3d 閃存文章最新資訊

1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競(jìng)賽已拉開帷幕

IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場(chǎng)固然存在全球經(jīng)濟(jì)下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時(shí)期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產(chǎn) 1β DRAM，不過研發(fā)的目標(biāo)是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標(biāo)志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計(jì)劃 2023 年邁入 1b D
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3D ToF相機(jī)于物流倉儲(chǔ)自動(dòng)化的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

3D ToF智能相機(jī)能藉助飛時(shí)測(cè)距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉儲(chǔ)現(xiàn)場(chǎng)精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運(yùn)車移動(dòng)順暢，加速物流倉儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M(fèi)模式與型態(tài)，導(dǎo)致電商與物流倉儲(chǔ)業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長(zhǎng)；于此同時(shí)，人員移動(dòng)的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導(dǎo)入無人搬運(yùn)車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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延續(xù)摩爾定律：先進(jìn)封裝進(jìn)入3D堆疊CPU/GPU時(shí)代

堆疊需求旺盛。
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三星明年將升級(jí)NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈

據(jù)媒體報(bào)道，三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商，為了提高新一代NAND閃存的競(jìng)爭(zhēng)力，將在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運(yùn)行測(cè)試。?三星平澤P1工廠未來大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時(shí)正在將日本東京電子（TEL）的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線，此次采購的TEL設(shè)備是用于整個(gè)半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結(jié)束時(shí)，三星旗下設(shè)備解決方案部門的庫存已增至
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要漲價(jià)？?jī)?nèi)存、閃存同時(shí)需求大漲

這兩年，DRAM內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)處于地位，內(nèi)存、SSD硬盤產(chǎn)品也越來越便宜。不過，這種好日子似乎要結(jié)束了。根據(jù)集邦咨詢最新研究報(bào)告，預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存原廠仍然會(huì)延續(xù)減產(chǎn)策略，尤其是虧損嚴(yán)重的閃存，但與此同時(shí)，至少在2024年上半年，消費(fèi)電子市場(chǎng)需求仍不明朗，服務(wù)器需求相對(duì)疲弱。由于內(nèi)存、閃存市場(chǎng)在2023年已經(jīng)處于低谷，價(jià)格也來到相對(duì)低點(diǎn)，因此預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存芯片的市場(chǎng)需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個(gè)、5.0
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3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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三星計(jì)劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存：沿用雙層堆棧架構(gòu)，超 300 層

IT之家 8 月 18 日消息，據(jù) DigiTimes 報(bào)道，三星電子計(jì)劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，將沿用雙層堆棧架構(gòu)，超過 300 層。報(bào)道稱，這將使三星的進(jìn)度超過 SK 海力士 —— 后者計(jì)劃 2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的 321 層 NAND 閃存。早在 2020 年，三星就已首次引入雙層堆棧架構(gòu)，生產(chǎn)第 7 代 V-NAND 閃存芯片?！?圖源三星IT之家注：雙層堆棧架構(gòu)指在 300mm 晶圓上生產(chǎn)一個(gè) 3D NAND 堆棧，然后在第一個(gè)堆棧的基礎(chǔ)上建立另一個(gè)堆棧。
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3D DRAM時(shí)代即將到來，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l 這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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被壟斷的NAND閃存技術(shù)

各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
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3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

迷人的技術(shù)革命。
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基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案

MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達(dá)到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個(gè) Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機(jī)，支持 5 軸電機(jī)控制，支
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會(huì)展中心舉辦的 2023中國（上海）機(jī)器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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鎧俠宣布運(yùn)營(yíng)兩個(gè)新研發(fā)設(shè)施，加強(qiáng)閃存和SSD研發(fā)能力

6月1日，鎧俠宣布開始運(yùn)營(yíng)兩個(gè)新的研發(fā)設(shè)施——位于橫濱技術(shù)園區(qū)的旗艦大樓和Shin Koyasu技術(shù)前沿——以加強(qiáng)公司在閃存和固態(tài)硬盤（SSD）方面的研發(fā)能力。未來，神奈川縣的其他研發(fā)職能將轉(zhuǎn)移到這些新的研發(fā)中心，以提高研究效率。隨著新旗艦大樓的加入，橫濱科技園區(qū)的規(guī)模將幾乎翻一番，使鎧俠能夠擴(kuò)大其評(píng)估閃存和SSD產(chǎn)品的能力，從而提高整體產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量。Shin Koyasu技術(shù)前沿將成為半導(dǎo)體領(lǐng)域尖端基礎(chǔ)研究的中心，包括新材料、工藝和器件，此處配備一間最先進(jìn)的潔凈室。除了下一代存儲(chǔ)技術(shù)，鎧俠還從事其
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DRAM迎來3D時(shí)代？

3D DRAM 領(lǐng)域的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)升溫。
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NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財(cái)報(bào)出爐

據(jù)中國臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財(cái)報(bào)，營(yíng)收1億2407萬美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬美元。報(bào)道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶，目前一致認(rèn)為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機(jī)終端市場(chǎng)持續(xù)呈現(xiàn)疲弱，上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫存，包括消費(fèi)級(jí)SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備供應(yīng)商，因此影響相關(guān)控制芯片的營(yíng)收。茍嘉章認(rèn)為，見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善，再加
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