cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

豐田采用索尼CMOS圖像傳感器夜間也可探測行人

　　據(jù)外媒報(bào)道，豐田汽車公司(Toyota Motor Corp)已將用于豐田主動(dòng)安全套裝Toyota Safety Sense (TSS)高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)內(nèi)的單目攝像頭的CMOS圖像傳感器換成了索尼公司的產(chǎn)品。此次更換產(chǎn)品會(huì)讓高級駕駛員輔助系統(tǒng)的自動(dòng)制動(dòng)功能(該系統(tǒng)的主要功能之一)能夠在夜間檢測到行人?！　∝S田將索尼產(chǎn)品用于其2018年推出的第二代豐田主動(dòng)安全套裝TSS(TSS2)上，此為豐田首次在單目攝像頭的CMOS傳感器中使用索尼產(chǎn)品。之前豐田主動(dòng)安全套裝TSS內(nèi)的單目攝像頭的CMOS
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利用FinFET優(yōu)勢的六種方式

為了能夠充分發(fā)揮好工藝制程的功耗，性能和面積(PPA)上的優(yōu)勢，必須要求我們的設(shè)計(jì)人員將有相關(guān)工藝知識的設(shè)計(jì)戰(zhàn)略和優(yōu)化的IP相結(jié)合，其中包括了標(biāo)準(zhǔn)
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FinFET布局和布線要經(jīng)受的重大考驗(yàn)

隨著高級工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。多重圖案拆分
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詳解CMOS與BIOS的關(guān)聯(lián)與區(qū)別

　　很多學(xué)習(xí)半導(dǎo)體技術(shù)的人弄不清CMOS與BIOS之間的聯(lián)系與區(qū)別，容易誤認(rèn)為兩個(gè)表達(dá)的是一個(gè)東西，其實(shí)不然，兩者有關(guān)聯(lián)卻不相同。　什么是CMOS與BIOS?　　CMOS又被稱作互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，CMOS常指保存計(jì)算機(jī)基本啟動(dòng)信息(如日期、時(shí)間、啟動(dòng)設(shè)置等)的芯片。有時(shí)人們會(huì)把CMOS和BIOS混稱，其實(shí)CMOS是主板上的一塊可讀寫的并行或串行FLASH芯片，是用來保存BIOS的硬件配置和用戶對某些參數(shù)的設(shè)定。在今日，CMOS
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世界第一款K波段DAC背后的設(shè)計(jì)秘密

　　本文將透露世界首款K波段數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器EV12DS460A背后的設(shè)計(jì)秘密，介紹為了提高性能和規(guī)避CMOS設(shè)計(jì)限制而引入的超高速制程。同時(shí)本文也將解釋，緊湊的單核心數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器核心配合仔細(xì)斟酌的設(shè)計(jì)如何讓EV12DS460A的性能有突破性提高。最后，您可以看到布線和電路簡化的細(xì)微差別是設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮的重要因素?！　「攀觥　∥⒉ㄏ到y(tǒng)設(shè)計(jì)師一直在追求更高的性能和更高的工作帶寬。簡化設(shè)計(jì)和降低功耗、尺寸、重量同樣是需考慮的問題。UWB數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器能極大地簡化多通道傳輸系統(tǒng)的設(shè)計(jì)(如果您對此不了解，請?jiān)L問這里)。多年來，
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CMOS電平轉(zhuǎn)換電路詳解

COMS集成電路是互補(bǔ)對稱金屬氧化物半導(dǎo)體(Compiementary symmetry metal oxide semicoductor)集成電路的英文縮寫，電路的許多基本邏輯單元都是用增強(qiáng)
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CCD傳感器的理想替代選擇

　　CCD和CMOS傳感器是目前最常見的兩種數(shù)字圖像傳感器，廣泛運(yùn)用于各類工業(yè)相機(jī)，個(gè)人數(shù)碼相機(jī)，手機(jī)相機(jī)及攝像機(jī)等數(shù)字成像產(chǎn)品?！　CD傳感器于1969年由貝爾實(shí)驗(yàn)室研制成功，伴隨其高量子效率、高靈敏度、低暗電流、高一致性、低噪音的特性，一度成為圖像傳感器市場的主導(dǎo)。和CCD傳感器相比，CMOS圖像傳感器具有低功耗、低操作電壓、低價(jià)格等優(yōu)勢，但是在CMOS圖像傳感器出現(xiàn)初期由于相對較差的性能和較大的像元尺寸，并沒有得到很好的市場。后來隨著超大規(guī)模集成電路技術(shù)(VLSI)和CMOS工藝水平的不斷提高，C
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三攝手機(jī)、車用電子將帶動(dòng)CMOS傳感器需求

　　時(shí)間進(jìn)入2018年第3季，市場上卻充斥智能型手機(jī)需求不如預(yù)期雜音，熟悉半導(dǎo)體廠商表示，目前看來手機(jī)相關(guān)芯片需求可望維持基本盤，成長空間確實(shí)有待觀察，然而今年值得注意的重點(diǎn)為換購升級需求，如以往手機(jī)采用雙鏡頭，往后更將往三鏡頭推進(jìn)，將帶動(dòng)CMOS感測元件量能提升。另外，手機(jī)以外最重要的次世代領(lǐng)域車用電子市場，一臺(tái)車采用CIS元件顆數(shù)上看40顆以上，對于講究量能的專業(yè)CIS封測廠如勝麗、京元電、同欣電、以及代理Sony CIS元件的專業(yè)渠道廠商尚立來說，下半年?duì)I運(yùn)仍可望正向看待?！　≤囉肅MOS影像傳感器
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1顆CMOS打華為3顆：安卓標(biāo)桿機(jī)就這么霸氣

