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3d 閃存 文章 最新資訊

毫米波傳感器支持的閃存型號

2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長 24.5%:三星增長 44.8% 居首位

  • IT之家 3 月 6 日消息,集邦咨詢近日發(fā)布市場研究報告,表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元,環(huán)比增長 24.5%,2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲,預估環(huán)比會繼續(xù)增長兩成。三星第四季營收以三星(Samsung)增長幅度最高,主要是服務器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%,平均銷售價格環(huán)比增加 12%,帶動營收上升至 42 億美元,環(huán)比增加 44.8%。SK 集團SK 集團(SK Group)受惠于價
  • 關鍵字: NAND 閃存  存儲  市場分析  

西部數(shù)據(jù)發(fā)布公告:今年年底前完成閃存和硬盤業(yè)務分拆

  • IT之家 3 月 6 日消息,西部數(shù)據(jù)近日發(fā)布公告,宣布分拆硬盤和閃存業(yè)務上取得了重大進展,并會按期在 2024 年年底前完成分拆,并公布了分拆之后亮相業(yè)務的主要負責人。圖源:西部數(shù)據(jù)IT之家于 2023 年 10 月報道,西部數(shù)據(jù)由于鎧俠合并未果,宣布分拆為兩家獨立上市公司,專注于硬盤和閃存市場。西部數(shù)據(jù)表示分拆兩項業(yè)務,能更好地執(zhí)行創(chuàng)新技術和產(chǎn)品開發(fā),利用獨特的增長機會,擴大各自的市場領導地位,并通過不同的資本結構更有效地運營。西部數(shù)據(jù)在新聞稿中表示,本次拆分已取得重大進展,包括全球法律實體
  • 關鍵字: 西部數(shù)據(jù)  硬盤  閃存  

千億美元蛋糕!3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

  • 從目前公開的DRAM(內(nèi)存)技術來看,業(yè)界認為,3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一,是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工?如何解決尺寸限制等行業(yè)技術痛點?大廠布局情況?如何理解3D DRAM?DRAM(內(nèi)存)單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成,其中,晶體管負責傳輸電流,使信息(位)能夠被寫入或讀取,電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
  • 關鍵字: 3D DRAM  存儲  

為什么仍然沒有商用3D-IC?

  • 摩爾不僅有了一個良好的開端,但接下來的步驟要困難得多。
  • 關鍵字: 3D-IC  HBM  封裝  

日本東芝正式退市

  • 據(jù)日媒報道,12月20日,日本東芝公司正式退市,結束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起,以日本國內(nèi)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”(JIP)為主的財團正式開始向東芝發(fā)起總額約2萬億日元的要約收購。東芝在官網(wǎng)發(fā)布的文件中稱,該財團將從普通股東收購剩余股份,將東芝收購為全資子公司。公開資料顯示,東芝創(chuàng)立于1875年,距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一,在家電、電氣、能源、基建等領域都有巨大影響力。此外,東芝還是日本最大的半導體制造商,曾發(fā)明NAND閃存芯片。
  • 關鍵字: 東芝  家電  NAND  閃存  退市  

300層之后,3D NAND的技術路線圖

  • 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
  • 關鍵字: 3D NAND  

集邦咨詢稱 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元,環(huán)比增長 18%

  • IT之家 12 月 5 日消息,根據(jù)市場調查機構集邦咨詢公布的最新報告,2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)模合計營收 134.8 億美元,環(huán)比增長 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫,買方重啟備貨動能,讓各原廠營收皆有所增長。展望今年第 4 季度,供給方面,原廠漲價態(tài)度明確,預估第四季 DRAM 合約價上漲約 13~18%;需求方面的回溫程度則不如過往旺季,整體而言,DRAM 行業(yè)出貨增長幅度有限。三家主流廠商情況細分到各家品牌,三大原廠營收皆有所成長
  • 關鍵字: DRAM  閃存  

