隨著半導體工藝技術的進步與智能手機對極致效能的需求加劇，移動處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領先的晶圓代工廠商已經將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節(jié)點的SoC也已實現量產，那么半導體技術節(jié)點以摩爾定律的速度高速發(fā)展至今，移動處理器的工藝制程向前演進又存在哪些挑戰(zhàn)?同時，進入20納米技術節(jié)點之后傳統的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術與應用上帶來怎樣的發(fā)展變革?
5納米節(jié)點是目前技術極限 摩爾定律被修正意義仍在
關鍵字：
處理器 FinFET
1，TTL電平(什么是TTL電平)：
輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4v。在室溫下，一般輸出高電平是3.5v，輸出低電平是0.2v。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8v，噪聲容限是0.4v。< p="">
特點：
1.CMOS是場效應管構成，TTL為雙極晶體管構成
2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗
關鍵字：
TTL CMOS
本文主要介紹了一下關于TTL電平、CMOS電平、RS232電平的知識要點，希望對你的學習有所幫助。
一、TTL電平：
TTL 電平信號被利用的最多是因為通常數據表示采用二進制規(guī)定，+5V等價于邏輯“1”，0V等價于邏輯“0”，這被稱做TTL(Transistor- Transistor Logic 晶體管-晶體管邏輯電平)信號系統，這是計算機處理器控制的設備內部各部分之間通信的標準技術。
TTL 電平信號對于計算機處理器控制的設備內部的
關鍵字：
TTL CMOS
臺積電7月14日首度揭露最先進的5納米FinFET(鰭式場效電晶體)技術藍圖。臺積電規(guī)劃，5納米FinFET于2020年到位，開始對外提供代工服務，是全球首家揭露5納米代工時程的晶圓代工廠。
臺積電透露，配合客戶明年導入10納米制程量產，臺積電明年也將推出第二代后段整合型扇形封裝(InFO)服務。臺積電強化InFO布局，是否會威脅日月光、矽品等專業(yè)封測廠，業(yè)界關注。
臺積電在晶圓代工領域技術領先，是公司維持高獲利的最大動能，昨天的新聞發(fā)布會上，先進制程布局，成為法人另一個關注焦點。
關鍵字：
臺積電 FinFET
一、CMOS門電路
CMOS 門電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下方法：
1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就為低電平，只有全部為高電平時，輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
關鍵字：
CMOS TTL
CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經常遇到這樣一個問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作？
一、CMOS門電路
CMOS 門電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下方法：
1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能
關鍵字：
CMOS TTL
近年來，在政府對 汽車安全法令的貫徹和實施、消費者 駕乘體驗及自動駕駛的趨勢推動下，汽車 圖像傳感器領域呈爆發(fā)式增長。汽車圖像傳感有著廣泛的應用領域，具有卓越性能和先進的圖像處理能力的圖像傳感器在提高 行車安全的同時還提升用戶駕乘體驗，成為近年來汽車領域的炙手可熱的技術。預測顯示，2014-2018年間汽車CMOS 傳感器市場的收入年復合增長率(CAGR)將達到28%。
汽車圖像傳感器主要應用領域
汽車圖像傳感器的應用非常廣泛，包括用于視覺應用如倒車影像、前視、后視、俯視、全景泊車影像、車
關鍵字：
圖像傳感器 CMOS
對于消費者而言，智能手機的拍照能力依然是決定購買的重要因素之一，這也使得手機攝像頭元件制作成為目前一個重要且快速增長的產業(yè)。在未來5年里，CMOS感光元件產業(yè)的價值將達到190億美元。而就目前而言，索尼依然是CMOS感光元件市場的絕對領導者。
根據調查統計，CMOS感光元件市場在2015年總市值達到67億美元，而單單索尼就控制著其中35%的市場份額(36億美元)。而其余的競爭者都無法撼動索尼的地位，不管是三星(19%)、OmniVision、On Semiconductor、佳能、東芝還是松下。
關鍵字：
索尼 CMOS
在28nm晶片制程節(jié)點的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上，自旋力矩轉移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領先的位置。
比利時研究機構IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應28nm CMOS制程的要求。
28nm平面CMOS節(jié)點可望具有更長的壽命，以因應更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
關鍵字：
MRAM CMOS
Sony 24日盤后公布了因熊本強震影響而一度擱置的今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月)財測，而熊本強震雖對Sony營益帶來1,150億日圓的影響，不過Sony仍預估今年度營益有望呈現增長，也帶動Sony 25日股價大漲。 根據嘉實XQ全球贏家系統報價，截至臺北時間25日上午8點18分為止，Sony飆漲5.47%至3,044日圓，稍早最高漲至3,058日圓、創(chuàng)4月21日以來新高水準。 不過全球智能手機成長減速，也對Sony核心事業(yè)之一的元件事業(yè)帶來沖擊，Sony也坦承嚴重錯估了使
關鍵字：
Sony CMOS
ARM今日發(fā)布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準檢驗結果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術，此測試芯片展現更佳運算能力與功耗表現?！ 〈丝顪y試芯片的成功驗證(設計定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺積電持續(xù)成功合作的重要里程碑。該驗證完備的設計方案包含了IP、EDA工具、設計流程及方法，能夠使新客戶采用臺積電最先進的
關鍵字：
ARM FinFET
據中新網、網易等報道，當地時間2016年5月19日，美國總統奧巴馬在白宮為2015年度美國最高科技獎項獲得者頒獎，包括9名國家科學獎獲得者和8名國家技術和創(chuàng)新獎獲得者。其中兩張華裔面孔格外引人注意，包括80歲高齡的何南施女士(Nancy ho)，出生于南京，1957年畢業(yè)于臺灣大學。
她1993年制造出一種酵母，除了讓木糖發(fā)酵，也可以吧果糖變成乙醇，因此能夠利用稻草之類的非食用材料大量制造乙醇，幫助減少對進口石油的依賴。
另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺灣長大，后
關鍵字：
FinFET
Nvidia和AMD雙方都擁有為數眾多的粉絲,每天在網上相互抨擊的文章和帖子是數不勝數，大家都認為自家購買的顯卡是最好的，而把對方貶的一無是處，顯卡如此，CP黨爭更是如此。
關鍵字：
AMD FinFET
在工業(yè)應用中成像系統的廣泛采用持續(xù)擴展，不僅由新的影像感測器技術和產品的開發(fā)所推動，還由支援平臺的進步所推動，如電腦功率和高速數據介面。今天，成像系統的使用在各種領域很常見，如配線檢查、交通監(jiān)測/執(zhí)法、監(jiān)控和醫(yī)療及科學成像，由于影像感測器技術的進步，使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著影像感測器現在采用電荷耦合元件(CCD)和互補式金屬氧化物半導體(CMOS)技術設計，審視這兩大平臺對于選擇最適合特定應用的影像感測器很有幫助?！ ‰娮映上窦夹g的發(fā)展始于上世紀60年代，諾貝爾獎得主Boyle和Smit
關鍵字：
CCD CMOS
在研制帶處理器的電子產品時，如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結了一些方法?！ ∫?、下面的一些系統要特別注意抗電磁干擾： 1、微控制器時鐘頻率特別高，總線周期特別快的系統?！ ?、系統含有大功率，大電流驅動電路，如產生火花的繼電器，大電流開關等?！ ?、含微弱模擬信號電路以及高精度A/D變換電路的系統?！ 《?、為增加系統的抗電磁干擾能力采取如下措施： 1、選用頻率低的微控制器： 選用外時鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比
關鍵字：
電磁兼容 CMOS
cmos finfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos finfet的理解，并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473