　　作為每年的安卓參考機(jī)，谷歌的“親兒子”系列在歐美有著一票忠實(shí)粉絲?！　?月30日，知名爆料人Onleaks分享了一張Pixel 3的結(jié)構(gòu)透視照，確認(rèn)了其后置單攝像頭、后指紋的設(shè)定。　　他還透露，資料是從制造工廠拿到的CAD定稿，可靠度不用質(zhì)疑?！　「鶕?jù)此前的渲染，Pixel 3 XL將搭載一塊6.2英寸19：9的劉海屏，pixel 3則是5.4寸16：9傳統(tǒng)設(shè)計(jì)?！　∑渲?，在前劉海的設(shè)計(jì)上，谷歌最終拿出的方案是，劉海內(nèi)元件對稱(兩顆攝像頭)，寬度23.8mm，豎直長度8.1mm，而“下巴”的豎直長度是
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思特威SmartSens回應(yīng)知識產(chǎn)權(quán)糾紛

　　近日，全球領(lǐng)先的CMOS圖像傳感器供應(yīng)商SmartSens針對近期公司遭遇的專利侵權(quán)訴訟做出回應(yīng)：　　SmartSens此前被訴侵犯某公司的專利權(quán)，相關(guān)的兩項(xiàng)專利分別為200510052302.4號發(fā)明專利(名稱為“像素間采用共享晶體管的CMOS圖像傳感器”)和200680019122.9號發(fā)明專利(名稱為“場效應(yīng)晶體管布置對稱的像素”)。公司為此聘請業(yè)內(nèi)資深律師積極應(yīng)對，經(jīng)公司提起專利權(quán)無效宣告請求，國家知識產(chǎn)權(quán)局復(fù)審委員會(huì)于近日對上述兩項(xiàng)專利分別作出第36227號和36245號無效宣告請求審查決定
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三星侵犯大學(xué)專利，賠償金或高達(dá)4億美元

　　近日，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團(tuán)作出一項(xiàng)裁決：三星電子因侵犯韓國技術(shù)學(xué)院一項(xiàng)專利技術(shù)，需向后者支付賠償金或?qū)⒏哌_(dá)4億美元?！　?jù)了解，韓國技術(shù)學(xué)院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(shù)(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利技術(shù)。然而三星向陪審團(tuán)表示，它與韓國技術(shù)學(xué)院合作開發(fā)了這項(xiàng)技術(shù)，并否認(rèn)侵犯了相關(guān)專利技術(shù)。三星還對這項(xiàng)專利的有效性提出了質(zhì)疑。就在三星對此不屑一顧時(shí)，其對手英特爾公司開始向這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)明者取得許可授權(quán)，圍繞三星是否侵權(quán)的力量博弈發(fā)生了改變，三星才開始重視這個(gè)事件的嚴(yán)重性?！　?jù)悉
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佳能造世界最大CMOS傳感器為全畫幅40倍

　　據(jù)外媒報(bào)道，佳能近日推出了號稱目前世界最大的高靈敏度CMOS圖像傳感器?！　〖涯鼙硎荆@款CMOS是在直徑為12英寸的圓形硅晶片上所能制作出CMOS的最大尺寸，其面積約為普通35mm全畫幅傳感器的40倍左右。　　據(jù)稱，該傳感器能夠幫助確認(rèn)極其微弱且迄今為止只有理論上存在的流星，這讓它能夠被應(yīng)用于天文領(lǐng)域，幫助人類增進(jìn)對流星可能對地球上生命發(fā)展所產(chǎn)生影響的理解。
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如何正確處理CMOS和TTL集成門電路多余輸入端？

CMOS和TTL集成門電路在實(shí)際使用時(shí)經(jīng)常遇到這樣一個(gè)問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作?　　一、CMOS門電路　　CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法：　　1、
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掌控芯片制造的“火候”，看懂小處用心的美好

小小的芯片，看似簡單，卻充滿了科技之道。只有真的懂得制造工藝與應(yīng)用原理，了解每一顆芯片生產(chǎn)背后的艱辛，才能看懂制造商從小處用心的美好。
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胡正明：技術(shù)創(chuàng)新可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍

　　“半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷由技術(shù)推動(dòng)到需求推動(dòng)的轉(zhuǎn)變。而半導(dǎo)體技術(shù)上的創(chuàng)新，可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間?！苯?，美國加州大學(xué)伯克利分校教授、國際微電子學(xué)家胡正明在接受集微網(wǎng)采訪時(shí)表示?！　∽?965年摩爾定律提出以來，歷經(jīng)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，如今越來越遭遇挑戰(zhàn)，特別是新世紀(jì)以來，每隔十年，摩爾定律以及半導(dǎo)體的微型化似乎便會(huì)遭遇到可能終止的危機(jī)?！　『靼l(fā)明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI)，兩大革命性創(chuàng)新為半導(dǎo)體帶來新契機(jī)。 2011年5月
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