三季度全球 DRAM 銷售額達 132.4 億美元,連續(xù)兩個季度環(huán)比增長

  • 11 月 30 日消息,據(jù)外媒報道,從去年下半年開始,受消費電子產(chǎn)品需求下滑影響,全球存儲芯片的需求也明顯下滑,三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領域相關需求增加的推動下,DRAM 這一類存儲產(chǎn)品的價格已在回升,銷售額環(huán)比也在增加。研究機構最新的數(shù)據(jù)就顯示,在今年三季度,全球 DRAM 的銷售額達到了 132.4 億美元,環(huán)比增長 19.2%,在一季度的 93.7 億美元之后,已連續(xù)兩個季度環(huán)比增長。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長,也就意味著主要廠商的銷售額,環(huán)
  • 關鍵字: DRAM  閃存  三星  海力士  

TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應用場景的全新ASIL C級雜散場穩(wěn)健型3D HAL傳感器

  • ●? ?HAL 3930-4100(單芯片)和 HAR 3930-4100(雙芯片)是兩款精確的霍爾效應位置傳感器,具備穩(wěn)健的雜散場補償能力,并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級,可以集成到汽車安全相關系統(tǒng)中,最高可達 ASIL D 級●? ?目標汽車應用場景包括轉向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤位置檢測、油門和制動踏板位置檢測**TDK株式會社利用適用于汽車和工業(yè)應用場景的新型
  • 關鍵字: TDK  ASIL C  3D HAL傳感器  

存儲市場前瞻:DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機內(nèi)存邁入 20GB 時代

  • IT之家?11 月 24 日消息,由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn),以及特定應用市場的持續(xù)強勁需求,DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲,并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預估,2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預計上漲 13-18%,而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%,上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM:根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報道,2024 年手機的一個明顯變化是
  • 關鍵字: 閃存  DRAM  NAND  

OptiFlash存儲器技術如何利用外部閃存應對軟件定義系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)

  • 在寫字樓、工廠車間和汽車中,軟件正逐步取代機械部件和固定電路。例如,使用智能鎖取代機械鎖后,用戶可以通過手機應用程序對智能鎖進行控制,同時制造商可通過軟件更新、改進或校正智能鎖的功能。在這種趨勢下,人們對存儲器的要求不斷提高,這一挑戰(zhàn)不容忽視。在常嵌入閃存存儲器的微控制器 (MCU) 中,存儲器的容量也在快速增加。除了宏觀趨勢外,MCU 中的一些特定發(fā)展趨勢(包括更高的計算帶寬、功能集成以及包含額外的大型通信棧)也決定了需要更大容量的閃存。當出現(xiàn)無線更新的需求時,由于原始圖像和備份圖像都需要存儲,上述的這
  • 關鍵字: OptiFlash  存儲器  閃存  軟件定義系統(tǒng)  

越便宜越?jīng)]人買!全球SSD出貨量暴跌10% 用戶買漲不買跌

  • 11月22日消息,據(jù)TrendForce最新報告,2022年全球SSD出貨量為1.14億塊,同比下降10.7%。報告中指出,2021年上半年受到主控IC短缺的影響,SSD出貨量不高;但在2022年下半年供應情況已經(jīng)極大緩解,渠道SSD市場恢復正常供需狀態(tài)。隨著個人電腦和計算機硬件市場的萎縮,固態(tài)硬盤的需求依然疲軟,而更多的用戶也是買漲不買跌(便宜了還能更便宜,便宜反而買單的人銳減)。TrendForce稱,由于NAND閃存供應商積極減產(chǎn),導致整個行業(yè)價格上漲,市場情緒在2022年第三季度末"迅速
  • 關鍵字: SSD  固態(tài)硬盤  閃存  NAND  

傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存

  • 近日,據(jù)媒體報道,三星電子存儲業(yè)務主管李政培稱,三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品,希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前,存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復蘇階段,大廠們正在追求存儲先進技術的研發(fā)。從當前進度來看,NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關:SK海力士已至321層,美光232層,三星則計劃2024年推出第九代3D NAND(有望達到280層)。據(jù)悉,三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層)
  • 關鍵字: 三星  第九代  V-NAND  閃存  

TDK推出采用3D HAL技術并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

  • ●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?!? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開發(fā)水平,以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布,其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員,現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
  • 關鍵字: TDK  3D HAL  位置傳感器  
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3d 閃存介紹

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