度的 360 度全方位掃描能力，激光雷達能夠?qū)崟r生成車輛周圍環(huán)境的精確三維地圖，精準檢測并追蹤其他車輛、行人、障礙物等，為自動駕駛決策系統(tǒng)提供精準且可靠的數(shù)據(jù)支持，是保障自動駕駛汽車安全行駛、實現(xiàn)智能駕駛功能落地的核心基石，正推動著汽車產(chǎn)業(yè)向著更智能、更安全的方向加速變革。但是在給車輛更安全的環(huán)境感知能力之時，各位讀者有沒有想過，這些越來越多激光雷達，會逐漸開始危害我們的財產(chǎn)安全，而首當其沖的就是手機
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Finwave籌集820萬美元短期投資以推動市場發(fā)展

  • 美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領投，技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領導者對其獨特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場潛力充滿信心，因為它正在從以技術(shù)為中心的創(chuàng)新者轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品驅(qū)動型公司。這家科技公司由麻省理工學院 （MIT） 的研究人員于 2012
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“最后也是最好的FINFET節(jié)點”

  • 在該公司的北美技術(shù)研討會上，臺積電業(yè)務發(fā)展和海外運營辦公室高級副總裁兼聯(lián)合首席運營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點”。臺積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng)建一個全面的、可定制的硅資源?！拔覀兊哪繕耸亲尲尚酒阅艹蔀橐粋€平臺，”Zhang 說。 截至目前，可用或計劃中 N3 變體是：N3B：基準 3nm 工藝。N3E：成本優(yōu)化的版本，具有更少的 EUV 層數(shù)，并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增強版本，在相
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CMOS可靠性測試：脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC？

  • 在半導體領域，隨著技術(shù)的不斷演進，對CMOS（互補金屬氧化物半導體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計算（HPC）等前沿技術(shù)的推動下，傳統(tǒng)的可靠性測試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測試中的應用，以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對于研究半導體電荷捕獲和退化行為而言，交流或脈沖應力是傳統(tǒng)直流應力測試的有力補充。在NBTI（負偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時間變化的介電擊穿）試驗中，應力/測量循環(huán)通常采用直流信號，因其易于映射到器件模型中。然而，結(jié)
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CMOS_Sensor國產(chǎn)替代到什么程度了？

  • 攝像頭CMOS傳感器（CMOS Image Sensor, CIS）是成像設備的核心部件，廣泛應用于智能手機、安防監(jiān)控、汽車電子、工業(yè)檢測等領域。以下是國內(nèi)外主流的CMOS傳感器廠家及其主要特點和代表性型號：從智能手機到自動駕駛，從安防監(jiān)控到工業(yè)檢測，CIS的身影無處不在。隨著技術(shù)不斷演進，CIS市場格局也在悄然變化。今天，我們就來一次全景掃描，盤點國內(nèi)外主流CMOS傳感器廠商，以及那些正在崛起的新興勢力。當年最缺芯片的時候，我別的不擔心，最擔心買不到索尼的Sensor，結(jié)果一開始我們用中國臺灣的可以替代
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臺積電2nm馬上量產(chǎn)：工廠火力全開 蘋果首發(fā)

  • 3月31日消息，據(jù)媒體報道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地，預計今年下半年正式進入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中，臺積電已經(jīng)做到了高達60%的良率表現(xiàn)，待兩大工廠同步投產(chǎn)之后，月產(chǎn)能將攀升至5萬片晶圓，最大設計產(chǎn)能更可達8萬片。與此同時，市場對2nm芯片的需求持續(xù)高漲，最新報告顯示，僅2025年第三、四季度，臺積電2納米工藝即可創(chuàng)造301億美元的營收，這一數(shù)字凸顯先進制程在AI、高性能計算等領域的強勁需求。作為臺積電的核心客戶，蘋果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預計iP
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圖像傳感器選擇標準多？成像性能必須排第一

  • 當涉及到技術(shù)創(chuàng)新時，圖像傳感器的選擇是設計和開發(fā)各種設備過程中一個至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，這些設備包括專業(yè)或家庭安防系統(tǒng)、機器人、條形碼掃描儀、工廠自動化、設備檢測、汽車等。選擇最合適的圖像傳感器需要對眾多標準進行復雜的評估，每個標準都會影響最終產(chǎn)品的性能和功能。從光學格式和、動態(tài)范圍到色彩濾波陣列（CFA）、像素類型、功耗和特性集成，這些標準的考慮因素多種多樣，錯綜復雜。在各類半導體器件中，圖像傳感器可以說是最復雜的。這些傳感器將光子轉(zhuǎn)換為電信號，通過一系列微透鏡、CFA、像素和模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）產(chǎn)生數(shù)字輸出
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SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感器部門轉(zhuǎn)向AI存儲器領域

  • 3月7日消息，近日，綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK等多家韓媒報道，SK海力士在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其CIS（CMOS圖像傳感器）部門，該團隊的員工將轉(zhuǎn)崗至AI存儲器領域。SK海力士稱其CIS團隊擁有僅靠存儲芯片業(yè)務無法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務能力。存儲和邏輯半導體高度融合的趨勢下，將CIS團隊和存儲部門聚合為一個整體，才能進一步提升企業(yè)的AI存儲器競爭力。
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復旦大學在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索

  • 異質(zhì)異構(gòu)Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術(shù)路線之一，正引起整個半導體行業(yè)的廣泛關(guān)注，但這種方法要真正實現(xiàn)商業(yè)化，仍有賴于通用標準協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術(shù)，在非尺寸依賴追求應用多樣性、多功能特點的現(xiàn)實需求，正在推動不同半導體材料的異質(zhì)集成研究。為此，復旦大學微電子學院張衛(wèi)教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng)新研究，并在近期國內(nèi)重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor

  • onsemi AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數(shù)位影像感測器，擁有 3840 H x 2160 V 的有效像素陣列。這款先進的汽車用感測器能以高動態(tài)范圍 (HDR) 并結(jié)合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT 可在每一幀中同時捕捉低光與極高亮度的場景，其 2.1 μm 超級曝光像素能實現(xiàn)高達 150 dB 的動態(tài)范圍，而無需進行自動曝光調(diào)整。這顯著降低了場景依賴的汽車關(guān)鍵系統(tǒng)的延遲，實現(xiàn)更快速且更安全的數(shù)據(jù)收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
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國產(chǎn)無反相機產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)

  • 根據(jù)相機及影像產(chǎn)品協(xié)會（CIPA）公布的數(shù)據(jù)，2024 年 1 月至 5 月，中國市場相機出貨量全球占比達到 23.4%，躍居繼美洲之后的全球第二大市場。在智能手機沖擊下曾一度遇冷的相機市場，如今因直播電商、短視頻等新興產(chǎn)業(yè)的崛起而重新煥發(fā)生機。產(chǎn)品創(chuàng)新與流量經(jīng)濟的交織，正在為傳統(tǒng)行業(yè)打開一條全新的消費路徑。日本佳能副社長、執(zhí)行董事小澤秀樹也表示，2023 年中國數(shù)碼相機市場實現(xiàn)了 25% 的增長，其中無反相機更是增長了 31%，預計 2024 年這一增長勢頭將持續(xù)，無反相機的增長有望達到 35%。隨著近
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打破索尼壟斷！晶合集成1.8億像素相機全畫幅CMOS成功試產(chǎn)：業(yè)內(nèi)首顆

  • 8月19日消息，今日，晶合集成宣布與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫幅（2.77英寸）CMOS圖像傳感器（以下簡稱CIS），為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇。據(jù)了解，晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺，與思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限。同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依然保證電學性能和光學性能的連貫一致。晶合集成表示，首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產(chǎn)，既標志著光刻拼接技術(shù)在
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業(yè)內(nèi)首顆！國產(chǎn) 1.8 億像素相機全畫幅 CMOS 圖像傳感器成功試產(chǎn)

  • 8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，該公司與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆 1.8 億像素全畫幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 圖像傳感器），為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇?！?產(chǎn)品圖，圖源晶合集成，下同據(jù)介紹，為滿足 8K 高清化的產(chǎn)業(yè)要求，高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的 55 納米工藝平臺，攜手思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限，同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依
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英特爾最新的FinFET是其代工計劃的關(guān)鍵

  • 在上周的VLSI研討會上，英特爾詳細介紹了制造工藝，該工藝將成為其高性能數(shù)據(jù)中心客戶代工服務的基礎。在相同的功耗下，英特爾 3 工藝比之前的工藝英特爾 4 性能提升了 18%。在該公司的路線圖上，英特爾 3 是最后一款使用鰭片場效應晶體管 （FinFET） 結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，該公司于 2011 年率先采用這種結(jié)構(gòu)。但它也包括英特爾首次使用一項技術(shù)，該技術(shù)在FinFET不再是尖端技術(shù)之后很長一段時間內(nèi)對其計劃至關(guān)重要。更重要的是，該技術(shù)對于該公司成為代工廠并為其他公司制造高性能芯片的計劃至關(guān)重要。它被稱為偶極子功
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使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管

  • 為特定CMOS工藝節(jié)點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為，那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
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cmos finfet介紹

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